烧录190K大小的程序进去，正常只要12s，这部分芯片要20s。
写了程序从片内直接读写，写得慢的芯片较正常芯片用时也要翻接近一倍。
且慢的芯片用时差距极小，似乎具有一些共同的特性。
请问这样的差距是正常的吗，可能是什么原因呢？

通过烧录器去测试烧录时间在理论上不够严密。烧录器擦除部分的区域，以及烧录器对非程序扇区的默认值的处理都会影响速度，甚至与芯片通讯质量也有一定关系。 如果怀疑FLASH接口的速度，最好是用代码测试固定存贮区域的擦除和烧录，看看是否在手册范围内。因为代码的执行一致性较好，误差也小。 此外，每个芯片的每个区域烧录时间会不同，大容量的芯片累计起来相对时间差异大也有可能

butterflyspring 发表于 2022-9-21 10:19
通过烧录器去测试烧录时间在理论上不够严密。烧录器擦除部分的区域，以及烧录器对非程序扇区的默认值的处理 ...

已经使用程序做过擦写测试，同样也有很明显的速度差，所用时间上也几乎翻倍了，具体数据如下表

butterflyspring 发表于 2022-9-21 10:19
通过烧录器去测试烧录时间在理论上不够严密。烧录器擦除部分的区域，以及烧录器对非程序扇区的默认值的处理 ...

多谢提醒，我这边已经使用代码对flash0x0805 0000区域进行了擦除写速度测试，并与手册进行了对比。计时采用系统滴答定时器结合时钟的换算，可达us级别。具体数据如下：
问题板: 16bit programming: 100us  常规板: 16bit programming: 60us
对比下面的Spec手册，问题芯片似乎超出了手册给出的16bit写时间的参考上限，不过二者擦除的速度似乎相差不多