目前已经支持的mcu有: stm32f072cb, stm32f303cc, gd32f350cb, stm32f030c8, stm32f103rc. 前面三者均实测可用. 在flash每页1k的mcu上共占用8k flash, 其中eeprom占1页, 提供256字节eeprom空间; 在flash每页2k的mcu上共占用10k flash, 提供512字节eeprom空间.

串口波特率定为500kbps, 因为为了时钟配置简单起见, bootloader在8M HSI时钟运行.

使用时只需要选择对应型号的Makefile, 并在usart.c里修改用到的usart外设和管脚即可.

上位机见根目录的iap.py, 用python3执行, 需要zlib和bincopy两个第三方库.

app这边需要做的:
1.写入bootloader后在串口命令行执行## sysinfo, 取得app区的入口地址, 应该是0x08002000或0x08002800.
2.修改链接文件(.ld或.lds, 在不同开发环境下可能不同), 把flash区的起始地址改为上面的入口地址， length要根据页大小减去8k或10k.
3.Makefile或者其他类似指定了flash大小的场合，要减去8k或10k.
4.main.c在最前面加上两行, 其中VECT_TAB_OFFSET的值是0x2000或0x2800.

1.     NVIC_SetVectorTable(NVIC_VectTab_FLASH, VECT_TAB_OFFSET);
   
2.     __enable_irq()

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如果是stm32f0系列呢？它们不提供重定向中断向量表的功能, 所以NVIC_SetVectorTable就没用了. 不过bootloader还是能用的，稍微麻烦一点, 需要在main.c最前面加上这几行, 把中断向量表复制到SRAM的起始位置， 然后把复位地址改为指向SRAM起始位置. APP_BASE的值是前面提到过的0x08002000或0x08002800. __enable_irq()则还是需要的. 此外, .ld/.lds文件里SRAM起始位置需要改为0x20000100, LENGTH要减去256.

1. memcpy((void*)(0x20000000), (void*)APP_BASE, 256);
   
2.     RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_SYSCFG, ENABLE);
   
3.     SYSCFG_MemoryRemapConfig(SYSCFG_MemoryRemap_SRAM);
   
4.     __enable_irq()

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如果要在app里使用eeprom呢？只要在app里加上flash_eeprom.h和flash_eeprom.c两个文件, 并在使用前先初始化即可:

1.     FLASH_EEPROM_Config(APP_BASE - PAGE_SIZE, PAGE_SIZE);

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