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STM32H750VBT6无法使用flymcu.exe或flashloader,通过串口1烧写程序 1、flymcu.exe----读器件信息 DTR电平置高(+3-+12V),复位 RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader ...延时100毫秒 DTR电平变低(-3--12V)释放复位 RTS维持高 开始连接...4, 接收到:79 1F 在串口COM55连接成功@115200bps,耗时703毫秒 芯片内BootLoader版本号:3.1 芯片PID:00000450 芯片已设置读保护 www.mcuisp.com(全脱机手持编程器EP968,全球首创)向您报告,命令执行完毕,一切正常 2、flymcu.exe----开始编程----提示设置读保护 DTR电平置高(+3-+12V),复位 RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader ...延时100毫秒 DTR电平变低(-3--12V)释放复位 RTS维持高 开始连接...5, 接收到:1F 1F 在串口COM55连接成功@115200bps,耗时922毫秒 芯片内BootLoader版本号:3.1 芯片PID:00000450 芯片已设置读保护 芯片有读保护,请先擦除器件以清除读保护 开始去除读保护(全片擦除时间会比较长,请耐心等候!) 去除读保护,并擦除成功 DTR电平置高(+3-+12V),复位 RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader ...延时100毫秒 DTR电平变低(-3--12V)释放复位 RTS维持高 开始连接...4, 接收到:79 1F 在串口COM55连接成功@115200bps,耗时703毫秒 芯片内BootLoader版本号:3.1 芯片PID:00000450 芯片已设置读保护 第828毫秒,已准备好 开始编程芯片,共需写入14KB,耗时828毫秒 调试信息:32readbytescount 64len 调试信息:-9 STM_ReadMemory 写入出错在0KB,进度0%,耗时1453毫秒 |
【2026.10.18】每日签到:STM32H735G-DK评测.接收串口字符并显示在LCD—text中
【2026.10.17】每日签到:STM32H735G-DK评测.TouchGFX在LCD—text中显示动态字符
使用STM32H743IIT6,读写MCU内部Flash固定地址与固定长度的区域,出现随机性HardFault错误,请问是什么原因?
STM32H7A3VGH6Q D1、d2、E1、E2是SMPS功能对应的引脚,裸片量测D2与C1、D1对应的地没有短路现象,PCB板量测也没有短路,但芯片贴到板上D2 VLXSMPS就会与地短路。不知是啥原因。是否芯片型号与批次不对?
mmt 工具如何管理NAND和LCDinterface 设备
调试器如何通过AP0~AP3访问H757?
STM32H7的LSE起振问题
使用STM32H7A3的FMC接口驱动LCD 是否可以用DMA传输数据
stm32h743 lan8720 cube配置lwip无法ping通
型号相同,尾椎不一样
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建议先用SWD接口的烧录器读出option byte 看看有没有异常。
ST 公司有否通过串口烧写STM32H750VBT6 的软件?如有,能否提供一个?
试试STM32CubeProgrammer
使用STM32 ST-LINK utilityV4.6
1、target-->Connect ,提示can not read memory
2、Option Bytes --》option Out protection 为 Level 0
3、STM32CubeProgrammer-- uart --提示连接不上
同样的芯片,为什么提示连接不上呢?