本文测试 L051 flash的读写，用来处理以后应用中的掉电数据保存。

1、STM32L051内部存储模块地址范围

开始找到F103的FLASH图复习了一遍，然后L051C8T6,64KB的flash，  然后我惊奇的发现还有2KB的EEPROM。发现L051系列的地址与F103完全不同，F103的flash每页的长度有1KB（小容量<=64KB）和2KB（大容量128KB起）查看各种资料， 查了2个小时， 还是不知道L051的flash 每页长度是 128Byte 还是256Byte？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？还是请教了一下大佬，发现直接在J-Flash中可以找到答案，先上个F103的图：

* o2 N+ }4 ?0 V  t, e: f

然后来看个L051的图：图中64KB 的flash 和2KB的EEPROM都能都明显的看出地址，flash 512页，每页128bytes，EEPROM只有4页，每页512bytes.知道了基本的地址，就可以操作起来了。

最后还需要确定的一点事，最小擦除单元是128bytes，还是256bytes，按以前的认知，删除是按照一个Sector擦除的，也就是128bytes，但是我查看了一些网上的例子和资料，有的是说256bytes，所以后面需要自己确定一下

其实在HAL库的 stm32l0xx_hal_flash.h 文件中有过 FLASH_PAGE_SIZE    的定义，就是128bytes       ：

. ?+ \* q) k8 Y, N0 i: _

1. #define FLASH_SIZE                (uint32_t)((*((uint32_t *)FLASHSIZE_BASE)&0xFFFF) * 1024U)
   
2. #define FLASH_PAGE_SIZE           ((uint32_t)128U)  /*!< FLASH Page Size in bytes */

复制代码

对于flash的操作，有一些基础知识补充一下：

Read interface organized by word, half-word or byte in every area • Programming in the Flash memory performed by word or half-page • Programming in the Option bytes area performed by word • Programming in the data EEPROM performed by word, half-word or byte • Erase operation performed by page (in Flash memory, data EEPROM and Option bytes)

STM32L051写Flash必须字，读 字节、半字、字都支持。（这句话也是错误的，这是以前哪里看到的，实际测试写可以根据字，半字，字节来写）

一些基本概念：定义字是根据处理器的特性决定的。首先ARM是32bit处理器，所以它的字是32bit的。半字自然就是16bit；字节不论在哪个CPU上都是8bit。1 Byte = 8 bits（即 1B=8b） 1 KB = 1024 Bytes Bit意为“位”或“比特”，是计算机运算的基础，属于二进制的范畴；Byte意为“字节”，是计算机文件大小的基本计算单位；

1 A: r- _. _7 B4 k/ C! |2、读写函数的设计

HAL库中肯定是有对flash和EEPROM进行操作的函数，我们这里新建一个stml0_flash.c 和stml0_flash.h 函数分别放在对应位置，进行自己的函数设计。库中Flash与EEPROM的函数看样子是分别放在 stm32l0xx_hal_flash.c 和 stm32l0xx_hal_flash_ex.c 中的，我们先使用EEPROM，因为提供EEPROM，就是让用户可以保存一些掉电后的数据的嘛，测试完EEPROM，再去测试下flash，因为怕有时候数据不够放……

# f' F& v$ E' b2.1 读取函数

1. //读取指定地址的半字(16位数据)
   - U1 L, |. _" z8 A* l; M% {
2. uint16_t FLASH_ReadHalfWord(uint32_t address)
   2 I! y& O0 m& d; O  K, ?! j
3. {
   
4.   return *(__IO uint16_t*)address;
   
5. }
   4 C5 ~/ W+ @+ P( ]5 B; g1 f$ L: X
6. 
   9 `1 ]) t, {( U0 h) H4 l& }7 M
7. //读取指定地址的全字(32位数据)
   
8. uint32_t FLASH_ReadWord(uint32_t address)
   $ X* r: }' c. M( r! O: c
9. {
   " ~  O& g9 D) u
10.   return *(__IO uint32_t*)address;
    
11. }

复制代码

2 k, t, F" m0 s/ X/ F) {' ]) y' r6 U
; d2 X. ?8 U2 D- g' N

简单测试一下：

1. u32 read_data1=0XFFFFFFFF;
   
2. u32 read_data2=0XFFFFFFFF;
   
3. ...
   0 P5 x+ f4 {! e& W( f$ v
4. read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);
   
5. printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);
   : i5 \  C  |+ }5 H/ _! ?  g0 J/ `
6. read_data2 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR + EEPROM_PAGE_SIZE);
   4 n) d& r' I' G/ U" V
7. printf("the EEPROM sceond page test data is: 0x %x \r\n",read_data2);

复制代码

& W6 [* M- a8 r  g4 G  d

没有写入数据读取的值应该都是0。

$ K4 J: V" _3 w1 {: i2.2   EEPROM写函数

对EEPROM的写函数：stm32l0xx_hal_flash_ex.h中函数如下：

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock(void);
   
2. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock(void);
   
3. 
   
4. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t Address);
   . ], G2 R' ]7 q$ v
5. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);

复制代码

通过函数看来，可以直接用，但是这里有一个问题

需要测试一下，擦除是否会擦除整个扇区，有待验证！！

答：EEPROM的擦除可以直接擦除某个地址的字，不会擦除整个片区

EEPROM的操作相对Flash，比较简单，直接使用HAL库中的函数即可完成

1. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   
2. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);
   
3. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
     u: r3 Q2 M& ]0 P( |  W; I
4. ...
   # D; L, w9 B& c/ J1 V! a
5. if(btn_getState(&K1_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
   
6.         printf(" K1 150ms button!,EEPROM_Erase test\r\n");
   4 x9 X: V$ V! L* Z
7.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   + x5 J  q% d" H. m
8.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(DATA_EEPROM_START_ADDR+4);
   
9.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   
10.         HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port, LED_Pin);
    ! [3 u- w: s) J7 x
11.     }
    
12. ...
    $ V2 E: S7 ^' K/ a1 D
13. if(btn_getState(&K2_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
    # h2 V! v. V( S9 G/ e, c, Q# b
14.         printf(" K2 150ms button!EEPROM_read test\r\n");
    ! X4 F1 K7 M1 q. r, [& M* T- w
15.         read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);
    
16.         printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
17.     }

复制代码

按照上面的例子，擦除DATA_EEPROM_START_ADDR+4的地址不会影响DATA_EEPROM_START_ADDR地址的开始写入的数据 写入一样，如果不在意以前的数据，直接写入就可以。 总结来说EEPROM的使用还是很好用而且简单的。而且EEPROM是可以按照字节，半字，全字写入的，测试了一下，是右对齐

右对齐什么意思呢，打个比方就是如果在地址 addr 中，本来写入全字 0x12345678 然后直接在EEPROM 的 addr 这个地址，写入半字 0xFFFF， 再读取全字的话，addr 地址的全字就变成了 0x1234FFFF  ，这个具体的为什么在地址写入半字，不会直接从地址开始占用2个字节，是因为地址的类型为 uint32_t ，所以该地址就是 4个字节类型的数。

2 c% E1 O" o6 p* D$ W# ]& M$ `6 |写入问题说明修改

2021/11/23 修改说明 上面一段的解释有误，这里修改一下，不是因为地址类型为uint32_t，地址类型永远是这个，是因为定义的数据类型为uint32_t ，然后STM32又是小端模式，所以保存的方式是从地址的最后开始保存，4个字节的全字，第一个字节放在地址开始+4 的位置，第二个字节放在地址开始+3的位置，所以如果调用HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);关键在于FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD以全字方式写入半字，那么内核会自动分配4个字节的宽度，半字的第一个字节放在写入地址+4 的位置，第二个字节放在写入地址+3的位置，所以导致了上面的结果

1.   HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   
2.   HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, DATA_EEPROM_START_ADDR, 0X88);
   , x+ O! x6 C: t$ B. s2 T. g
3.   HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   7 V: X3 Z9 ?9 r1 |
4.   read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);
   . P, p8 Q7 t: c
5.   printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);

复制代码

8 I+ F6 W+ k, _4 l" T

最后在 stml0_flash.h 中把函数完善声明一下，使得主函数中的程序更加简洁。

1. void MY_DATAEEPROM_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data)   
   % m+ X: u5 v6 i$ Y0 B
2. {
   ) B) z- o1 j0 m. O7 S
3. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();        
   
4.     HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(TypeProgram, Address, Data);
   5 Z, M! J3 O3 T- W- L
5. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   ! {/ t0 C* p9 `$ M8 v: a7 J; u1 I
6. }

复制代码

, z. n9 r) ?# d. V8 Y7 o9 N& m

那么L051 的EEPROM的测试就到这里，其实有EEPROM，在项目中的保存数据的功能就问题不大了，但是我们既然开始了，就把L051 Flash的读写也测试一下。

2.3   Flash写函数

Flash的读取其实和EEPROM一样，主要是写函数，来看一下stm32l0xx_hal_flash.h 中有哪些函数

1. /* IO operation functions *****************************************************/
     E& H  G/ ~$ D; Q
2. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);
   5 Y! ]: }4 p8 A1 H) }" c
3. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program_IT(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);
   & \& W% p8 W" h0 m, U
4. 
   ) m9 }0 X% \2 G
5. /* FLASH IRQ handler function */
   1 s# k3 c" Y  Y3 }# Y8 r: p" F
6. void       HAL_FLASH_IRQHandler(void);
   5 g/ j" W  q5 Q" M0 M2 W, P
7. /* Callbacks in non blocking modes */
   
8. void       HAL_FLASH_EndOfOperationCallback(uint32_t ReturnValue);
   + u# E2 _& `+ j' s: ?6 w  z6 a
9. void       HAL_FLASH_OperationErrorCallback(uint32_t ReturnValue);
   
10. 
    2 _' H/ [, {% K/ S& h
11. /**
    " P6 x/ q6 \* `5 o& a/ T- u
12.   * @}
    8 ~3 v2 f  P$ ?8 {2 s! i& K2 f4 z
13.   */
    
14. 
    ! U" q7 Z. Y' v( x7 X
15. /** @addtogroup FLASH_Exported_Functions_Group2
    3 @1 X& |4 P8 x( i% |" q! E6 Z9 X
16.   * @{
    
17.   */
    
18. /* Peripheral Control functions ***********************************************/
    2 _" Y1 p, }) m0 {) \) I
19. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);
    
20. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void);
    8 O" F* ]- A1 F" C; l) g/ v5 G1 m
21. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Unlock(void);
    3 b* @6 F$ K: w' Z1 ~( \- t
22. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Lock(void);
    ( J% E& s0 Y3 [
23. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Launch(void);

复制代码

有点忙，Flash的后面再也，看了几个demo，只需要做几个测试就可以；

- O4 c7 C, t  `; L4 E) b

2021.8.5  今天有空来接着测试一下L051  Flash的读写，看了下HAL_FLASH_Program函数：

1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data)
   
2. {
   4 f* c7 {  O* P' }' @3 Y+ d& Z" }
3.   HAL_StatusTypeDef status = HAL_ERROR;
   
4.   
   
5.   /* Process Locked */
   " ^) q3 P: |; J2 W+ n! m8 I
6.   __HAL_LOCK(&pFlash);
   + A" c3 k, ]# L8 E3 T( ?2 q+ w
7. 
   9 c& a% J* b" k$ @6 l2 X
8.   /* Check the parameters */
   
9.   assert_param(IS_FLASH_TYPEPROGRAM(TypeProgram));
   % I9 Y1 G# E" A6 N
10.   assert_param(IS_FLASH_PROGRAM_ADDRESS(Address));
    
11. 
    - T/ v5 M  |# c
12.   /* Wait for last operation to be completed */
    
13.   status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    
14.   
    # O4 g- k, G1 U- I+ q& {1 B3 ^% U
15.   if(status == HAL_OK)
    
16.   {
    8 i9 h/ B  O/ B4 {7 B9 {3 H" D+ a
17.     /* Clean the error context */
    8 m2 E' b3 I8 S5 J
18.     pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;
    
19. 
    4 E7 ~1 y! G! [+ I0 Y0 h
20.     /*Program word (32-bit) at a specified address.*/
    
21.     *(__IO uint32_t *)Address = Data;
    
22. 
    
23.     /* Wait for last operation to be completed */
      v# E& s# |$ r' a
24.     status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    + S4 z6 a2 Y. V0 \6 v
25.   }
    9 ?9 Z+ ~$ Q3 a$ @" c3 h, @
26. 
    
27.   /* Process Unlocked */
    # C' B& [0 E# d, u
28.   __HAL_UNLOCK(&pFlash);
    
29. 
    
30.   return status;
    . C6 L& K  f" _- R" z2 s
31. }
    7 o- U8 A% ^+ k% A

复制代码

这里也再次说明了，L051的写必须以字的方式写入。

不管了，先测试一下，不擦除直接写入，这里先定义一下写入的地址，前面我们已经知道了L051 flash一共 512页，每页128bytes，所以我们直接拿最后面的几页来测试

1. #define ADDR_FLASH_PAGE_505      0X08000000 + 128*504   //
   
2. #define ADDR_FLASH_PAGE_506      0X08000000 + 128*505   //
   7 D: J* L% w5 G3 a
3. #define ADDR_FLASH_PAGE_507      0X08000000 + 128*506   //
   
4. #define ADDR_FLASH_PAGE_508      0X08000000 + 128*507   //
   " h, A6 x& a" \# w
5. #define ADDR_FLASH_PAGE_509      0X08000000 + 128*508   //
   9 e; k. j- v$ p/ c7 c
6. #define ADDR_FLASH_PAGE_510      0X08000000 + 128*509   //
   ! n% l- i) N8 O* M: E0 i
7. #define ADDR_FLASH_PAGE_511      0X08000000 + 128*510   //
   / Z* N6 }9 {" M2 R" o: g' o9 [
8. #define ADDR_FLASH_PAGE_512      0X08000000 + 128*511   //最后一页

复制代码

开始先不擦除，直接在最后一页写入一个字读取一下试试，整理一下写入函数：

1. void MY_DATAFLASH_Program(uint32_t Address, uint32_t Data)   
   8 Z9 @$ \' Z2 Q# m8 a( s+ [
2. {
   " t5 f' L) K. r9 }
3. HAL_FLASH_Unlock();        
   % d; h% M. F8 @. Q6 C' f& a
4.   if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){
   # I3 M0 ~) h$ m  y8 R: z7 H
5.     printf("write data 0x%x OK\n", Data);
   + ]0 ~3 H3 U$ {8 z7 c: p
6.   }
   ' I. T& g1 W6 n
7.   else{
   
8.     printf("failed!!!\n");
   + G% ^$ q: G4 B9 c  N
9.   }
   ' y3 D& A" |6 d, x/ C) U
10. HAL_FLASH_Lock();
    
11. }

复制代码

测试一下；

1.   MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_512,write_data2);
   8 x3 G/ ?! ^/ M" a( o. F4 N# V
2.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_512);
   
3.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_512 is: 0x %x \r\n",read_data1);

复制代码

在没有写入flash之前，该地址读出来的数据为0，写入后读出来是正常写入的数据这里有个疑问，按理来说，flash存储器有个特点，就是只能写0，不能写1，所以flash的写入，比需先擦除，或者至少检查一下该数据区是否可以写入，但是L051 怎么初始的时候读出来是0？ 难道L051的有区别，需要测试一下

先在一个地址写0XFFFFFFFF ，然后写完了再写一次别的数据看看能否直接写入，结果是写入了0XFFFFFFFF ，不能继续直接写数据，说明，估计L051是相反的，这里具体是不是我只看测试结果，结论的话我自己知道就可以应用，希望有权威大神指正。

这里我们得用到一个关键的函数 ，这个函数是在stm32l0xx_hal_flash_ex.c 这个文件中的，是flash的擦除函数：HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)

所以这里我们知道了以后，可以优化一下写入函数，我们项目中用到的是可以直接对某个地址的写入，然后也不需要保存，此页其他的数据，所以我们把函数改成如下：

1. void MY_DATAFLASH_Program(uint32_t Address, uint32_t Data)   
   / K, r; x& p% L, {0 B$ ~& U
2. {
   4 b$ _) g0 X2 v; M5 H2 O
3.   FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
   
4.   uint32_t checkdata;
   
5.   uint32_t PAGEError = 0;
   0 u0 P" e8 x) C3 X  L3 H7 ^
6.   checkdata = FLASH_ReadWord(Address);
   
7. HAL_FLASH_Unlock();
   # ^0 t& l- R- F8 {4 v3 Z- L8 o* E
8.   /*如果是0，直接写*/
   6 _# {- ^6 c" q0 O) s3 f" ~
9.   if(checkdata == 0){      
   
10.     if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){
    
11.       printf("write data 0x%x OK\n", Data);
    / X( b, }1 ~) O; X
12.     }
    
13.     else{
    
14.       printf("failed!!!\n");
    
15.     }
    
16.   }
    
17.   /*否则擦除再写*/
    
18.   else{
    
19.      __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);
    
20. 
    
21.       EraseInitStruct.TypeErase   = FLASH_TYPEERASE_PAGES; // 刷除方式
    , w3 E; R; ^) ^! {
22.    EraseInitStruct.PageAddress = Address; // 起始地址
    : z' O; g. a! W& J
23.       EraseInitStruct.NbPages = 1;
    " l6 p8 ]* V$ D* i
24. 
    ) s- b  U, i! O4 I% T; l0 ~/ v
25.       if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK)
    ( ?. S) b" `! p8 d
26.       {
    
27.         // 如果刷除错误
    / |8 U) i0 S7 ], M" r7 ^
28.         printf("\r\n FLASH Erase Fail\r\n");
    9 G/ n% S! h6 r. Q: a  t6 c+ v
29.         printf("Fail Code:%d\r\n",HAL_FLASH_GetError());
    & e& T- ]" A+ V' S3 t' q. z
30.         printf("Fail Page:%d\r\n",PAGEError);
    7 L+ q' ~. u$ Z9 p9 f. _' l1 U" Z
31.       }
    * T& ?+ _: w4 i) E# A# a! {
32. 
    ' J2 B+ V' ~+ W, U$ j5 j
33.       if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){
    
34.       printf("write data 0x%x OK\n", Data);
    9 V7 X5 Z& x1 \* @
35.       }
    
36.       else{
    
37.         printf("failed!!!\n");
    - L& u  T) A% j/ p+ Y
38.       }
    3 d- e4 J9 d) L' l1 ?- s4 |( b0 ^
39. 
    9 o- W% p6 R0 G$ X' q
40.   }
    
41. HAL_FLASH_Lock();
      @1 S0 X1 ?* e5 H' J2 {" ^
42. }

复制代码

! `" i) R$ A2 I3 K: O) u& J6 k  `

自己修改了一个函数， 改成这样以后，就能直接在想写入的地方写入数据了，到这里，flash足够我项目中的使用了。但是还有最后一个疑问，就是擦除的一页到底是不是128bytes我来验证一下。

1. u32 write_data1 = 0X12345678;
   
2. u32 write_data2 = 0X87654321;
   % [2 Z8 o4 M/ T: @  L3 ~, ^
3. u32 write_data3 = 0XFFFFFFFF;
   
4. 
   
5. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124,0X508508FF);
   
6. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509,write_data3);
   : N/ S( Z8 |! c
7. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509+4,write_data2);
   
8. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509+8,write_data1);
   ' L6 l, _( r9 A1 n4 e
9. MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_510,0X510510FF);
   $ Q1 m+ I8 m+ z
10. 
    
11. read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124);
    
12. printf("the ADDR_FLASH_PAGE_508 last is: 0x %x \r\n",read_data1);
    7 S  q9 r4 r; v5 \: b1 c
13.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509);
    
14.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 1 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
15.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 4);
    $ I* S- \4 _0 E# l: ]3 c8 `0 V
16.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 2 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
17.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 8);
    
18.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 3 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    * Q/ n) K) G  s% b
19.   read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_510);
    
20.   printf("the ADDR_FLASH_PAGE_510 first is: 0x %x \r\n",read_data1);
    3 k5 _1 [9 [  S/ O# s1 i
21. 
    * |& \, L/ D* C4 ^: u6 K- H0 I( `2 v# }
22. if(btn_getState(&K2_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
    
23.         printf(" K2 150ms button!EEPROM_read test\r\n");
    + N8 {% G0 ]( V+ j
24.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124);
    
25.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_508 last is: 0x %x \r\n",read_data1);
    5 B0 [! E% s) K6 U" h5 H% N+ g* }
26.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509);
    5 A$ h9 r9 S9 U' k: ~
27.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 1 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
28.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 4);
    $ A* ^5 G' e( ^9 V2 j' y& A8 y6 o% N
29.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 2 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    " {4 e0 I  a& O1 V
30.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 8);
    
31.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 3 is: 0x %x \r\n",read_data1);
    7 i# G  t" t( Y$ a4 d
32.         read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_510);
    
33.         printf("the ADDR_FLASH_PAGE_510 first is: 0x %x \r\n",read_data1);
    
34. 
    
35.     }
    
36. if(btn_getState(&K1_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){
    
37.         // printf(" K1 150ms button!,EEPROM_Erase test\r\n");
    3 f3 y: x8 ]$ q4 A+ J3 H; \
38.         // MY_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);
    
39.         printf(" K1 150ms button!,flash write test\r\n");
    
40.         MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509,0X33333333);
    
41.         HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port, LED_Pin);
    & A3 V6 b* _" w: q
42.     }

复制代码

因为地址位置如果有数据的话会擦除一页再写入，所以我们看了一下508页最后一个地址，和510页的第一个地址数据，对509页的数据进行了操作，结果发现不会改变508 和510的数据，509页的数据会全部清除!

. {, _! ~2 E" S0 }

4 B  J5 ?7 C1 h4 ~- W) C1 a& c

所以得出的结论显而易见，flash擦除按照一页一页擦除， 在L051上面一页为128bytes，而且擦除后数据全部为 0；

  Q2 C/ L' F! q6 S2.4 读写EEPROM的后续问题

最近有一个项目，因为缺货 STM32L051R系列缺货，买了 STM32L071RBT6 替代：

6 p8 |; R2 o, V' k$ S" l

看了一下地址，其实我们上面所有的测试代码基本都是可以直接用的，代码直接用STM32L051的代码也是可以的，实际项目中，还是使用EEPROM比较方便，所以在使用EEPROM的时候，发现了一个问题（并不是换了芯片的问题），还是数据读取和写入的问题。

2.4.1 问题的出现和解决

下面程序的硬件平台是 STM32L071RBT6，首先在程序中，有一个写ID的函数：

写入IO是通过字节的方式 byte  写入的，写了6个字节（蓝牙设备的ID）。

然后最初读取的函数用的是：

$ L) y$ p# Y, I( M

使用这个读ID的函数，问题就出来了。上图代码中，我读取ID使用的是半字读取，处理方式是把读到的半字前面8位给ID1， 后面8位给ID2， 但是测试中发现 数据读出来与想要的相反，什么意思呢，看下面的测试说明：

上电打印出EEPROM中读取的一个地址的，每个ID（每个ID是uint8_t类型）的数据，在代码开始定义了测试数据：

1. BlueID_STRUCT test;
   " ]4 W+ ]2 S$ }6 c$ a# O" \3 x
2. ...
   
3. /*
   . `2 p  s) b2 f5 |# b' r
4. CHBlueID_STRUCT Flash_PowerOn_BlueCheck()
   
5. {
   & U, A# Y2 W; K: `) N, ]9 A% l
6. 
   * ]6 U( f6 S! g0 E% a2 w8 R0 X
7. CHBlueID_STRUCT PowerOn_ID;
     Q. t0 c  ]& f; ?
8. PowerOn_ID.CH1ID = FLASH_blueIDRead(CH1_ID_ADDR);
   
9. PowerOn_ID.CH2ID = FLASH_blueIDRead(CH2_ID_ADDR);
   . c; b" A: P" @+ `- H! B! K
10. PowerOn_ID.CH3ID = FLASH_blueIDRead(CH3_ID_ADDR);
    $ ~4 d1 I- k2 z3 S
11. PowerOn_ID.CH4ID = FLASH_blueIDRead(CH4_ID_ADDR);
    # d0 A+ K1 U3 C6 \5 p0 m4 ?
12. PowerOn_ID.CH5ID = FLASH_blueIDRead(CH5_ID_ADDR);
    
13. PowerOn_ID.CH6ID = FLASH_blueIDRead(CH6_ID_ADDR);
    
14. PowerOn_ID.CH7ID = FLASH_blueIDRead(CH7_ID_ADDR);
    8 ?* Z2 ?# z  x
15. PowerOn_ID.CH8ID = FLASH_blueIDRead(CH8_ID_ADDR);
    
16. PowerOn_ID.CH9ID = FLASH_blueIDRead(CH9_ID_ADDR);
    
17. PowerOn_ID.CH10ID = FLASH_blueIDRead(CH10_ID_ADDR);
    - E5 n+ U0 G- D7 o% }3 f  b
18. 
    " l8 m9 K1 K6 @! A- @
19. return PowerOn_ID;
    
20. }
    0 r: i! K+ F( z, i' c( c
21. */
    8 p. i) d! i- D/ I$ U) d6 V
22. BlueChipID = Flash_PowerOn_BlueCheck(); //上电先把ID读出来做比较
    8 ?8 [. x7 F+ I6 o" f) T* I
23. //打印一个出来测试，看结果
    + _& Z( H0 U) F  ^6 U1 o$ o3 M
24. printf("BlueChipID.CH1ID is 0x%x,0x%x,0x%x,0x%x,0x%x,0x%x\r\n",BlueChipID.CH1ID.ID1,BlueChipID.CH1ID.ID2,BlueChipID.CH1ID.ID3,BlueChipID.CH1ID.ID4,BlueChipID.CH1ID.ID5,BlueChipID.CH1ID.ID6);
    
25. 
    / G0 q6 Z4 @  H
26. test.ID1= 0XFF; //结构体每个元素是 uint8_t 类型
    1 f5 y9 p/ H8 X2 @
27. test.ID2= 0XEE;
    
28. test.ID3= 0XDD;
    
29. test.ID4= 0XCC;
    
30. test.ID5= 0XBB;
    , u' a6 f+ O8 ?( T& _
31. test.ID6= 0XAA;
    9 y$ T( ]* W" f: Z$ F
32. 
    
33. while (1){...}

复制代码

在程序中通过操作，写入测试数据，调用上面提到过的写ID的函数，写ID的函数是每个字节每个字节写的：

8 S- ~+ }& S0 P9 g8 d

/ d/ c$ \/ C' _' A  ]

按我们希望的结果来说，读出来按照顺序打印，应该是：0xff,0xee,0xdd,0xcc,0xbb,0xaa 。测试实际上是：

为了确实是读的问题还是写的问题，添加了读字节的函数：

9 N9 G5 g7 Z/ ^0 t6 s

打印的结果：

2 {( u- |( `6 j; a, e) p& m  d2 |1 d

+ P7 R9 J# K. w& ~0 ?0 B8 o, w

说明确实是ID的读取函数出的问题，是因为使用的半字读取，问题处理不麻烦，我们把读取函数修改一下：

1. BlueID_STRUCT FLASH_blueIDRead(uint32_t address)
   * o3 a5 }. `+ b( E  k2 @+ I5 k% f2 A
2. {
   : @6 ?1 y/ ?& S9 ]
3. BlueID_STRUCT u48id;
   . \7 G  G$ [* D+ Y" T
4.   // uint16_t temp1,temp2,temp3;  /**(__IO uint16_t*)address; */
   
5.   // temp1=*(__IO uint16_t*)address;
   
6. // u48id.ID1 = (uint8_t)(temp1>>8);
   
7. // u48id.ID2 = (uint8_t)(temp1&0X00FF);
   
8.   // temp2=*(__IO uint16_t*)(address+2);
   % a- J6 x5 }9 u2 Q) K
9. // u48id.ID3 = (uint8_t)(temp2>>8);
   
10. // u48id.ID4 = (uint8_t)(temp2&0X00FF);
    
11. // temp3=*(__IO uint16_t*)(address+4);
    
12. // u48id.ID5 = (uint8_t)(temp3>>8);
    ! @  ]" a6 v" ^6 N0 N0 c) j& O
13. // u48id.ID6 = (uint8_t)(temp3&0X00FF);
    ) O) T% B* I5 Q" p1 R7 Z
14. 
    
15.   u48id.ID1 =  FLASH_Readbyte(address);
    
16.   u48id.ID2 =  FLASH_Readbyte(address+1);
    
17.   u48id.ID3 =  FLASH_Readbyte(address+2);
    
18.   u48id.ID4 =  FLASH_Readbyte(address+3);
    
19.   u48id.ID5 =  FLASH_Readbyte(address+4);
      @, e6 l- l) M( a
20.   u48id.ID6 =  FLASH_Readbyte(address+5);
    ! s8 R  J' f. G" r6 y' T
21. 
    
22.   return u48id;
    
23. }

复制代码

测试结果才正常了，如下图：

' x5 X( T+ m, X2 a/ Q

5 K' l6 c9 `6 x8 S; @* n2.4.2 问题的分析（大小端模式数据格式）

出现上面的问题，其实是和我们经常说的大端模式和小端模式有关的。

STM32使用的是小端模式，简单介绍一下大端模式小端模式数据存放的方式，如下图：

8 N' X6 M+ [5 U& a

4 v, c. l2 K5 k  P

知道上面的知识，我们在开始的读取函数中是直接读取的半字(__IO uint16_t*)address; ，但是我们写入的时候是一个字节一个字节写入，上面的例子所以我们内存中的数据实际上如下图所示：

1 J' o; J% T9 {- R/ u

: t2 v: y, e& h9 X# i9 V  a# p

使用(__IO uint16_t*)address; 去读取，读取出来的数值一个uint16_t类型的数值：

假设是 a，a=*(__IO uint16_t*)addr; 会有 a = 0xEEFF; 所以高8位变成了 0xEE。OK！解释清楚！问题解决！

至此，我们基本上把STM32L051 的EEPROM 和Flash 功能都测试过了，把工程中需要用到的功能做了测试，也学到了一些新的知识，还是实践出结论啊，当初没有自己测试之前看了网上的有关类似的介绍，还是很多误解，这下全部清晰了。

, r* R# y# p+ ?+ y8 C2.4.3 STM32L071RBT6 EEPROM读写全字问题
读问题的出现

前面其实测试过，读取全字是可以的，直接使用return *(__IO uint32_t*)address;：便可以读到该地址的全字：

1. uint32_t  FLASH_ReadWord(uint32_t address)
   
2. {
   
3.   return *(__IO uint32_t*)address;
   ; ^. a+ u1 ], t  i# {$ E
4. }

复制代码

; |5 K4 }- C* f0 X& [

所以在后面使用过程中，有这么一个函数：

0 h0 P1 X# L- P! P: c/ C, C

一开始还真的不知道哪里出了问题？折腾了好一阵才发现调用函数读取ID时就会卡死。

问题的解决：

因为还有另外一个蓝牙版本的产品，如果是蓝牙设备的ID，因为蓝牙设备的ID是6位的，所以当时读取蓝牙的ID的时候使用的是（蓝牙版本是没问题的）：

1 U) u* g: F6 f

其实折腾了好一会儿，后来想着蓝牙是读一个字节，要不要试着把 全字 分为 4个字节，单独读取试一试？

于是学蓝牙把程序分为4个字节读取：

代码也放一下，方便复制：

1. u32 FLASH_ReadEnoceanID(uint32_t address)
   
2. {
   
3.   u32 keepid;
   
4.   u8 i;
   
5.   keepid = FLASH_Readbyte(address);
   , p& `2 K% }* C
6.   i = FLASH_Readbyte(address + 1);
   
7.   keepid = (i<<8)|keepid;
   7 ?4 j$ ^0 R/ Y, D  ?& E
8.   i = FLASH_Readbyte(address + 2);
   
9.   keepid = (i<<16)|keepid;
   
10.   i = FLASH_Readbyte(address + 3);
    
11.   keepid = (i<<24)|keepid;
    
12.   return keepid;
    
13. }
    
14. 
    
15. CHID_STRUCT Flash_PowerOn_Check()
    7 O) f! n! O7 V) F( J4 D
16. {
    ! B) t5 j! M( U' Q* ?; ^
17. 
    
18. CHID_STRUCT PowerOn_ID;
    
19. PowerOn_ID.CH1ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH1_ID_ADDR);
    
20. PowerOn_ID.CH2ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH2_ID_ADDR);
    . V. k1 D, ?$ m
21. PowerOn_ID.CH3ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH3_ID_ADDR);
    
22. PowerOn_ID.CH4ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH4_ID_ADDR);
    
23. PowerOn_ID.CH5ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH5_ID_ADDR);
    
24. PowerOn_ID.CH6ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH6_ID_ADDR);
    ) }8 d) h* d8 g# ^- B6 d
25. PowerOn_ID.CH7ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH7_ID_ADDR);
    
26. PowerOn_ID.CH8ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH8_ID_ADDR);
    $ D3 N% R, m5 }
27. PowerOn_ID.CH9ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH9_ID_ADDR);
    $ \/ t8 I$ n8 E" s+ _! s% [
28. PowerOn_ID.CH10ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH10_ID_ADDR);
    : b. _. i2 X$ @: Y8 g4 k
29. 
    
30. return PowerOn_ID;
    
31. }

复制代码

5 `( _; g: a% L0 n

测试一下，发现就好了，至于原因，目前还不知道为什么……（最后问题解决有说明，内存字节对齐问题）

写问题的出现

本来以为解决了上面问题OK了，可是后面测试的时候发现写的时候也有问题：

一直用的写全字函数为：

1. FLASH_Status  FLASH_WriteWord(uint32_t Address, uint32_t Data)
   ' z6 A0 O7 E8 F7 T7 S
2. {
   
3. 
   
4. FLASH_Status i = FLASH_COMPLETE;
   + g, X7 P' N6 U- P2 F8 J
5. 
     _8 Z/ m1 r/ I% U9 {
6. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();  
   
7.   while(HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, Address, Data) != HAL_OK);
   
8. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
   $ q1 ~8 L' t$ p2 c. F7 q$ Y
9. 
   
10. return i;
    8 A3 X0 N# {0 I/ }' ^
11. }

复制代码

% y8 u, [5 r1 D9 n

在程序中会调用此函数进行 ID 保存：

2 E; G( \( q& R& M& f! A

但是使用时候发现：

8 ]0 j! Y0 \  B( C# }( J# E

5 x. Y% m  R# {1 |

问题的解决：

其实这个问题也莫名其妙，真是说不出来为什么，估计是得详细的查看数据手册，但是还是 因为 在蓝牙的版本上面没有此类问题：

; j! P+ L( S" n: ~3 Z

所以这里还是尝试改成 以 字节 方式写入：

1. FLASH_Status  FLASH_WriteWord(uint32_t Address, uint32_t Data)
   
2. {
   
3. 
   $ I6 V/ x2 f' v- w
4.   FLASH_Status state = FLASH_COMPLETE;
   4 U6 A; M5 A  c1 b" z; q1 V* v+ k
5.   u8 i = 0;
   
6.   u8 writedata[6]={0};
   2 H6 l  g1 j3 V. N
7. 
   - P4 ?7 }7 V6 i' Z& E
8.   writedata[0] = (u8)Data;
     k% y; W  S7 a
9.   writedata[1] = (u8)(Data>>8);
   4 c  S+ n( l) ]6 ]
10.   writedata[2] = (u8)(Data>>16);
    0 R3 g$ T* v& e$ M4 g7 ~6 z" ]
11.   writedata[3] = (u8)(Data>>24);
    
12. 
    4 {3 y4 F, l3 l- e: j
13. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();  
    
14.   for(i=0; i<4; i++){
    
15.     while(HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, Address + i, writedata[i]) != HAL_OK);
    " p% O* K1 y. \
16.   }
    & W9 Y' `7 n# x7 D! y6 [
17. HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
    
18. 
      R! a5 T# r3 b& @) j% P
19. return state;
    3 T" K3 y- }* ?  b( Y
20. }

复制代码

使用此种方式写入，就不会出现问题！

其实也可以尝试修改地址，使得成为 4 的倍数，可能也不会出问题，这里就不测试了（最后问题解决有还是测试了，内存字节对齐问题）

2.4.3小结使用的芯片为  STM32L071RBT6

- q5 k# z" E9 ]# r8 S最后问题的解决

先直接说结论，就是EEPROM地址定义的问题，应该是4字节对齐（4的整数倍），读取全字的操作才能正常！

上面 STM32L071RBT6 EEPROM 读写全字问题的关键在于，存储地址的定义上，如上面一张图所示：（我在EEPROM区域定义了10个地址，用来存放无线设备的ID数据，如果是蓝牙芯片，那么ID为6个字节，如果是Enocean芯片，那么ID为4个字节，为了保持代码的统一，我在使用保存4个字节的ID数据的地址定义时候沿用的是蓝牙的 EEPROM区域定义）

那么正如我图中猜想的一样，蓝牙的 ID 6个字节，我是都是通过一个字节一个字节操作，组合起来进行的，所以一切正常。但是对于 4个字节的 ID ，期初是用的 全字的方式，就出问题了，换成一个字节一个字节的操作，看上去是解决问题了。

但是实际上多了一些隐藏问题，暂时也说不清楚，在产品使用的时候，读写ID还是会有莫名其妙的问题，最终还是对当初的这个猜想，地址是不是也需要4字节对齐？进行了修改测试，于是乎，对于 4 个字节 ID的处理，地址改成：

  v# S# n  ~: h) M+ x

把地址修改成 4  的倍数以后，上面的读取全字的两个函数便可以正常使用，而不会出上面莫名其妙的问题。

* {- ~$ Z! l% r: }- i4 u* d