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1.外部SRAM简介 本例程使用的STM32F103ZET6本身有64K字节的SRAM,一般应用已经足够;不过在一些对内存要求高的场合,比如跑算法或者GUI等,就需要外扩SRAM来满足大内存使用的需求。这里我们使用了一颗256K字节容量的SRAM芯片:IS62WV12816,利用STM32F1的FSMC控制该SRAM芯片,实现对该SRAM芯片的访问控制 IS62WV12816是ISSI公司生产的16位宽128K(128*2,即256K字节)容量的CMOS静态内存芯片,它有高速访问、低功耗、兼容TTL电平接口、全静态操作(不需要刷新和时钟电路)、三态输出和字节控制(支持高/低字节控制)等特点。IS62WV12816的引脚以及对应的引脚功能如下图示: $ a3 l1 W# I; ~
0 o% G, {; s0 e& P, D3 h) ]
A0 ~ A16为地址线,总共17根地址线(可访问2^17 = 128K字节空间);I/O0 ~ I/O15为数据线,总共16根数据线;CS1(低电平有效)和CS2(高电平有效)都是片选信号;WE为输入使能信号(写信号);OE为输出使能信号(读信号);UB和LB分别是高字节和低字节控制信号 / ]! K+ q7 b1 x. |% j* S4 M
6 b$ E) y1 x, @6 O. Q
2.硬件设计  D1指示灯用来提示系统运行状态,按键用来控制IS62WV12816数据读写,TFTLCD和串口1用来显示读写的内容 / M, E: G& N- c% f1 W- ]
D1指示灯 K_UP/K_DOWN按键. G) P& y4 [: F- J% n
USART1串口 TFTLCD
3 w8 Q3 J4 n/ BIS62WV12816
% l/ P& S4 n' c* e1 m7 x8 Y+ l. C, |7 h6 W3 @; o( `
从电路图中可以看到IS62WV12816和STM32F1的连接线路:. P6 r; E" f! s' M/ X# N- d M2 Y
A0 ~ A16连接在FSMC_A0 ~ FSMC_A16上(连接顺序可以打乱,因为地址是固定的)
& e: v" v( v4 S& U( |7 c. d) CI/O0 ~ I/O15连接在FSMC_D0 ~ FSMC_D15上(连接顺序不能打乱,否则读写数据将出错)
: R8 P* z- B' ]: N7 @UB和LB连接在FSMC_NBL1 和 FSMC_NBL0上+ N5 {" _1 S* r# ]) ?, w. C
OE和WE分别连接在FSMC_NOE 和 FSMC_NWE上3 ?1 ^- a: ?% K3 D1 q
CE连接在FSMC_NE3上
, Q! J' U) A/ Q, M, b) v
& h7 q' s) W4 b! @2 j
由于TFTLCD核SRAM共用FSMC总线,因此他们通过不同片选分时复用,互不影响 1 W8 N5 ~$ q6 E3 Y5 X, F
3.软件设计  3.1 STM32CubeMX设置 ➡️ RCC设置外接HSE,时钟设置为72M ➡️ PC0设置为GPIO推挽输出模式、上拉、高速、默认输出电平为高电平 ➡️ PA0设置为GPIO输入模式、下拉模式;PE3设置为GPIO输入模式、上拉模式 ➡️ USART1选择为异步通讯方式,波特率设置为115200Bits/s,传输数据长度为8Bit,无奇偶校验,1位停止位 ➡️ 激活FSMC ➡️ 输入工程名,选择路径(不要有中文),选择MDK-ARM V5;勾选Generated periphera initialization as a pair of ‘.c/.h’ files per IP ;点击GENERATE CODE,生成工程代码 6 o2 \3 J' Z# k8 v
由于TFTLCD使用的Bank1_sector4和SRAM使用的Bank1_sector3无法同时在CubeMX里设置分时复用,因此需要单独创建SRAM的FSMC初始化函数(可自行创建,也可另外创建一个CubeMX工程,按下图设置后将生成的相关FSMC初始化代码拷贝到当前工程源码中并稍作修改) ' `1 p( O$ V$ ?( N- ]5 r
& t; Z& H0 `, f% L: y! Y5 P& `
3.2 MDK-ARM软件编程 ➡️ 创建按键驱动文件key.c和key.h,参考按键输入例程 ➡️ 创建LCD驱动文件tftlcd.c 和tftlcd.h,参考TFTLCD显示例程 ➡️ 创建IS62WV12816芯片驱动文件sram.c和sram.h
9 K# t2 q5 @+ A' P# c4 O# } S
- #define Bank1_SRAM3_ADDR ((uint32_t)(0x68000000))//Bank1区域3的起始地址 8 ^$ A% V4 @; @
- SRAM_HandleTypeDef SRAM_Handler;//定义SRAM句柄$ X$ y Y- d8 o9 a8 P# I! d9 ~
- //SRAM的FSMC初始化函数( Z# @+ T v9 I+ V" Z# K2 x6 B9 K4 Z
- void FSMC_SRAM_Init(void){
! h, W2 V9 t% T, _/ z/ m& X) f - GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStruct;
# w4 z" S% b1 ^6 w' O9 n - FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef FSMC_ReadWriteTim;
1 e: D4 E4 P6 \ s0 K - __HAL_RCC_FSMC_CLK_ENABLE();
* q; _) \) q. k - __HAL_RCC_GPIOD_CLK_ENABLE();
+ k, _7 Y6 G n Z3 b - __HAL_RCC_GPIOE_CLK_ENABLE(); & i% h& }0 e1 Y. o& ~5 ~0 ^, ]
- __HAL_RCC_GPIOF_CLK_ENABLE(); & s4 H6 A- _6 r1 T* } c# H$ `
- __HAL_RCC_GPIOG_CLK_ENABLE(); ) p- ?: o9 D3 A' q6 _0 a* n
- GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1|GPIO_PIN_2|GPIO_PIN_3
& ]+ o. I3 P" Z1 B: Z7 D/ B - |GPIO_PIN_4|GPIO_PIN_5|GPIO_PIN_12|GPIO_PIN_13
3 x1 u5 Z5 y3 e; g4 b" o' V8 \% l - |GPIO_PIN_14|GPIO_PIN_15;
6 l% ^" s0 I2 t( ?4 D" R - GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;
3 b/ k; o3 T2 v% n - GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_HIGH;" B2 U2 Y# x, u' _! _/ w) F
- HAL_GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStruct);
" R5 }5 v: Z% O: w" ^: i: v - GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1|GPIO_PIN_2|GPIO_PIN_3
( V( g* q& E7 x, D _' D ? - |GPIO_PIN_4|GPIO_PIN_5|GPIO_PIN_10;9 s& {4 A5 J3 k% J! W
- GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;
, f; [/ Y$ E* ^ H e$ n - GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_HIGH;
2 W5 Z7 t; W/ V' @' ~. c* {: w - HAL_GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStruct);
" j, B( Q+ w% P) T - GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1|GPIO_PIN_7|GPIO_PIN_8|GPIO_PIN_9|GPIO_PIN_10 ; c1 ]! x* ?: l1 }6 F) ?
- |GPIO_PIN_11|GPIO_PIN_12|GPIO_PIN_13|GPIO_PIN_14
/ b: C; T8 |1 G- g& k - |GPIO_PIN_15;
# z7 v7 q a: ]+ m2 n - GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;7 |6 ?' A2 D3 j4 G# N/ O4 D
- GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_HIGH;3 H' Q* I8 b1 ], q8 o9 w
- HAL_GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStruct);
8 T. F9 | L. X) Y" R - GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_8|GPIO_PIN_9|GPIO_PIN_10|GPIO_PIN_11
; S' u, G2 ~' u: F - |GPIO_PIN_14|GPIO_PIN_15|GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1
! _7 ]! X8 L' a# \ - |GPIO_PIN_4|GPIO_PIN_5;
" K( U6 @0 C7 `9 l" p' X6 I - GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;5 ?1 O; t. r$ u" D
- GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_HIGH; e9 `, [/ [0 C2 h
- HAL_GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStruct);
0 n: s* l# H" [4 C) V5 z -
4 ]8 d4 K1 W9 {8 [ - SRAM_Handler.Instance=FSMC_NORSRAM_DEVICE; 1 [6 O4 n% E- `* D
- SRAM_Handler.Extended=FSMC_NORSRAM_EXTENDED_DEVICE;
5 S) H% D6 S/ x - SRAM_Handler.Init.NSBank=FSMC_NORSRAM_BANK3; //使用NE33 i7 J( i1 D/ t$ G6 z
- SRAM_Handler.Init.DataAddressMux=FSMC_DATA_ADDRESS_MUX_DISABLE;//地址/数据线不复用9 j# D& {# j; {7 h7 y& X' G
- SRAM_Handler.Init.MemoryType=FSMC_MEMORY_TYPE_SRAM; //SRAM
* t8 O! k1 h. _- `1 H$ v - SRAM_Handler.Init.MemoryDataWidth=FSMC_NORSRAM_MEM_BUS_WIDTH_16;//16位数据宽度: Y$ d8 ^& o8 | g2 n. H, A" l
- SRAM_Handler.Init.BurstAccessMode=FSMC_BURST_ACCESS_MODE_DISABLE;//不使能突发访问 ~* j% m, \+ A. z. _7 F
- SRAM_Handler.Init.WaitSignalPolarity=FSMC_WAIT_SIGNAL_POLARITY_LOW;//等待信号的极性(突发模式)3 q, J4 O! Q: Y$ R6 S
- SRAM_Handler.Init.WaitSignalActive=FSMC_WAIT_TIMING_BEFORE_WS; ; v) f1 w9 I& V- }" U; a8 _2 D) r/ Y% P
- SRAM_Handler.Init.WriteOperation=FSMC_WRITE_OPERATION_ENABLE; //写使能
9 R P$ ~. R) A3 @5 p# L/ h - SRAM_Handler.Init.WaitSignal=FSMC_WAIT_SIGNAL_DISABLE; " @+ N& j7 h) |% V
- SRAM_Handler.Init.ExtendedMode=FSMC_EXTENDED_MODE_DISABLE; //读写使用相同的时序
2 x* [' z+ d- _. D6 H6 { - SRAM_Handler.Init.AsynchronousWait=FSMC_ASYNCHRONOUS_WAIT_DISABLE;# L$ b! C5 G ]$ o
- SRAM_Handler.Init.WriteBurst=FSMC_WRITE_BURST_DISABLE; //禁止突发写
* Q- ?2 ~+ d3 N7 x% n7 j# {1 f - //FSMC读时序控制器" ~, @& b w$ } T9 ^/ d
- FSMC_ReadWriteTim.AddressSetupTime=0x00; //地址建立时间(ADDSET)为1个HCLK/ D0 f: ?2 R5 M7 D2 C6 X& I
- FSMC_ReadWriteTim.AddressHoldTime=0x00; //地址保持时间(ADDHLD)模式A未用到& B" w4 u% E: C% u' f. B
- FSMC_ReadWriteTim.DataSetupTime=0x08; //数据保持时间(DATAST)为9个HCLK/ y6 l9 _" Q9 A0 ?9 [
- FSMC_ReadWriteTim.BusTurnAroundDuration=0X00;5 l3 o% C0 h5 A6 e& J
- FSMC_ReadWriteTim.AccessMode=FSMC_ACCESS_MODE_A;//模式A
+ x8 c4 h) _7 _' l- I& a& Y0 ? - HAL_SRAM_Init(&SRAM_Handler,&FSMC_ReadWriteTim,&FSMC_ReadWriteTim); 9 N- ~# s/ ~4 p, v9 A i
- }4 c' T S' D- X) j8 M$ g3 o3 M' ?
- //n向指定地址写数据
6 f/ s' H! p- `) G8 T( X - void FSMC_SRAM_WriteBuffer(uint8_t *pBuffer,uint32_t WriteAddr,uint32_t n){0 b1 d# R3 E" ]# M b. Y& H
- for(;n!=0;n--){ // n表示要连续写入的字节个数( S9 A/ z6 Z+ h$ v3 \' y
- *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR + WriteAddr) = *pBuffer;
, o; f# e8 U+ o2 Z+ o - WriteAddr++; //要写入的地址; J* U% e* |1 B) d( ^* {
- pBuffer++; //要写入的数据的指针
4 @( d( n7 [& [% Y7 d6 { - }4 F+ k$ [' G% @$ b
- }
3 j$ Q" t* D0 h - //从指定地址读数据 o5 E/ U+ }( |5 n- u8 ~- K
- void FSMC_SRAM_ReadBuffer(uint8_t *pBuffer,uint32_t ReadAddr,uint32_t n){+ A( k8 X+ |' D" I/ c% k L
- for(;n!=0;n--){ // n表示要连续读出的字节个数) z( e- Y1 P( o7 z
- *pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);//存放读出的数据' x# S' D. M$ g/ N7 |; }
- ReadAddr++; //要读出的起始地址9 t: q6 ~2 D2 z6 b; y; e8 L8 d
- }
0 P& Y0 m# [* ^ - }2 f3 T+ V" }% |0 N# P/ [6 R, g2 D
- //
! q7 u) W U* x, i! T; c+ i; K - void ExSRAM_Cap_Test(uint16_t x,uint16_t y){+ p. f: }& a3 C
- uint8_t writeData = 0xf0, readData;
4 y8 t( {) |- O6 w3 j4 V2 Y1 L - uint16_t cap=0;( h, ^0 O+ J0 J* ?+ W
- uint32_t addr;
7 J( j. Z7 }& a. E& Y- Q" ] - addr = 1024; //从1KB位置开始计算 $ C) h3 H s5 t8 w$ ^4 r* K$ v) r
- LCD_ShowString(x,y,239,y+16,16,"ExSRAM Cap: 0KB"); 8 R M. }( k$ \4 P! P( G8 T
- ( @/ p! l" n( P5 t
- while(1){& T" O! }. J% ~# _- Q5 S
- FSMC_SRAM_WriteBuffer(&writeData, addr, 1);
% y! r3 \5 Z0 T# o0 _6 M% a& ^' { - FSMC_SRAM_ReadBuffer(&readData,addr,1);- S5 N' X# B* |; [
-
# `: D' o- B D/ B - if(readData == writeData){//检查读出的数据是否与写入的数据一样
8 N% g: q g6 @6 M0 k/ g( n - cap++; //如果相同表示写入/读出成功,容量加1(单位KB)
' {6 h+ w/ G( l - addr += 1024; //地址加1024/ r+ [$ u" r _. u |4 S* T
- readData = 0;
. w0 g- w" K1 e& N: T - if(addr > 256 * 1024)//IS62WV12816的容量为256KB% F% z* d! `* F: Y) @' ?
- break;
, z* s5 D0 {5 M Q - }
+ G/ }! }: }6 x - else
( m+ j; X( o# a# v' w - break; 5 [5 C6 a/ S% l+ E9 z
- }
3 Y( K7 n( x. k2 n - LCD_ShowxNum(x+11*8,y,cap,4,16,0);//LCD上显示内存容量
: w4 ]+ @- R" ?4 u0 {" r: Q - printf("SRAM Menmory Size:%dKB\r\n",cap);& K |0 L3 a( y
- }
复制代码
$ U3 _& ~' |% D& j8 u* q7 V➡️ 在main.c文件下编写SRAM测试代码 , T* x y5 g2 l- \9 Z
- int main(void){
& m+ a) C5 m, I! \7 a - /* USER CODE BEGIN 1 */
6 Z# b* A$ t" X v Y% y - uint8_t key;
+ s$ s5 U6 O5 y6 f c' g+ X - uint8_t text_buf[] = "This is SRAM testing...";
! m& s+ d5 `% u - uint8_t textlen = sizeof(text_buf);" u. N, v3 Z' T; F' i# \1 e& e j
- uint8_t read_buf[textlen];
+ K4 H) @1 V7 N( ~. A - /* USER CODE END 1 */' B$ X& X: G" M! v
- HAL_Init();2 C& L$ o- D' g4 D/ D7 v0 \5 \
- SystemClock_Config();1 S! i+ v9 N$ a/ |% e& _
- MX_GPIO_Init();( h, }5 o; ]! f& J
- MX_FSMC_Init();! ~8 ^/ l& m6 q$ R$ E
- MX_USART1_UART_Init();- K3 [8 G" f% H- d0 E* Y
- /* USER CODE BEGIN 2 */1 S$ f( m. ?9 n6 B* N q$ j4 m& l
- TFTLCD_Init();
# Q' D, Q. G& x* g& P - FSMC_SRAM_Init();
+ ], S4 w1 \; ^9 ~, S8 [ - FRONT_COLOR=BROWN;9 B$ T. G9 D% h1 ~, ?
- LCD_DrawRectangle(5,5,235,95);5 w' ]; S, C" k/ _# a; L5 v; V
- FRONT_COLOR=BLACK;& d, T: v) d) |( s5 q8 ^$ t
- LCD_ShowString(10,10,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"ANDYXI STM32F1");: ?: i) J9 ~& s/ g( y
- LCD_ShowString(10,30,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"STM32CubeMx SRAM");6 T9 G. |: z$ m! w- M i, z
- LCD_ShowString(10,50,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"ExSRAM Test");
, w* v P" I7 }5 m6 y: G - LCD_ShowString(10,70,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"K_UP:Write K_DOWN:Read");
6 M: u% |) ^9 l- I; B# o* e, T - FRONT_COLOR=RED;
. k* n; J9 R6 @) i$ y3 I! \) v% M5 \ - ExSRAM_Cap_Test(10,110);
+ F: k& [% j% B& V) Y - FRONT_COLOR=MAGENTA;) e" L& y7 X6 Q9 X( J
- LCD_ShowString(10,130,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"Write:");
, ^( {7 n* \% q$ R. h4 ] - LCD_ShowString(10,150,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"Read :"); o( w% s' g \
- /* USER CODE END 2 */
6 S: C; a: s8 v! d3 ?+ n' y - /* Infinite loop */5 F: |7 Y7 @4 _8 }& S5 w$ v8 [! n5 ?
- /* USER CODE BEGIN WHILE */
4 {& Y: M0 C2 P1 J5 Z - while(1){2 V* g' s n8 i% f1 o: c4 f
- key = KEY_Scan(0);
! U0 ~1 U, J2 K, N1 Q0 |& b - if(key == KEY_UP_PRES){ //KEY_UP按下写数据到SRAM) c( _5 x4 }8 T4 T) M. H, e
- FSMC_SRAM_WriteBuffer(text_buf,0,textlen);
) @3 ]: Y* P7 {- _6 M0 d - printf("SRAM_Write:%s\r\n",text_buf);: m/ O$ o3 A: C
- LCD_ShowString(10+6*8,130,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,(uint8_t *)text_buf);/ [; ?) k- m) p( ~- U
- }
$ O7 v: a% t& |# P* M - if(key == KEY_DOWN_PRES){ //KEY_DOWN按下从SRAM读出数据& R" e8 J, R4 f, b$ J) l
- FSMC_SRAM_ReadBuffer(read_buf,0,textlen);
5 I/ O& w3 F5 ^8 ^* [+ p - printf("SRAM_Read:%s\r\n",read_buf);
9 ~& L: r+ b: b+ D* G% {6 j - LCD_ShowString(10+6*8,150,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,read_buf);; k% v+ k3 I2 m' o4 I
- }
! H4 x9 [ F" B& K& }- ^; i - HAL_GPIO_TogglePin(GPIOC,GPIO_PIN_0);
+ w' q; H1 I5 x# r% I' Z7 F6 ?/ m- e - HAL_Delay(200);! i* B" T- H; X' J0 t
- }
$ o) t* z( ?5 O7 |# ^4 F' u - }
复制代码
- y" \- c# W. ^9 c3 h4.下载验证 7 B% M$ D% L' I4 V$ D' F
编译无误下载到开发板后,可以看到D1指示灯不断闪烁,KEY_UP按下写数据到SRAM,KEY_DOWN按下从SRAM读出数据,并将写入和读出的数据显示在LCD屏上,并通过串口1打印出来
( v" a; Y3 k6 M如有侵权请联系删除8 V3 |+ Y9 O! \, x/ h+ N+ c0 [
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