意法半导体新型快速恢复体二极管超结MOSFET技术针对要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器进行了优化。MDmeshDM9
STPOWER MOSFET的击穿电压范围600 - 650V，降低了反向恢复效应，提升了最高允许di/dt和dv/dt。
与同类竞争器件和意法半导体先前的技术相比，STPOWER MOSFET MDmesh DM9系列具有极低的通态电阻（RDS(on)）和栅电荷（Qg），术相比，帮助设计人员获得了更高的效率水平。