各位大佬，现在我这边一个项目，代码层面开启ECC监控和中断后，如何验证当真实应用环境下，Ram区或者Flash区某个位被打翻后，会正常触发中断，实现读和回写的功能呢？

通常RAM在上电的时候是随机值，这时候它的ECC 值才是对不上的。去读它们才可以触发ECC错误。
而正常操作改写RAM会同时正常的写入ECC值，基本没机会触发ECC错误。

翻到官方有个例程可以参考一下

STM32Cube_FW_H7_V1.7.0\Projects\NUCLEO-H745ZI-Q\Examples\RAMECC\RAMECC_ErrorCount

butterflyspring 发表于 2023-11-24 10:26
通常RAM在上电的时候是随机值，这时候它的ECC 值才是对不上的。去读它们才可以触发ECC错误。
而正常操作改 ...

另外按照例程RAMECC_ErrorCount可以读取未初始化的区域，但是并不能严格模拟单bit错误的情况，也就导致了下面的问题。

1.想问下STM32官网工程师，是否存在关闭ECC，严格实现单bit和双bit错误的验证，使得可以人为修改某1bit,而后可查看原始数据、经过ECC纠正的数据、以及ECC码

2.flash区ECC功能的验证，是否存在如RAMECC_ErrorCount那样的例程来指导flash区ECC功能的使用。