01概述
在 STM32 系列 MCU 中， 除了一些特殊管脚外，绝大多数管脚都可以分类为 FT (兼容5V 信号)或 TT（兼容 3V3 信号）类型的 IO，由于 MCU 内部设计的不同， TT IO 相比 5V IO 有更多的限制，下面我们将予以说明。

02 TT 和 FT IO 的结构和参数区别
4 O8 {0 E0 |' X- c. z& G. J下面我们解释 TT 和 FT IO 的不同内部结构以及因此导致的对输入电压和电流的不同限制要求。

! c1 E6 c' K2 j. A$ G
2.1. TT 和 FT IO 的结构区别
9 q, ]& `; B, \. v: P下面的图 1 描述了 TT 和 FT IO 的通用结构：

7 j5 d: [3 q+ ^0 i4 r

图1.TT/FT IO 的内部结构

2 b- f5 O/ k" }; J* O6 N2 p! o
2 L1 s% V" A$ n- BTT 和 FT IO 的内部结构在 IO 端口的保护电路 （IO 到 VSS 二极管以及 ESD 保护单元），输出 BUFFER，数字控制单元以及模拟单元都是相同的。

区别在于， 对于 FT IO 来说，从 IO 输入到模拟单元之间存在一个模拟开关，只有在软件控制相关寄存器后这个开关才会闭合. 而对 TT IO 来说， 这一模拟开关是不存在的，IO 管脚与模拟单元直接相连。
: ]6 Z+ h( P; o) W. Q" @+ w$ }
2.2. 结构不同导致对电平和电流的不同要求
4 f. J. w$ b$ S, |) d" a( i6 c  g从图 1 结构图中可以看到， 在 IO 内部的模拟单元中存在一个输入信号到 VDDA 寄生二极管和相串联的电阻，该二极管是寄生的，因此其电流能力是无法保证的，不但不能用做模拟输入信号的钳位二极管，而且还要避免任何从输入信号到 VDDA 的注入电流的产生, 否则可能导致内部相关电路的损坏。

因此对于 FT IO 的数字输入信号来说， 由于模拟开关被断开， 输入的信号即使高于VDDA 也不会导致模拟单元中寄生二极管电流的产生，在 VDD+4V 的范围内， IO 是安全的。
: `. I+ s; y2 B. x# z2 m( c
如果 FT IO 被配置为模拟输入，模拟开关闭合， 那么它就不再是兼容 5V 的 IO 了，输入信号的幅度必须小于 VDDA+0.3V。
4 f. R# u  {" a0 N0 s: ?* w
8 g' q, X; j; @) b对于 TT IO 来说，由于不存在到模拟单元的模拟开关，模拟单元的寄生二极管和 IO 口是直接相连的，因此，在任何时候都必须保证加到 TT IO 端口的信号电平小于VDDA+0.3V。

另外需要补充的是，如果 IO 输入信号可能存在负电平，尽管 TT 和 FT 类型的 IO 都在端口处设计有到 VSS 的二极管，这一二极管提供了一定的钳位保护能力，但是其通过电流能力限制在 5mA 以下。因此，外部钳位二极管通常仍然是必须的，如果不能通过外部钳位二极管将输出负电平信号限制在大于 -0.3V, 那么就需要串联限流电阻将流经二极管的负注入电流限制在 5mA 以下。

2.3. STM32 datasheet 中相关参数说明
, G4 ?3 t$ l2 }1 Q6 a$ W5 Z在 STM32 的 datasheet 中对 IO 端口的电压和注入电流的要求有限制， 以STM32G474 为例， 在 Absolute maximum ratings 章节中， IO 对输入信号电压的要求如下：

图2.IO 对输入信号电压的要求

很多人注意到了电压要求，认为只要加在 FT IO 的信号电平不超过 VDD+4V， 加在TT IO 的电平不超过 4V 都是安全的， 但是忽视了 IO 对工作电流和注入电流也有要求， 电流方面的要求也必须得到满足， 具体如下：
. l& d. u( E- ?( z! k

/ e9 I! H: L% o5 y+ }, ~# U( d

图3. IO 对电流方面的要求

) l6 J6 n; ~' c0 Q可以看到， IO 对注入电流同样有着限制，在-5mA 到 0 之间，超出这一范围仍然可能造成 IO 的损坏。

对于 STM32 的使用来说， 电平和电流方面的限制必须都得到满足。
7 G! \" T& @7 H; x1 x" o* j! Y
03 TT IO 的注意事项
2 E9 i; _/ [9 \* x2 z' c
使用者对加在 IO 的电平幅度限制一般都能遵守，但是对于 IO 电流特别是注入电流的严格限制往往被一些使用者忽视，然而实际上， IO 对注入电流的限制往往对加在 IO 管脚的信号电平提出了更高的要求。
1 Q" E4 t9 Z  {  J) r* {
对于 FT 类型 IO 来说， 只要信号电压在使用的合理范围内，正的注入电流是不可能产生的。

2 D2 o9 J: u/ K9 m4 |% }' [9 M4 q对于 TT 类型 IO 来说， 超过 VDDA+0.3V 的信号电压都有可能产生 大于 0mA 的正向注入电流，这个电流流过芯片内部参数没有保证的模拟单元寄生二极管，从而可能导致电路损伤。
2 n1 H) C* h2 m, l) N/ M0 Y  ^6 |
因此对 TT IO 的电平 小于 VDDA+0.3V 的限制在任何场景下都必须满足。
3 i& Z7 a1 {- X; a
( O) m& `( C: c8 ^  ~: e一个常被忽视的场景是系统上电时， 在 STM32 的供电系统还没有建立时， STM32 的IO 信号已经加在了 IO 管脚，例如某些电源或电机应用中对母线电压的检测，通常用分压电阻将母线电压分在 1V~2V 之间后连接到 STM32 的某一 ADC 采样输入 IO，通常这一分压电压到达 IO 比 VDD 建立更早。如果这一 IO 是 FT 类型的， 那么 IO 的信号电平始终能满足 小于 VDD+4V 的要求， 不管 VDD=0V 或 3V3。但是假如这一信号所接的是 TT 类型的 IO， 那么在 VDD=0 或低电平时， 母线电压分压后的电平将超过 VDDA+0.3V 的限制，带来芯片损坏的可能。

- ~2 v( u4 `1 u为了避免 TT IO 损坏，在系统上电，下电或工作的整个过程中， 必须始终满足 TT IO 端口电平 小于 VDDA+0.3V 的要求. 当 TT IO 的信号电平可能超过 VDDA+0.3V 时， 钳位保护电路是必须的。

1 f5 b/ y1 [- ^; \0 A在上述母线电压检测的案例中， 如果这一检测管脚不得不使用 TT IO， 那么一个从信号到 VDDA （或同电位的其它电源）的钳位二极管将可以防止 VDD=0 等场景下信号电平超范围的可能。
" D, P* t) `) J5 N, t; u- p. S
* o0 G4 q& J9 y04小结
1 e. |5 f- \* g在 IO 管脚的使用中， 电平限制和电流包括注入电流的限制必须同时得到满足。
$ C+ w0 [; J: l5 ~) T( \0 C
) F; i/ U- ?3 A, aTT IO 由于内部结构的原因，更容易产生正的注入电流而给 IO 带来损坏。注入电流的限制给 IO 端口的信号电平带来了更严格的要求。
6 ?, y) ?& @2 [# ]+ U4 b
7 o) p5 `: S0 f; I  l- n在使用中， 必须考虑信号电平的时序，确保在任何场景下 TT IO 的信号电平满足小于VDDA+0.3V 的要求, 必要时可以通过钳位电路来达到这一目的。
5 m! G9 \3 k% |- u* b" g+ O
1 \5 I. ~+ P" U, {# z转载自： STM32单片机
如有侵权请联系删除

5 U% _2 y3 p5 q* S
  r% {4 m( z0 y+ S4 |8 ]5 {  ?
/ l1 m8 l2 |+ z# {5 L5 i3 u! D' N