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请问下各位大佬,stm32的外部中断(下降沿或者上升沿触发)能够采样到的边沿是否有具体要求,我在spec里面只看到说能采样到比主频短的脉冲,但是对边沿的时间没有具体的表述,比如能采到多快的下降沿?或者说外部中断的采样机制是电平采样,再GPIO CLK的边沿对电平采样来判断边沿是否变化? 再F1的手册里面看到有要求,但是在G0里面没看到
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int 与 float 之间的转换
ECK10-135A5M5M-I的开发板,烧录官方提供的nandflash镜像,结果起不来
有关STM32H743ZGT6 驱动RTL8201F-VB芯片驱动的问题,有奖寻求帮助
STM32H5入门级DEMO板,NUCLEO-H503RB(Flash 128K,LQFP64封装)-ST中文论坛首帖
STM32G030x6/x8被淋雨进水了但未通电,风险如何?怎么处理?
20GQCDR 请问这个是用在哪里的,各位大神帮忙看看,什么类型的,丝印是1242688
关于手动移植RTOS的问题,在基于HAL生成的工程上。xPortSysTickHandler()会影响外部晶振的时钟初始化,进入硬件故障处理函数,HSI没问题
春节活动的奖品到了,拿到了L152的板子,怪好看的
使用单片机的USB PD功能时,初始化一直出错。
春节活动的中奖名单,各位坛友请查收
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不过这个芯片主频最大64M,那么检测的频率也不应该再快多少,否则速率也跟不上,实际应用没有什么意义了。
好吧,谢谢大佬
大佬,想再请教一个问题,这颗芯片主频64M的,理论上采一个间隔4ms,脉冲宽度40ns的脉冲是没问题的吧?
我的理解是GPIO的clk频率是APB时钟的频率,40ns是2个时钟周期以上,理论上应该能够采到