STM32H743IIT6驱动外扩SDRAM芯片热启动能成功,冷启动失败
STM32H743IIT6驱动RGB液晶屏显示红,绿,蓝三色显示都偏暗
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STM32H7电源问题
STM32 用主从定时器方式实现DSP QEP模块的QCTMR功能,异常
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STM32H725内部FLASH读写问题
我在使用STM32H747IGT6的时候,遇到了一个问题;上电前并未短路,上电后电流跳跃至1.6A,且不断增大至1.9A,断开电源后芯片不短路,请问是什么原因?
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自己顶下
如果用IO 翻转+示波器测量会导致很大的误差,因为IO 翻转会比较慢。
如果触发的运行代码在外部FLASH,那么取代码最好放在内部RAM中。
中断嵌套的话,肯定有最高优先级打断DMA中断的可能。
pwm的比较值触发DMA。进入中断后读取当前PWM的计数值,计数值减PWM比较值,计算出DMA中断的响应时间,目前DMA中断优先级最高。代码已经全部在RAM中运行。
H750刚开始用,不是很熟悉,能想到原因:
1.DMA中断是从另外一个低级别中断跳转过来,导致时间变慢
2.中断向量地址是不是存放到外部Flash中,导致时间变慢
另外,我单独只开了一个定时器(时钟240M)中断,进入中断后读取定时器计数值,开cache优化计数值10~300跳变,关cache优化计数值稳定在200多