应用手册的公式里用到TS_CAL1、TS_CAL2两个校准值。

但数据手册里只有TS_CAL1的地址。

只用TS_CAL1做了个算法，在室温时出值还行，一致性也可以。

但温度范围测试，60℃~﹣20℃，测量值和实际温度相差会变大。超过了5℃。

估计是因为斜率直接用的典型值。但是只有一个校准值，斜率好像算不出来吧？

从手册上来看，STM32G030针对片内温度传感器，只给了30℃下的一个参考值。


这里提醒你一点：该值是在参考电压为3.0v下测得的，你在引用


该值时，如果你当前使用的参考电压不是3V的话，要做下换算。在计算时要统一到一个


参考电压下转换值后进行。


至于斜率，在数据手册里的TS characteristics表格里也给出来了，选个典型值来用吧。


本来就不是做绝对温度测量的，一般用于测算温度变化的。

1. 首先内置传感器与外部隔着较低系数的散热材料。


2. 芯片工作时不同的工作条件本身发热也是不同的。

所以该传感器测量芯片自己的温升是比较合适的，测量外部环境必然存在一定的误差。

xmshao 发表于 2024-7-5 17:21
从手册上来看，STM32G030针对片内温度传感器，只给了30℃下的一个参考值。</p>
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嗯，那就只能凑合着用了，好在用于过温保护，精度要求不高。

butterflyspring 发表于 2024-7-5 20:26</p>
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<li>首先内置传感器与外部隔着较低系数的散热材料。</li>
</ol>
<p>

估计是这样了，断电好一会（＞20分钟）然后上电，示值会在短时间（＜10秒）上升2、3℃，然后稳定。断电时间短（小于3分钟），再上电示值几乎不变化。板子上并没有启用什么外围，只可能是芯片内部温升导致的了。

这个只能测量片子本身或附件的一个温度，不能作为“室温”测量元件。

我也这么用过，不行!!!

除非你的STM是80%以上时间休眠，醒来的时候先测量以下温度，执行小任务，然后继续休眠，这样芯片平均功耗很低，温升基本不影响“环境”的测量，否则，这个想法有问题。