在调试阶段修改外部RAM当作FLASH使用的可行性

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lugl 提问时间：2024-8-8 09:42 / 已解决

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我在调试STM32H7S-DK时烧写外部的FLASH特别慢，想把外部RAM当用FLASH来使用。我想按照下面的ld文件修改，不知道可否行得通：

赞收藏评论5 发布时间：2024-8-8 09:42

5个回答

lugl 最优答案回答时间：2024-8-8 10:44:01

xmshao 发表于 2024-8-8 10:30
将程序放在RAM进行调试是可行的，跟芯片没有太大关系。</p>
<p>

除了改ld还需要修改其它的地方才能正常运行吗？

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xmshao 回答时间：2024-8-8 10:30:34

将程序放在RAM进行调试是可行的，跟芯片没有太大关系。

相关操作可以参考其它STM32系列的相关文章，这类分享文章网上较多。

基本点就是注意连接文件的修改、VTOR的修改，还有就是BOOT配置。

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xmshao 回答时间：2024-8-8 13:40:34

我刚才比较了之前H743/H750芯片跟你手上的H7S芯片，在这块还有诸多不同，看来不能完全沿用之前的老做法了。

这款新的H7RS芯片优势就是支持load and run模式，即可以把代码加载到内部或外部RAM，在RAM中跑代码。

你先参考这个库例程消化消化。

\STM32Cube\Repository\STM32Cube_FW_H7RS_V1.1.0\Projects\STM32H7S78-DK\Templates\Template_LRUN

这个Demo也是基于cubemx创建的。东西比较新，一起学习吧。

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