意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器，非常适合各种应用。在确保安全控制方面，STGAP系列隔离栅极驱动器作为优选解决方案，在输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间提供电气隔离，确保无缝集成和优质性能

服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（简称ST）宣布，与聚焦于碳化硅（SiC）半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作，为致瞻科技电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供意法半导体第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术。采用高能效的控制器可为新能源汽车带来诸多益处，以动力电池容量60kWh~90kWh的中型电动汽车为例，续航里程可延长5到10公里，在夏冬两季的效果尤为明显。

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新推出的STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效，相关参数十分出色，例如，饱和电压 Vce(sat)很低，确保器件在导通状态下耗散功率很低。续流二极管的压降很低，关断电能得到优化，让工作频率16kHz 至 60kHz 的单开关准谐振转换器具有更高的能效。

利用VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100以及高达100 W的输出功率，增强GAN的可及性

意法半导体高性能模拟器件在运算放大器、接口、DCDC和LDO等领域，在自动化、工业、电源和汽车需求中发挥着不可或缺的作用。

意法半导体（ST）具备从低功率至高功率完整的无线充电PTx和RTx方案。可以满足不同功率段无线充电的需求。本次演讲将介绍ST无线充电PTx至RTx如何在实际项目中设计导入，并介绍无线充电设计过程中需要注意的事项。帮助用户了解如何采用ST的无线充电方案，更快，更有效地实现系统应用。

意法半导体(简称ST)宣布，两款USB 供电 (USB PD) 扩展功率范围 (EPR) 芯片获得USB-IF(USB开发者论坛)认证。这两款芯片分别用于电源/充电器的适配器端(供电)和设备端(受电)，将通用充电器的输出功率范围扩展到140W

氮化镓功率器件作为第三代半导体的重要组成部分，其功率产品应用日趋广泛，从体积小巧的便携式快充充电器到紧凑型大功率高性能电源(如OBC, 光伏微型逆变器，通信电源，服务器，高效率电机驱动器)等都有其应用价值。同时对氮化镓的研发和应用也带来了新的挑战性。

电池供电的大量应用促使降压芯片往高压大电流发展，L3751是一款75V输入的降压控制器，其具体参数，功能和典型应用都会在这里详细介绍。 隔离降压的需求也是越来越多，可以一起来看看我们有哪些具体的方案。

引领创新，ST意法半导体积极布局第三代半导体技术，稳步推进第三代半导体特别是氮化镓GaN技术在快充产品中的应用。借助ST在电源转换控制领域多年的积累，结合最新的氮化镓GaN技术，为您带来新一代快充及大功率辅助电源的完整解决方案。

ST 22KW OBC & 3KW DC-DC combo system 解决方案

ST 专注无线充电技术的研究与产品开发，致力于无线充电技术创新与能效提升。公司具备完整的无线充电Tx，Rx解决方案，产品广泛应用于消费电子领域，工业领域，医疗领域，汽车领域等。作为WPC标准委员会的成员之一，ST始终致力于为客户提供高品质，高效率，高标准的解决方案，持续改善用户体验。

意法半导体推出具超强散热能力的车规级表贴功率器件封装ACEPACK SMIT

本次网络研讨会介绍CAN总线的基础知识，特别是在汽车应用，解释保护器件的重要性，以及ST的ESDCAN系列如何解决这个问题。同时我们将深入研究保护质量的标准及ST可提供的工具和材料来选择合适的ESDCAN。

意法半导体推出40V STripFET F8 MOSFET晶体管，具备更好的节能降噪特性

欢迎注册参加“ST适用于全新 USB4 和 HDMI 2.1 标准的10.7GHz带宽共模滤波器”在线研讨会

TCPP02-M18，为尚未设计的产品创建快速而强大的USB-C充电器

意法半导体高带宽共模滤波器确保千兆串口信号完整性

中国是全球最大的家电生产国与消费国。随着2021年“碳达峰”和“碳中和”目标的提出，向智能家居、智能建筑和智能工业转型的趋势愈发明显，以应对“绿色经济”对这些行业带来的挑战。