如题 ,仿真测试来看,如果只使用flash的最后一页存储用户自己的数据,可以随时擦写,flash状态寄存器的cfgbsy位不会置位;但是如果初始化了TIM1_CH4的PWM后flash状态寄存器的cfgbsy位置位,后面就不能再擦写flash了,请问这个可能是什么原因呢? |
通常使能PWM都会有中断,试试将中断禁止掉,看看写FLASH是否正常。 |
哥们 这个问题解决了吗 |
用stm32cubeide生成的STM32G030F6P6代码只要一开中断,任何中断程序都会跑飞.
STM32G0B1CBT6 双Bank升级,运行Bank2上Flash不能写问题
有关STM32G0B1RET6芯片FLASH擦除问题
STM32G030烧录程序
Stm32G071 i2c slave配置问题
STM32G030 不能下载程序 0xFFFF0040
STM32G0是否支持trace?
哪位大佬有STM32G030C8T6中文参考手册
mos电源开关控制电路
stm32G0B1RCT6在串口快速收发时导致中断服务函数无法进入