STM32G0B1CCT6是相对比较新的MCU，属于G系列，不支持标准库，所以下文用的是hal库或者ll库。

1 \  l8 @' E& Y' z0 O+ g4 D
1 ~+ A$ O& U$ t. _, ]首先STM32G0B1CCT6是有256kflash的，每页2k，而规格书里面只提到0-63page，相当于128kflash。
对于后128k的flash其实需要切换bank2才能使用。
2 z- Q8 ^+ _$ S- ]( O: e# Q. O下图为STM32G0B1CCT6的flash构成

  |# z# R% t0 G* r. D: ]$ Y! o( J
% o% M( m0 _, S7 G; z% D# h然后我们先看正常如果要擦除第一页的代码

1. FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
   , Y- Y8 i0 f" Y9 B4 M( }9 f
2. uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
   / `5 r) N  e1 E+ B" y$ s
3. 
   " f0 V' s4 U  w$ q+ s0 d" O+ E4 _
4. HAL_FLASH_Unlock();
   
5. 
     U0 {4 Y3 Y' b; R( B/ a5 Y
6. My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //标明Flash执行页面只做擦除操作
   4 Q- X0 O6 a2 \' j
7. My_Flash.Page = 0; //声明要擦除的页
   * P9 K- C% q% O# u
8. My_Flash.NbPages = 1; //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
   
9. My_Flash.Banks = FLASH_BANK_1;
   
10. 
    
11. //调用擦除函数
    4 ~+ C  x. c1 P7 w0 P! u
12. if(HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError) == HAL_OK)
    1 C; q) W( \( D7 u  y( M6 E6 C
13. {
    6 i! t) t+ p* S0 b
14. //3、对FLASH烧写
    + B; E1 P/ w% L' Z3 d& e
15. //MEM_WRITE(FLASH_SYSTEM_DATA_ADDR, buf, 5);
    
16. }
    
17. //4、锁住FLASH
    
18. HAL_FLASH_Lock();

复制代码

+ T7 T' j) V- T0 ^当我们要擦除后128k的第一页的时候，即第64页时，需要把FLASH_BANK_1切换到FLASH_BANK_2
不能直接在FLASH_BANK_1声明擦除第64页，切换到FLASH_BANK_2后，相应的页数为总页数减64页。
# i( P5 o  \! \" p+ j

1. FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
   
2. uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
   ' t1 X5 @/ N! ]3 n
3. 
   
4. HAL_FLASH_Unlock();
   % z# ]* Z: O' t
5. 
   3 A' b7 Y5 f, {
6. My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //标明Flash执行页面只做擦除操作
   
7. My_Flash.Page = 0; //声明要擦除的页
   
8. My_Flash.NbPages = 1; //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
   # z1 S% |% a) k! H$ U- ]+ S
9. My_Flash.Banks = FLASH_BANK_2;
   
10. 
    
11. //调用擦除函数
    
12. if(HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError) == HAL_OK)
    
13. {
    
14. //3、对FLASH烧写
    # q" ^# a7 {9 U; `- z5 _
15. //MEM_WRITE(FLASH_SYSTEM_DATA_ADDR, buf, 5);
    
16. }
    
17. //4、锁住FLASH
    
18. HAL_FLASH_Lock();

复制代码

4 |4 o7 A4 e, M. s% R, f: Z( @最后再附上一个ST-programmer和iar的一个小bug。我将这些问题均已反馈到原厂了。
2 C' @# D$ @7 {6 \3 V9 r! M$ h1、如果ST-programmer要单独擦除后128k是擦除失败的，因为软件本身没有切换bank2
0 T; o* Z& {9 k$ b# Z- U2、IAR烧录时该次使用到了后128k，则也是擦除失败导致烧录失败。第一次烧录成功，但是从第二次开始需要擦除到相应flash时，擦除失败就无法下载了（keil应该也是一样）
4 b) ?# n1 a/ R1 ^