Ⅰ、概述
: }' w* n! V+ ~关于数据的储存，我觉得编程的人基本上都会使用到，只是看你储存在哪里。STM32的芯片内部FLASH都是可以进行编程的，也就是说可以拿来储存数据。但是，很多做一些小应用程序开发的人都没有利用好这个功能，而是单独外接一个EEPROM或者FLASH，我觉得有些情况下（小数据、不常改动）这是对资源的一种极大浪费。

' {1 L% l* z6 W2 p0 g. q/ I关于使用内部FLASH进行编程，网上也有很多人这么说：1、内部FLASH的读写次数有限；2、内部FLASH会破坏程序。这些说法确实存在一定道理，对于次数，10W次，我想这个次数除非你经常写FLASH，正常情况下你打不到这个值。对于破坏程序，如果你编程严谨，这个不是问题。综上，我觉得这些都不是担心的问题，只要你用心编好程，这样就能利用好资源。

& H: e' S9 i. r3 @1 N举一个存在的例子，我三年前在STM32F1上面开发了两个产品（已经投入使用），储存的数据量一个差不多在6K左右，每使用一次，读写的次数差不多在5-10次左右，但是该产品至今还未因FLASH而出现过问题。所以说，利用好资源也是作为一位软件工程师需要考虑的。
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提示：为了安全起见，写的次数最好做一个预估，储存的地址最和程序存在一定的距离。
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! K1 t3 U2 x* \+ e
$ Z7 U% V% {9 w% Q9 X. L# e: X! oⅡ、下载
% k7 J( K' W; r' o! z# m
; }0 f$ P! ~8 n  k9 |" [文章提供的“软件工程”都是在硬件板子上进行多次测试、并保证没问题才上传至360云盘，请放心下载测试，如有问题请检查一下你的板子是否有问题。

ST标准外设库和参考手册、数据手册等都可以在ST官网下载，你也可以到我的360云盘下载。关于F0系列芯片的参考手册有多个版本（针对F0不同芯片），但有一个通用版本，就是“STM32F0x128参考手册V8(英文)2015-07”建议参考该手册，以后如果你换用一种型号芯片也方便了解。

( D. E: X. U8 Q( R3 SⅢ、准备工作

对于内部FLASH的编程，建议大家准备F0的参考手册和数据手册，方便查阅相关知识，没有的请到ST官网或到我360云盘下载。

# _+ h7 |' w- O$ z) K7 \2 i. P今天总结的软件工程是基于“TIM基本延时配置详细过程”修改而来，因此需要将该软件工程下载准备好。我每次都是提供整理好的软件工程供大家下载，但是，如果你是一位学习者，建议自己亲手一步一步操作：打开工程-> 新建文件(flash.c  flash.h) ->添加相关文件到工程中 ->添加源代码。

& s; A, d7 U& ?Ⅳ、FLASH编程说明
2 {8 Q) E1 c  B" ]
% f* P. w$ a1 T: M) aSTM32F0系列芯片中页的大小都是规则的，也就是说都是1K或许2K大小（如图：F0_FLASH），学过其他系列芯片的人可能知道，在其他很多芯片中也有不是规则的，如F2、F4中基本都不是规则的（如图：F4_FLASH），有的一块16K、128K等不规则。这样的芯片对于今天提供的工程就不适用，今天提供工程适用于内部FLASH规则大小的芯片。

, l4 h- a  |) N9 Q/ X6 _图：F0_FLASH

图：F4_FLASH
) \  \7 N/ O( d( @
$ C# r& G( ^5 x/ }Ⅴ、代码描述

工程概要说明： 提供工程的源代码主要就是两个接口，一个写，一个读。
# C7 ^2 y0 T7 _$ l$ i3 S  }3 Q
void FLASH_WriteNWord(uint16_t* pBuffer, uint32_t WriteAddr, uint16_t nWord);
, L& r$ |4 z' R* h' Q1 ]
: W# q: I0 A6 ^  T8 ^void FLASH_ReadNWord(uint16_t* pBuffer, uint32_t ReadAddr, uint16_t nWord);

2 a. N- s5 l- `相信经常编程的人都明白函数接口的意思（我的命名规则还是算比较人性化的），就是和常见的访问外部FLASH一样，不会覆盖数据，我已经在实际工作中应用而且商业化了。

8 Z& ~3 O) L3 R主要在地址“ADDR”处写一个标志位，在地址“ADDR + 1”连续写一串数据。如果标志位已经是“写过”，则不会再次写入数据，只会读取数据，意思就是说数据只写一次，以后每次只是读取数据（就是保证掉电后数据会不会丢失）。每次读取数据，通过串口打印出以前写入的数据是否正确。

" |* d: A0 C/ h7 r# t; K- `4 ?  @* N提供的工程以简单为原则，详细中文注释，方便自己方便大家。

①读函数接口
7 p4 t/ z. U& x% w$ b

5 E1 F: B! t  V0 p1 b该函数位于flash.c文件下面；

0 y* r' B1 J2 W# Y6 n这个函数接口比较简单，直接地址读数据。

注意：
* O$ @; U% \7 d( l
- \$ M  q  R5 n4 I! O: l0 N1 M/ {1 AA.参数pBuffer是数据缓冲区，是16位的，而不是8位的。（其实这里可以整理为8位的，由于时间有限，后期整理一下）。

B.参数长度也是16位的数量。

& `- [' P5 ~; ?0 j  N# d/ KC.地址是内部FLASH地址，可别溢出了，也别和程序储存地址冲突。最好看看你的程序大小及芯片容量。
( c& t, p) S. D3 o

②写函数接口
* i- O' p" K2 }9 H, M% \
) k* Z9 Q- x! I. L7 [. b* J

2 K1 Q+ e" y  ~* c2 b

2 N" X$ {# _$ W% ?& ^( O. s
* Y. m& d* w" H: l: y 该函数位于flash.c文件下面；

这个函数接口FLASH_WriteNWord才是本文的重点，原因在于这里的写不会破坏其它数据（哪怕是临近地址），这个函数接口是比较现成的，也就是应用级的接口。经过我大量测试和项目开发，暂未发现bug。
! @6 q* e1 I9 z% e! W% r- w
③重点

) r( G* _  j1 U9 U3 K. rA.页的大小：STM32F0因芯片型号差异请注意页的大小，我在程序中用一个宏来定义也的大小。
. b  x+ K) {9 G/ ?3 q9 [1 d
Ⅵ、说明

或许你硬件芯片不是提供工程里面的芯片，但是STM32F0的芯片软件兼容性很好，可以适用于F0其他很多型号的芯片，甚至是F2、F4等芯片上（具体请看手册、或者亲自测试）。

  A8 [/ ?. k& G( e本文章提供的软件工程是基于ST标准外设库为基础建立而成，而非使用STM32CubeMX建立工程。个人觉得使用ST的标准外设库适合与学习者，STM32CubeMX建立工程结构复杂，对于学习者，特别是初学者估计会头疼。

今天的工程是基于工程“STM32F0xx_TIM基本延时配置详细过程”修改而来，以上实例总结仅供参考，若有不对之处，敬请谅解。

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