一、存储器映射
8 Q/ ?0 n6 I) [+ e- e2 D6 H" m
       1、统一编址，程序存储器、数据存储器、外设寄存器组织在一个4GB的地址空间。

, _! _: P1 _. U5 J% N- l       2、小端格式

       3、映像（stm32f107,256KB产品）

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可以看到，所谓的256KB闪存，是指主存储，片上FLASH如下图所示：

9 c# e, i1 \3 J/ H0 |# c% L
7 ^9 T6 V6 N3 S6 _8 p3 n介绍了片上的资源后，来看他们的地址映像。芯片将4GB的空间，划分为8个512MB的块（block），这些块有些是整块不用的，芯片对地址的安排可以参考数据手册，memory mapping章节中的那个图。只有block1、2、3、7是使用的。
) q3 {+ S. u1 C* x, a3 L
, G+ w+ x$ d" K6 |4 t# a5 r) z地址中block7是核内的外设对应的地址，block2是其他外设对应的地址。block1的低地址64KB是片上SRAM，block0则如下图

option bytes即是选项字节；system memory就是系统存储，也即片上ROM；这两部分就是所谓信息块。Flash就是指主存储，有256KB。
0 j5 P: m$ L- D' j再往下看alias to flash or system memory.....这个区域256KB就是启动开始的区域。这个区域并没有一个自己的存储器，只是根据BOOT0、BOOT1的接法来选择哪个存储器映射到这个地址上。如下图

& C( A) B$ f5 p
选择用户闪存启动，是典型的做法；选择系统存储器，则在ST烧写进去的自举程序引导下，通过USART1下载程序；选择从SRAM执行代码则方便调试，比较快。

& [8 ~  `" S! Z/ z二、复位

, P& b4 _6 X5 z( h0 NCM3将复位视作异常，优先级最高的异常。

stm32f1有三种复位：系统复位、电源复位、备份区复位。

前两种是真正的复位，对他的响应由硬件完成，这个响应对软件流的影响是这样的：程序指针指向0x0000 0004，这个单元存储的是复位服务子程序（或者汇编叫子过程），同时从0x0000 0000获取堆栈顶的地址。不同的复位类型还有对其他寄存的不同复位方式，这就完成了复位。而备份区复位则不然，The backup domain has two specific resets that affect only the backup domain（参考手册6.1 reset章节）

7 C- c, ~3 L+ t4 R) C5 w5 ?# H          零地址存放的是堆栈顶的地址，之后就是以Reset_Handler打头的向量表。
4 g7 A3 w  G& K# J- v, h
          上面所说的向量表的存储从零地址开始，这是缺省的情况，可以通过NVIC的一个寄存器来重定向向量表。（权威指南7.3向量表）
7 Z0 \) L. }! J0 [
( `  x# r3 z( A9 ~$ o5 |三、flash读写
& |# |1 u* z( ^2 k9 E5 l

1. void flashwrite(u16 data)
   
2. {
   - w7 T* y. m7 G# s5 g  Q
3. FLASH_Unlock();
   
4. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
   4 F& C6 I- a  I* F& F4 Z
5. FLASH->CR|=0x00000001;    //set PG
   
6. *((u16 *)0x0803F800)=data;
   & r$ E" m8 m1 m# r. O
7. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
   
8. lxj= *((u16 *)0x0803F800);
   
9. 
   
10. 
    5 R2 e$ Y: u/ m( S5 q& `. ?# w
11. FLASH_Lock();
    
12. }
    
13. 
    
14. void flashread()
    7 l: ^# O" q5 t
15. {
    + ]7 f+ m* w/ w' S
16. FLASH_Unlock();
    
17. while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
    / c, o  ~* |; h: y1 l; ~
18. // FLASH->CR|=0x00000001;    //set PG
    
19. // *((u16 *)0x0803F800)=data;
    
20. // while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY)==1);
    5 e  a" T7 T1 @' e# }% j0 N! I: ?
21. lxj= *((u16 *)0x0803F800);
    
22. 
    ( O* S+ O# _. g* o( F0 q
23. 
    $ G/ ^* b) |3 X. R
24. FLASH_Lock();
    
25. }

复制代码

没仔细看，但能实现读写，不过用这两个函数的话，有一个bug，记下来回头研究。

flash必须先擦再写，flash_write以后，再写确实不行了，但再次上电，就能在同一个地址写了。而且flash确实烧写好了，掉电后数据不会消失
+ ]* R- G' h8 E! ?! Q+ o

( o- G$ V. j/ l: `
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