在使用之前我们要先学**H7的内存分布，之前可能接触过ST的程序员没有发现有内存分布的特性，这可能是在M7系列新加的特性。
' S" c: l, L5 p4 n9 y
) _; k* t; j& V/ j5 t6 |. N" a1 mTCM : Tightly-Coupled Memory 紧密耦合内存 。ITCM 用于指令，DTCM 用于数据，特点是跟内
2 C+ m) g- C( {4 ?7 M核速度一样，而片上 RAM 的速度基本都达不到这个速度。

% y: N9 ?, j% W2 PITCM 和 DTCM
+ q. c1 J) J; W2 j$ Z! F) R, I这两个是直连 CPU 的。

5 _! G4 g4 C* S/ W4 KTCM 区
: t( `& F( N. X3 nTCM : Tightly-Coupled Memory 紧密耦合内存 。ITCM 用于运行指令，也就是程序代码，DTCM
用于数据存取，特点是跟内核速度一样，而片上 RAM 的速度基本都达不到这个速度，所以有降频处
1 z9 S  W+ m) p8 n9 C理。
! F3 i, |, x; p" x速度：400MHz。
* \: C  }3 m( o/ S" W& P7 iDTCM 地址：0x2000 0000，大小 128KB。
3 t/ j) N4 [( qITCM 地址：0x0000 0000，大小 64KB。

AXI SRAM 区
+ z( d: h  z6 k% _5 o: K位于 D1 域，数据带宽是 64bit，挂在 AXI 总线上。除了 D3 域中的 BDMB 主控不能访问，其它都可
# s% h6 g5 |+ C) Q5 @6 q/ J! f以访问此 RAM 区。
速度：200MHz。
地址：0x2400 0000，大小 512KB。
用途：用途不限，可以用于用户应用数据存储或者 LCD 显存。
6 u, h0 k0 \6 U8 S6 c" `
SRAM1，SRAM2 和 SRAM3 区
' B+ j) V1 g; j% T1 L0 lSRAM1：地址 0x3000 0000，大小 128KB，用途不限，可用于 D2 域中的 DMA 缓冲，也可以当
8 Z8 D$ s9 c# n$ ?4 gD1 域断电后用于运行程序代码。
1 h  j8 z" [9 h& W5 hSRAM2：地址 0x3002 0000，大小 128KB，用途不限，可用于 D2 域中的 DMA 缓冲，也可以用于
6 L; g3 U2 h6 W, |' i4 G用户数据存取。
: o! q& O# L( S/ R% n' w3 USRAM3：地址 0x3004 0000，大小 32KB，用途不限，主要用于以太网和 USB 的缓冲。
. l: i& b4 h5 N2 S2 R
SRAM4 区
位于 D3 域，数据带宽是 32bit，挂在 AHB 总线上，大部分主控都能访这块 SRAM 区。
  v8 M6 r5 H: ^+ R! v" p速度：200MHz。
9 i) n4 z# p$ g$ N( N9 a地址：0x3800 0000，大小 64KB。
0 [9 ]! S$ M0 }4 S$ V3 \# z! Z4 |: t8 M用途：用途不限，可以用于 D3 域中的 DMA 缓冲，也可以当 D1 和 D2 域进入 DStandby 待机方式
后，继续保存用户数据。

7 _0 v6 z, F  y8 `1 U+ ?% ]& RBackup SRAM 区
备份 RAM 区，位于 D3 域，数据带宽是 32bit，挂在 AHB 总线上，大部分主控都能访问这块 SRAM
- \- X9 }$ A7 Q, U5 `; n) [  ^区。
7 n0 p6 r2 ?3 f速度：200MHz。
: F( l& x' N' s8 z* x0 N- ~地址：0x3880 0000，大小 4KB。
用途：用途不限，主要用于系统进入低功耗模式后，继续保存数据（Vbat 引脚外接电池）。

& \+ c, h" N+ p% v& f# ~5 P各块 RAM 的 DMA 问题
: R0 h2 S) \/ ?9 X, `- I! _6 v" R- ~之前写了一个空闲中断+DMA的例子，在F4的板子稳定运行，可是在H7上跑不通，所以才注意到了内存分布对DMA的影响
$ u+ a: |/ s. S! g5 z# B: q
# b  v: J, c' pDTCM 和 ITCM 不支持 DMA1，DMA2 和 BDMA，仅支持 MDMA。
* G; n$ [1 M2 v) a& c' J* yAXI SRAM，SRAM1，SRAM2，SRAM3 不支持 BDMA，支持 MDMA，DMA1 和 DMA2。
$ H8 b# f% u: s/ Z+ {SRAM4 支持所有 DMA，即 MDMA，DMA1，DMA2 和 BDMA。

- k, t! m% D1 Q& J6 J鉴于 DTCM 是 400MHz 的，而其它的 RAM 都是 200MHz，推荐工程的主 RAM 空间采用 TCM，而
其它需要大 RAM 或者 DMA 的场合，使用剩余 RAM 空间。
本教程配套的例子基本都是采用的这个方案，让 TCM 的性能得到最大发挥。


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