Stm32H7XX GCC下分散加载实现9 C4 g! K) x2 [6 w$ z# \
STM32H750XBHT这块单片机,里面有五块内存区:& B- q( W+ `* T# a! `
_% ~* s4 n) G+ z" h, ^TCM 区0 q8 B' _+ G; R1 V/ S
速度: 400MHz。
" l% c- b6 i! b( r0 MDTCM 地址: 0x2000 0000, 大小 128KB。
! p, ?2 o+ F3 b3 b. UITCM 地址: 0x0000 0000, 大小 64KB。6 N9 c! U, G* a/ N
6 o L: N) {) Q. _$ Y/ K) b$ @AXI SRAM 区
" K% P) j7 H) J8 ~0 s' P- ^1 ]位于 D1 域, 数据带宽是 64bit, 挂在 AXI 总线上。 除了 D3 域中的 BDMB# o7 Q. T( A3 I% G
主控不能访问,其它都可以访问此 RAM 区。
- {, a( k; H. V速度: 200MHz。! p' j) ]) c! k. v2 ], T W
地址: 0x2400 0000, 大小 512KB。
# X3 s5 M! m) S用途:用途不限,可以用于用户应用数据存储或者 LCD 显存。
$ \ p+ ^4 ]5 g+ _# c) |0 t( [% D. D- u9 Y/ Y( W" w+ l! ]3 T# E' E
SRAM1, SRAM2 和 SRAM3 区,这三块都位于D2区3 b6 h% M7 Z3 S/ T
位于 D2 域, 数据带宽是 32bit, 挂在 AHB 总线上。 除了 D3 域中的 BDMB1 k+ L% m6 r3 i6 o* s. D
主控不能访问这三块 SRAM,其它都可以访问这几个 RAM 区。 J: }+ b$ [3 |9 R& |
速度: 200MHz。/ @1 w* `3 v( U- t f4 s
SRAM1: 地址 0x3000 0000, 大小 128KB, 用途不限,可用于 D2 域中的 DMA9 N( D; q5 F' A; s
缓冲, 也可以当D1 域断电后用于运行程序代码。
5 c# s+ a4 \9 jSRAM2:地址 0x3002 0000, 大小 128KB, 用途不限,可用于 D2 域中的 DMA1 l y" y% z- r; D
缓冲,也可以用于用户数据存取。
; ~* T5 ]8 z! { A. T W. ]0 OSRAM3:地址 0x3004 0000, 大小 32KB, 用途不限, 主要用于以太网和 USB 的缓冲。
& _, z7 n8 s2 N' M. k! R6 Y5 b' B2 _7 @3 g
SRAM4 区
D- x: y+ Q* i2 {4 _位于 D3 域, 数据带宽是 32bit,挂在 AHB 总线上,大部分主控都能访这块 SRAM 区。
. `, |4 J0 D% A' o4 l- r- p速度: 200MHz。
: s% t6 M1 L2 n, ^ _地址: 0x3800 0000, 大小 64KB。
y4 T. U3 }* y8 ^9 P( Y. X* z+ j用途:用途不限,可以用于 D3 域中的 DMA 缓冲,也可以当 D1 和 D2 域进入 DStandby
, P( O0 F! U% _待机方式后, 继续保存用户数据。7 u: `1 `* v5 L' D
8 [. j" o' T3 W7 h) {) uBackup SRAM 区5 g! |' |2 c% ^- j
备份 RAM 区, 位于 D3 域, 数据带宽是 32bit,挂在 AHB 总线上,大部分主控都能0 x3 \3 {6 {3 u5 B% D1 j
访问这块 SRAM区。+ B# K. L0 Q5 f5 A: B' c0 l5 N
速度: 200MHz。
. a. r) F) x/ r" ?0 e7 h6 d地址: 0x3880 0000, 大小 4KB。
$ \' @+ u2 s0 U4 L用途:用途不限, 主要用于系统进入低功耗模式后, 继续保存数据(Vbat 引脚外接电池)。
2 Z' A* i; U- c" A. A% N5 j
: h8 b5 r- l. ~+ E9 k6 t既然有这么多快内存区域,那么我们在使用gnu环境下应该怎么使用各块区域的内存呢?+ M" U' O6 F% j6 d% ?0 z
这里就要使用“分散加载法”。+ B+ Z. e+ R; A" S) z
2 f j! c7 e, ^7 X7 W( H4 v打开STM32H7的链接脚本:
+ u* _5 G& p4 |& r' q- MEMORY7 {4 e, X, G. O- b. Z
- {
& w- q V1 w3 _7 p1 X6 G, f# g0 K - DTCMRAM (xrw) : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 128K/ v* v% g& {1 a! s, e" E9 _
- ITCMRAM (xrw) : ORIGIN = 0x00000000, LENGTH = 64K
/ _8 x" W- Q5 z+ y5 o - RAM_D1 (xrw) : ORIGIN = 0x24000000, LENGTH = 512K$ A% ^- y0 r _: P/ L4 ^
- RAM_D2 (xrw) : ORIGIN = 0x30000000, LENGTH = 288K
- g& j0 p. l8 b5 a' [* m) j& k - RAM_D3 (xrw) : ORIGIN = 0x38000000, LENGTH = 64K' B! \4 ^# b7 ]1 [7 c: U3 n
- FLASH (rx) : ORIGIN = 0x8000000, LENGTH = 128K
! @1 @0 {# S3 R3 U9 t3 _ - }
2 Y" L( {0 B K3 \3 U4 @; _! y4 p* J
复制代码 2 o9 n9 ^5 ]* N0 R
链接脚本中已经给我们定义好了各个内存区块,可以看到跟我们前面介绍的是一样的。2 `- i1 a8 f, A, @
那么怎么使用呢?5 U: z2 s& q: S3 w/ r/ t
先抛出一个问题,我们之前在写stm32代码的时候,定义的全局变量会保存在哪里?0 ]( ]8 r! z1 [) M* [- J
答案是全局区,那这个全局区到底在哪?' q1 @5 ^; {& t3 @. \1 {* h
链接脚本会告诉我们:
/ B1 a% t [9 K6 u4 |. r3 _4 f4 B- /* Initialized data sections into "RAM_D1" Ram type memory */$ E: p4 {; B0 d1 ?& o* L
- .data :
2 C- N5 p: X8 V6 K3 n - {) Q n {" a8 Q$ M' Y1 L
- . = ALIGN(4);3 V6 u. e% ^+ A
- _sdata = .; /* create a global symbol at data start */
- F3 F% P2 A/ z - *(.data) /* .data sections */
6 Y. l- y1 s1 W0 X8 P - *(.data*) /* .data* sections */! n* I7 ?% O6 W7 [+ m2 ~0 m( w
- 9 _7 L$ K9 ?1 F% j/ W) i2 A6 S
- . = ALIGN(4);0 Y" z1 \- ^ z
- _edata = .; /* define a global symbol at data end */
3 g& |: j% s" k -
9 M- y, d9 F6 o3 K7 ]# e - } >RAM_D1 AT> FLASH
& @2 X( r! n4 g. B, u
复制代码 ' |9 |4 _0 ? l2 P! ^6 H9 q- a
可以看到我们定义的全局变量会保存在RAM_D1区域。+ H/ Y9 r3 G' [& ?# z
所以我们要将这些内存区域定义成相关的sectin。加到ld文件中8 e% j% R/ d( l( C2 }0 R: x
写法如下:! m/ G* L3 y/ U. Q' W" n
- /*************************************************************************************************
& F' c, @" V D( ~ - ** DEFINE DTCMRAM RAM_D2 RAM_D3
4 B0 F7 I& K" J- n r* b - ** WE CAN USE THESE RAM LIKE THIS:& \3 _( d Z/ D
- ** uint8_t mpudata[128] __attribute__((section(".dtcmram")));2 e* r" A9 { {2 h6 t1 Z8 S- [5 u
- *************************************************************************************************/$ ^7 j& C6 H1 n
- .dtcmram :
; T- x% k6 [7 X# r9 E9 u - {' F0 Z. k! ]1 b# }& @4 J% n, R
- . = ALIGN(4);
3 S# I% c5 Y# ?; T# G* f - *(.data) /* .data sections */
# ?; X( y0 j O5 \+ R6 | - *(.data*) /* .data* sections */
4 a9 r' G. G, S: Y; m - . = ALIGN(4);) P; z2 d2 j, w3 q8 H" R4 G3 b
- } >DTCMRAM AT> FLASH2 G/ N# a' |( [9 v: K9 S
( x7 a& q1 F5 G4 C, J5 `( _1 H- .ramd2 :) k# }. r: I9 b
- {
6 T) K: D# _4 m2 p6 u0 N - . = ALIGN(4);* _; b6 R1 S$ U
- *(.data) /* .data sections */
! K- k6 B" H, t" \/ R$ w - *(.data*) /* .data* sections */
5 I2 Y5 u! a" h. s; Z - . = ALIGN(4);' o1 Q7 d. {) M! e: ^ A6 @
- } >RAM_D2 AT> FLASH, z' C2 \( `: e. |- n6 Z2 s/ w" ~
. {$ U# ?5 m8 v- .ramd3 :
7 \9 k' F7 v# } - {& `" _; B& ]+ s) g
- . = ALIGN(4);
! n* L2 [% R) M! a - *(.data) /* .data sections */
* y6 r7 T8 A- }# z - *(.data*) /* .data* sections */
9 q( f& L& ]' P2 q: X - . = ALIGN(4);
( W* n" P6 I% b- q6 ~4 k - } >RAM_D3 AT> FLASH! ~; T! B8 k5 z- R
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9 ?/ \6 T: g& @加好之后,我们就可以指定全局变量定义在哪一块ram中了。
$ |" K' b' X0 I2 K! Y8 c; X2 \6 D6 m- uint8_t mpudata[128] __attribute__((section(".dtcmram")));2 J* Y! X$ l6 @! Q+ {( r
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. K1 |8 l' b# ^4 u- b* Q) H可以打印一下该数组的地址,位于DTCMRAM 区。定义到其他几个区也是一样的写法。. f0 Q. _- Z) [
所谓分散加载法,其实就是用Ld文件指定数据到目标存储区域。
3 Y5 [) B6 r, C& c" P3 r————————————————
7 N% F0 |* S' J0 m1 U) b+ W版权声明:tony++
; v1 S& n8 Z7 s0 P4 U
) b6 Z: l. ^- _/ `8 W |
不错,正好需要这个