嗯嗯，关于处理数据时暂时关闭DMA这个动作没问题的，我的问题其实不是不知道怎么处理这个问题。主要是文档里没看到明确说明这一块的总线访问竞争机制，所以好奇。例如说原本的旧数据是0x12345678，现在DMA要更新0x9abcdef，如果CPU的读取与DMA的传输刚好撞上，数据总线响应哪一个？如果DMA传输了一般数据后，CPU要求读取数据，是CPU读取挂起等待DMA传完后再读取还是把当前数据读走？同理，DMA要求传输数据时撞上CPU正在读取或者写，那DMA是挂起等待还是直接开始传输？
你碰到的概率太高了吧，外部高速晶振应该是没什么特别要注意的，32.768K低速晶振在stm32F1中确实是有问题，08年的时候碰到过，那时候手册好像没写需要负载电容为6pF的晶振，我们用了12.5pF的晶振，结果就悲剧了。当时因为某种原因需要返工，于是断开了时钟电池，有相当大的一批终端无法起振了（生产的时候是夏天，返工是冬天)。问了st的fae，当时给了我们一段代码。后来也许是找到原因了，手册里就特别注明需选择负载电容为6pF时钟晶振。你也可以试试加入以下代码，但估计现在的芯片应该是没有问题了。 改为: u32 delay; do { /* delay about 10ms */ for(delay = 0;delay < 90000;delay++); /* Enable LSE */ RCC_LSEConfig(RCC_LSE_ON); }while(RCC_GetFlagStatus(RCC_FLAG_LSERDY) == RESET) /* Wait till LSE is ready */ 2008-11-03
为什么要用宏定义呢？定义两个结构体类型，它们共享的成员定义成指针类型，其他的为各自不同的成员类型，这样，指针类型的那个成员将同时体现在这两个不同的变量里。
屏蔽了flash相关代码后，发现程序能稳定运行，所以重点查了一下flash，最后发现是地址写错了，导致变量存储的地方被flash重写了，把地址修正之后就解决了
如果PWM的占空比是一样的，只是需要控制个数的话，高级定时器的repitition counter可以用来设置个数，当这个counter为0时，在update中断中把定时器disable就可以了
在官方的产品参考手册里有详细介绍USB的资源（RM0090）, 关于电路实例可以参考官方的评估板 STM32F40G,在用户手册 UM1461上有详细图纸。 还有官方的cube 库中有对应的例程。
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