【NUCLEO-F412ZG试用体验】+AT24C512 IIC EEPROM+W25Q128 SPI FLASH两大...

donatello1996 提问时间：2017-2-18 19:58 /

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AT24CXX系列是IIC总线通信的EEPROM（电子可擦除存储器），XX的数字代表单元格数量，以今天用到的AT24C512为例子，AT24C512有512Kb个单元格，即64KB个，即可以存储65535个字节的数据，因此地址空间是0x0000到0xFFFF。AT24CXX每个单元都可以存储一个字节的数据，可以擦除十万次，默认数据是0xFF，可以编程为0x00~0xFF中的任意一个数据。EEPROM的优点是擦除寿命长，写入读出快，缺点是容量小，因此适用于少量频繁更新的数据（如传感器检测数据，临时变量）等的存储。

值得注意的是，因为EEPROM是按地址进行单元格读写，读跟写的函数都必须传送正确的地址，而AT24C02跟AT24C04，AT24C08...AT24C256，AT24C512的地址传送方式是完全不一样的，AT24C02的存储空间大小是2Kb即256B，因此可寻址空间是0x0000到0x00FF，因此传送地址只需要传送一个字节（即仅低八位有效）；而AT24C04及以上的EEPROM的可寻址空间都是占用八位以上，即使是可寻址空间只有九位或十位（AT24C04是0x0000到0x01FF，AT24C08是0x0000到0x03FF）也需要传送十六位地址即两个字节，也就是要分两次传送，先传送高八位（addr>>8），再传送低八位（addr%256），跟AT24C02的区别是非常大的。

W25QXX系列是WinBond公司研发的SPI总线通信的FLASH（闪存），XX的数字同样是代表容量，以今天用到的W25Q128为例子，W25Q128有128Mb个单元格，这个单元格跟EEPROM的单元格用法一样，都是可以存储一个字节的可编程的0x00~0xFF的任意一个数据，默认数据也是0xFF，但是物理特性不同，每个单元格只能擦除1000次，并且在编程之前必须发送擦除指令。FLASH的优点是存储容量大，缺点是擦除寿命短，写入读出慢，数据受到物理因素影响易丢失（EEPROM没有这个缺点），因此适用于大量不常更新的数据（如图片文字符号的字模，UI点阵）等的存储。
值得主意的是，FLASH的读写机制是跟DMA一样的，是按起始地址进行一连串的数据读写，因此必须保证起始地址和地址长度没有搞错，并且再次说明写入前必须擦除，否则写入失败。与容量较小的EEPROM不一样，FLASH的的容量都是以MB来计算的，因此地址数值需要用long int（32位）来存储。

W25Q128及以下的型号地址要分三次传送，先传送高八位（addr>>16），再传送中八位（addr>>8）,最后传送低八位（addr%256），而W25Q256及以上的型号则要分四次传送。
AT24CXX和W25QXX都是当今单片机使用非常广泛的片外存储器，它们共同的特点是：
1.体积小，拥有SOP封装，可以安装到非常小的电路板上面；
2.串行通信，占用引脚少，比旧式的并行通信总线的存储器更好用；
3.功耗低，只需3.3V供电。
实验效果如下：