按以下方法运行： 1.关闭所有未使用的外设，振荡器（LSI或LSE除外）和模拟模块 2.屏蔽所有中断 3.跳转到RAM 4.将系统时钟切换到LSI或LSE时钟源 5.通过将FLASH_CR1中的EEPM位置1，来配置闪存的IDDQ模式寄存器 6.添加软件延迟循环以确保Flash /Data EEPROM 已关闭 7.通过设置CLK_REGCSR寄存器的REGOFF位来配置稳压器的超低功耗模式 （不要与PWR_CSR2中的ULP位混淆，它是配置内部参考电压的）。
按以下方法运行： 1.关闭所有未使用的外设，振荡器（LSI或LSE除外）和模拟模块 2.屏蔽所有中断 3.跳转到RAM 4.将系统时钟切换到LSI或LSE时钟源 5.通过将FLASH_CR1中的EEPM位置1，来配置闪存的IDDQ模式寄存器 6.添加软件延迟循环以确保Flash /Data EEPROM 已关闭 7.通过设置CLK_REGCSR寄存器的REGOFF位来配置稳压器的超低功耗模式 （不要与PWR_CSR2中的ULP位混淆，它是配置内部参考电压的）。
