KIMI： SGT350R70GTK GaN IC 虽然与普通 MOSFET 一样采用电压驱动，但存在若干关键差异，必须在电路设计中特别处理 。 与 MOSFET 驱动的相似之处 两者工作原理基本相同： 电压控制 ：通过栅源电压（Vgs）控制导电状态，依靠对栅极电容的充放电实现 可调速度 ：可通过调整外部栅极电阻（Rgon/Rgoff）来控制开关速度 驱动兼容 ：在电压限制得当的情况下，可使用标准 MOSFET 驱动器 SGT GaN 的关键差异 根据 Infineon 针对 SGT（屏蔽栅沟槽）GaN 器件 的驱动配置表 ： 表格复制 参数 SGT GaN（SGT350R70GTK） 普通 Si MOSFET 驱动电压 +5V 至 +6V（单极性） +10V 至 +12V（单极性） 阈值电压 ~1.5V 2-4V 栅极环路电感 直接驱动要求 <1nH 容忍度较高 电压裕量 非常低，需要钳位 较高裕量 基本设计考虑因素 严格的电压限制 ：栅极无法承受标准 12V 的 MOSFET 驱动电平。必须 采用： 串联电阻加钳位齐纳二极管（例如 6.2V） 或集成电压调节功能的专用 GaN 驱动器 IC 低电感布局 ：SGT GaN 要求极低的栅极环路电感（<1nH） 才能直接驱动 负压关断（可选） ：在大功率硬开关应用中，推荐使用双极驱动（+6V/-3V）以防止开关噪声导致的误开通 CMTI 要求 ：驱动器需要 >100V/ns 的共模瞬态抗扰度，以支持高频工作 结论 虽然 SGT350R70GTK与普通 MOSFET 一样采用电压驱动 ，但不能直接替换 Si MOSFET 。驱动电路必须修改以提供： 最大 6V 的栅极电压 （而非 12V） 极其严格的电压钳位 极小的栅极环路电感 可能的负偏压 以实现可靠关断 使用不带电压限制的标准 MOSFET 驱动器会损坏该 GaN 器件。
