是的。STM32F40X相比STM32F1系列的片内flash擦除稍微有点差异。 F1系列基于页擦除，在1颗芯片里其空间大小固定，或者1K 或者2k。 而F40X基于扇区擦除，扇区容量较大，而且同一芯片里的不同扇区 对应的容量还不一样，对应的擦除时间也不一样。 比方16K扇区的典型擦除时间为230ms，32K扇区的典型擦除时间是490ms,64K扇区的 典型擦除时间为875ms。128k扇区的典型擦除时间达1.3s.这些参数在芯片数据手册里 都有明确描述。 至于不同扇区的大小在芯片参考手册里也有明确描述。在Flash module organization有清晰介绍。 至于擦除方式，没有什么好担心的。用什么系列就使用什么擦除方式，比方你现在使 用F407就使用扇区擦除作为基本擦除方式。不过 要提醒的是，如果使用双BANK模式的 话，在给扇区别编号时别给错了。在前面提到的Flash module organization 章节也有介绍。
检查一下，还有没有其他的外部中断，恰好也用到了端口11呢？因为外部中断入口是几组IO口公用的。 或者在IO初始化时不小心打错了。
一般进入harfault中断，可以通过查询进入中断前的函数进行查找。这种情况大多是数组溢出导致。堆栈的调整，可能会导致你数组地址的变化。正好PWM用的数组溢出后进入MCU用到的空间，把数据内容给覆盖导致。我也多次操作复现这种情况，甚至超出数组范围也不一定每次能复现。建议看一下MAP文件中，你用到数组的地址，和堆栈调整后的地址是不是不一样。
paul_ttl 发表于 2022-9-20 17:22 好的，感谢 另外朋友的经验：如果数字地和模拟地比较分开走，在外界强大干扰下，两个地线间引起很大的压差会严重影响ADC工作。建议参考一下哈。
