你的浏览器版本过低,可能导致网站不能正常访问!
为了你能正常使用网站功能,请使用这些浏览器。

【宣传册】600 - 650 V MDmesh DM9:快速恢复 SJ 功率 MOSFET 提高了效率和稳健性

新型硅基SJ MOSFET系列采用快速本征体二极管,为全桥相移ZVS拓扑提供理想的效率和可靠性,这些快速恢复硅基功率MOSFET的器件适用于工业和汽车应用,提供广泛的封装选项,包括长引线 TO-247、TO-LL,以及SOT223-2封装。更多详情:st.com/mdmesh-dm9-series.html

收藏 评论0 发布时间:2022-5-16 18:40

举报

1个文档

600 - 650 V MDmesh DM9:快速恢复 SJ 功率 MOSFET 提高了效率和稳健性.pdf

新型硅基SJ MOSFET系列采用快速本征体二极管,为全桥相移ZVS拓扑提供理想的效率和可靠性

0个回答

所属标签

关于
我们是谁
投资者关系
意法半导体可持续发展举措
创新与技术
意法半导体官网
联系我们
联系ST分支机构
寻找销售人员和分销渠道
社区
媒体中心
活动与培训
隐私策略
隐私策略
Cookies管理
行使您的权利
官方最新发布
STM32Cube扩展软件包
意法半导体边缘AI套件
ST - 理想汽车豪华SUV案例
ST意法半导体智能家居案例
STM32 ARM Cortex 32位微控制器
关注我们
st-img 微信公众号
st-img 手机版