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【宣传册】600 - 650 V MDmesh DM9:快速恢复 SJ 功率 MOSFET 提高了效率和稳健性
资源
类别:
市场宣传
[md]新型硅基SJ MOSFET系列采用快速本征体二极管,为全桥相移ZVS拓扑提供理想的效率和可靠性,这些快速恢复硅基功率MOSFET的器件适用于工业和汽车应用,提供广泛的封装选项,包括长引线 TO-247、TO-LL,以及SOT223-2封装。更多详情:[st.com/mdmesh-dm9-series.html](
https://www.st.com/zh/power-transistors/mdmesh-dm9-series.html
)
[/md]
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发布时间:2022-5-16 18:40
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600 - 650 V MDmesh DM9:快速恢复 SJ 功率 MOSFET 提高了效率和稳健性.pdf
新型硅基SJ MOSFET系列采用快速本征体二极管,为全桥相移ZVS拓扑提供理想的效率和可靠性
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