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【应用笔记】STDRIVEG600 GaN半桥驱动器

单芯片半桥式STDRIVEG600栅极驱动器专为特定的GaN FET驱动要求而设计,具有较短的45ns传播延迟和低至5V的工作电压。STDRIVEG600通过较高的共模瞬态抗扰度、一套集成式保护功能,以及优化的GaN VGS驱动电压实现较高稳健性和效率。这种集成了自举二极管的单芯片允许设计师实现GaN的性能优势,同时简化设计和减少物料要求。

收藏 评论0 发布时间:2023-7-31 10:03

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