你的浏览器版本过低，可能导致网站不能正常访问！
为了你能正常使用网站功能，请使用这些浏览器。

st-img
chrome st-img
firefox st-img
safari st-img
ie8及以上

【2024-ST工业峰会】IGBT和碳化硅MOSFET混合并联开关

1 背景介绍
2 混合开关逆变器
3 混合开关设计的考虑因素
4 混合开关栅极驱动器


赞 收藏 评论0 发布时间：2024-11-15 10:53

举报

1个文档

【2024-ST工业峰会】IGBT和碳化硅MOSFET混合并联开关.pdf

类别：pdf 版本： 语言：中文 下载次数：23 下载
0个回答

所属标签

推荐资源

关于
意法半导体
我们是谁
投资者关系
意法半导体可持续发展举措
创新与技术
意法半导体官网
联系我们
联系ST分支机构
寻找销售人员和分销渠道
社区
媒体中心
活动与培训
隐私策略
隐私策略
Cookies管理
行使您的权利
官方最新发布
STM32Cube扩展软件包
意法半导体边缘AI套件
ST - 理想汽车豪华SUV案例
ST意法半导体智能家居案例
STM32 ARM Cortex 32位微控制器
关注我们
st-img 微信公众号
st-img 手机版