请教各位坛友, 我想用6个NMOS + 3个驱动IC来搭桥. 有一个问题不是太确定. 低边NMOS的G极驱动电压如果大于D极,是否会有问题? 比如低边NMOS导通时, D极电压有8V, 但是 G极有16V. 这样会工作不稳定 或者有什么风险吗? 我只看到大部分NMOS手册有规定GS电压限制在正负20V以内. 但是不知道G-D之间的电压是否有什么约束?

理论上来说 Vgs为16V, Vds为8V的状态 管子已经完全导通了. 但是不太确定这么用是否会影响一些动态性能的参数?

不会影响，GS只是一个门控作用。DS相当于开关。可以这样测量，直接GS加16V，然后DS不加任何电压，再测量DS上面有没电压。