现在在用stm32g0b1vct6，代码有200KB左右，开启了dual-bank就进入hardFualt，关闭dual-bank 就正常。
现在是想确认以下两点内容：
1、代码大于mcu flash大小的一半，开启DUAL-BANK后，是不是会有问题，我这边测试是会进入hardFault.
2、设置SINGLE BANK后，程序从FLASH运行，是否还能擦除或写FLASH的空闲区域

RockDeng 发表于 2021-9-1 11:36
您好，关于第一个问题我想问下有没有文档说明单bank和双bank的差别，什么情况下设置单bank什么情况下设置 ...

你可以先看看参考手册中关于FLASH地址分配的内容。

关于单双BANK的应用，有个笔记你可以参考下,AN4767.

如果使用双BANK，就按双BANK地址架构组织代码。

第一个问题，你按照单BANK写的代码 突然开启双BANK，会出问题的。单BANK和双BANK的地址分配结构是不一样。
第二个问题，基于单BANK组织的代码，当然还能对空闲或需更新的页进行擦除或编程，跟双BANK的差别主要在于此时
擦除或编程会影响当前程序的执行。

xmshao 发表于 2021-8-27 17:59
第一个问题，你按照单BANK写的代码 突然开启双BANK，会出问题的。单BANK和双BANK的地址分配结构是不一样。
...

您好，关于第一个问题我想问下有没有文档说明单bank和双bank的差别，什么情况下设置单bank什么情况下设置双bank。谢谢。

xmshao 发表于 2021-9-1 16:49
你可以先看看参考手册中关于FLASH地址分配的内容。

关于单双BANK的应用，有个笔记你可以参考下,AN4767.

好的我先去看下这个文档，非常感谢您的回复，谢谢