STM32 g0系列双BANK芯片，程序运行在BANK1时，想要擦写BANK2，会发生Error或者HardFault。

是否不支持这样的操作？

我这边经过实际测试发现，如果在option里DUAL_BANK勾选时，我们基于库函数


的相关定义给定BANK进行擦除时，假设程序运行在BANK1，即0x8000000开始的空间。


若要擦除BANK2,给的宏参数是FLASH_BANK_1才行。


我刚开始给的是FLASH_BANK_2，结果发现每次0x8000000开始的空间都被擦除了。这点要注意下。


我使用ARM MDK IDE测试的，当我按键多次后就对BANK2进行全擦除，是可以实现对BANK2的擦除的。


不过就是那个参数给的是FLASH_BANK_1，这点跟手册描述似乎是相反的,我会继续跟踪确认这点。


void HAL_GPIO_EXTI_Falling_Callback(uint16_t GPIO_Pin)
{

if (Cnt_KeyIN>3)
        
{
       Cnt_KeyIN = 0;
      
      HAL_FLASH_Unlock();
      
      FLASH->CR |=  FLASH_BANK_1;//!!!!
      
      FLASH->CR |= (FLASH_CR_STRT );
}

}

肯定支持这样的功能。
STM32 一直都支持 flash 擦写。

不过双bank 模式首先检查一下是否使能了双bank，否则写错地址就容易发生错误。

对于STM32G0系列，那些片内FLASH容量不低于256kB的型号是支持双BANK的。


对于双BANK芯片,其典型应用就是对BANK 1进行Flash编程或擦除时，另一个BANK 2里的程序可以正常运行，


不过，不支持同时对该bank 2的flash编程操作。


注意页地址给正确。擦除时芯片供电稳定。

xmshao 发表于 2024-7-8 09:49
对于STM32G0系列，那些片内FLASH容量不低于25kB的型号是支持双BANK的。</p>
<p>

我使用的是STM32 G0B1RCT6，已经使能了双BANK，生成的HAL中已经定义了“FLASH_DBANK_SUPPORT”

现在程序运行在BANK1(默认)，想要尝试擦写BANK2，调用擦写函数也能返回HAL-OK，但是在IAR中View Memory，擦写成功的BANK2的那一页，没有变成0xFF。接着再写入，就发生hardfault了。

是否还有什限制或者还需要提前做什么设定吗？求指导！

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