谢大家对有奖直播 | ST功率氮化镓GaN — 最佳能效解决方案的热情参与！

本次直播介绍ST功率氮化镓技术及应用，全面覆盖市场增长、核心技术、产品布局、多领域实际应用、供应链保障及未来规划，凸显氮化镓作为第三代半导体材料的高效优势，以及在消费、工业、数据中心、车载等场景的商业化价值。

直播内容回顾

✦ 市场与应用：

全球GaN市场CAGR达41%，覆盖消费电子与机器人、工业能源、服务器与数据中心、汽车四大领域，通信电源与数据中心增长潜力或超汽车。

✦ 技术与产品：

ST采用GaN-on-Silicon常关型技术，基于p-GaN工艺打造，从GaN外延到功率器件制造实现垂直整合，目前正推进8英寸晶圆的自研生产。2025年，ST推出多款量产产品；2026-2027年，从30V低压到1200V高压，从单向导通到双向开关，从1.5mΩ到350mΩ 不同导通电阻规格的产品将陆续落地，搭配多样化封装，满足从消费级到工业级、汽车级的全场景应用。

✦ 供应链布局：

ST构建全decoupled双源供应体系，意大利卡塔尼亚工厂将于2025年第二季度启动前端生产，2027年实现满产，配合多家成熟合作伙伴，确保产品稳定供应与技术差异化优势。

✦ 实际应用案例：

数据中心、140W适配器-SGT080R70ILB竞品基准测试、SGT105R70ILB在洗衣机的电机控制 测试、双向GaN在车载充电器中的应用 。

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直播Q&A汇总

我们从直播答疑中选一些比较有代表性的提问在这里与大家分享，供大家回顾。

Q：ST功率氮化镓GaN最佳能效解决方案包括了那些能效的提升？

A：服务器，传统工业电源； 消费类快充，电源适配器等。

Q：如何测试ST功率氮化镓GaN以判断其性能和使用寿命的？

A：可通过进行加速老化测试，ST针对每一规格都有可靠性测试报告， 可供参考。

Q：之前用的SiC器件能否用GaN功率器件直接替代？替代时要注意些什么？

A：并不建议，GaN的门级更加敏感，建议配套专用的门级驱动芯片及外围保护电路进行重新设计。

Q：GaN功率器件散热效果比SiC的好一些吗？

A：GaN主要是Qrr基本为0，Trr很小，散热评估是综合了封装和实际应用场景，具体情况具体评估。

Q：GaN有这么多的优点，那么在使用上的缺点是什么呢？

A：门级设计技术积累；工作频率提升后（百Khz~MhZ）, 对PCBA delayout要求较高，系统整体的EMI/EMC也是一个挑战。

Q：采用风扇散热的情况下，GaN能否支持5ms的瞬间最大电流工作，会不会烧器件？

A：需要看您的最大电流是否超过器件的耐受，对于5ms duty较长，如果超过器件的最大耐受，器件很大风险损坏。

Q：如果做散热，是在芯片表面散热好，还是底部散热好？

A：顶部散热更灵活于热的设计，比如顶部背散热器， 底部散热依托于PCB， 散热能力要弱一些

Q：高频特性怎么样？能用于射频？

A：GaN非常适合高频，纳秒级的开关。已经用于射频。

Q：单向和双向有什么区别呢？

A：GHEMT双向GaN，通过门级可以控制电流的正/反流向，实现双向。

Q：在800V平台上有什么优势和劣势?

A：更高效更高工作频率。研发设计要求比较高，设计上要特别注意环路抗干扰。系统EMI等。