作者： Amelie ACKERMANN

为加速设计具有卓越效率和功率密度的氮化镓 (GaN) 电源 (PSU)，意法半导体推出了基于MasterGaN1L系统级封装 (SiP) 的EVL250WMG1L谐振转换器参考设计。

意法半导体的MasterGaN SiP将GaN功率晶体管与经过专门优化的栅极驱动器集成在一起，确保快速且精准的开关控制。使用这些SiP替代等效的分立元件网络，不仅能够最大化性能和可靠性，还能加速设计并节省PCB空间。

新的参考设计主要面向空间有限且效率要求高的工业应用。通过将包含两个650V 150mΩ GaN FET的MasterGaN1L与意法半导体的L6599A谐振控制器结合，该PSU实现了94%以上的峰值效率，且在初级侧无需散热片即可运行。此外，结合意法半导体的SRK2001A同步整流控制器，使该电源的整体尺寸仅为80 mm x 50 mm，功率密度高达34瓦/立方英寸 (W/inch^3)。

该PSU可提供高达10 A的输出电流（相当于24 VDC下的250 W），同时待机电流消耗低于1 µA，节能效果显著。L6599A和SRK2001A内置的保护功能可有效应对过流、短路和过压问题，而输入电压监控则确保正确启动并提供欠压锁定功能。

主要特性：

• ·高效紧凑的解决方案，面向使用MasterGaN1L的DC/DC转换
• ·输出电压：24 V
• ·输出功率：高达250 W
• ·标称输入电压：400 V +/- 10%
• ·效率：> 92%
• ·输出具有短路和过电流保护
• ·输入电压监控用于管理D2D转换器序列，并具有欠压保护功能
• ·板件尺寸：80 mm x 50 mm（宽 x 高）。最大组件高度：30 mm
• ·符合WEEE和RoHS标准
  

EVL250WMG1L现已上市，完全组装并可供评估，售价$250.00。产品页面上发布了全面的相关文档，帮助系统设计人员加速其GaN电源项目开发。

其他资源：

·产品概述EVL250WMG1L

·产品简介EVL250WMG1L

首次发布于2024年12月3日

·电源管理