在自己写的程序中添加低功耗
/* To reduce consumption to minimal
  Swith off the Flash */
  FLASH->CR1 = 0x08;
  while(((CLK->REGCSR)&0x80)==0x80);
上面的寄存器始终无法被赋值。造成下面的检查不能通过，有知道是上面原因吗
从调试窗口看软件已经在RAM中运行了

实验发现可能和eeprom有关，
void main(void)
{  
  u8 SaveScaler=0;
  while(1)
  {
         PWR->CSR2 = 0x2;
      sim();
      /* To configure GPIO for reduce current. */
//      GPIO_LowPower_Config();
      /* To prepare to start counter */
//      GPIO_HIGH(CTN_GPIO_PORT,CTN_CNTEN_GPIO_PIN);
      /* To configure Low Power */
      LPR_init();
   /* CLK configuration -------------------------------------------*/   
  CLK_Config();
   /* GPIO configuration -------------------------------------------*/
  GPIO_Config();
//  Key_Inti();
   /* TIM1 configuration -------------------------------------------*/
//  TIM1_Config();
/* Enable ADC clock */
  CLK_PeripheralClockConfig(CLK_Peripheral_ADC1, ENABLE);
  
  DAC_Config();
  DAC_DualSoftwareTriggerCmd(ENABLE);
  DAC_SetChannel1Data(DAC_Align_8b_R, 200);//0
  DAC_SetChannel1Data(DAC_Align_8b_R, 140);//1
  DAC_SetChannel1Data(DAC_Align_8b_R, 120);//2
  DAC_SetChannel1Data(DAC_Align_8b_R, 100);//3
  DAC_SetChannel1Data(DAC_Align_8b_R, 80);//4
  DAC_SetChannel1Data(DAC_Align_8b_R, 60);//5
  DAC_SetChannel1Data(DAC_Align_8b_R, 200);//0
/* Initializes ADC */
    MCU_mV=(u16)Vdd_appli();     
    if(MCU_mV>2600)
      VccLow=FALSE;
    if(Supply_mV

读写EEPROM是需要时间的，不能这么用吧。

ReadData();这是个参照例程写的初始化校验是否是新的芯片，如果是新的芯片将预定义的数据保存到eeprom，1解锁，写内容，检测是否完成，再写，再检测，直到写完，上锁，读写eerom确实很慢，所以每次写数据的时候都是先查询写入数据和已保存的是否一致，不同才写上去

只要包含ReadData();（一个读取校对改写eeprom的程序）就无法进入flash低功耗
    有人碰到过，或者知道原因吗

你看一下是不是死到ReadData()里面，死到哪一句了。

/* To reduce consumption to minimal
Swith off the Flash */
FLASH->CR1 = 0x08;
while(((CLK->REGCSR)&0x80)==0x80);
程序没有死，只是在ram中执行FLASH->CR1 = 0x08;（让flash进入低功耗模式，寄存器不能被置位），致使下面的校验不成功
 

楼主是在RAM里面进行调试的？你放到FLASH 去试下

这样肯定b不可以的呀，为了要实现低功耗，把程序拷贝并跳转到RAM执行，如果还回flash要么flash低功耗被退出，要么死在那里，应为flash被关闭了啊

你读校对完 EPPROM以后  再空干一个别的事情  看看 能不能行？

是不是需要关闭了一些时钟或其他才可以呢

我比对过所有的寄存器 没有差异啊