最近在使用STM32F103C8T6这款芯片，在读写内部flash的时候，读出数据没有问题，但是当写入数据的时候出现问题
我的代码如下（参考的正点原子例程）
不校验的情况下写入数据的数据

1. void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)   
   
2. {                                           
   
3.         u16 i;
   
4.         for(i=0;i<NumToWrite;i++)
   
5.         {
   
6.                 FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]);
   
7.             WriteAddr+=2;//地址增加2.
   
8.         }  
   
9. }

复制代码

1. u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节
   
2. void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)       
   
3. {
   
4.         u32 secpos;           //扇区地址
   
5.         u16 secoff;           //扇区内偏移地址(16位字计算)
   
6.         u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)          
   
7.         u16 i;   
   
8.         u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
   
9.         if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
   
10.         FLASH_Unlock();                                                //解锁
    
11.         offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;                //实际偏移地址.
    
12.         secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;                        //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
    
13.         secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;                //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
    
14.         secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;                //扇区剩余空间大小   
    
15.         if(NumToWrite<=secremain)
    
16.         {
    
17.           secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
    
18.         }
    
19.         while(1)
    
20.         {       
    
21.                 STMFLASH_Read(((secpos*STM_SECTOR_SIZE)+STM32_FLASH_BASE),STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
    
22.                 for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
    
23. //                for(i=0;i<(STM_SECTOR_SIZE/2);i++)//校验数据
    
24.                 {
    
25.                         if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除  
    
26. //        if(STMFLASH_BUF[i]!=0XFFFF)break;//需要擦除                        
    
27.                 }
    
28.                 if(i<secremain)//需要擦除
    
29. //                if(i<(STM_SECTOR_SIZE/2))//需要擦除
    
30.                 {
    
31.                         FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
    
32. 
    
33.                         FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
    
34.                         for(i=0;i<secremain;i++)//复制
    
35.                         {
    
36.                                 STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];          
    
37.                         }
    
38.                         STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
    
39.                 }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.                                   
    
40.                 if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
    
41.                 else//写入未结束
    
42.                 {
    
43.                                 secpos++;                                //扇区地址增1
    
44.                                 secoff=0;                                //偏移位置为0          
    
45.                            pBuffer+=secremain;          //指针偏移
    
46.                                 WriteAddr+=secremain;        //写地址偏移          
    
47.                            NumToWrite-=secremain;        //字节(16位)数递减
    
48.                                 if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))
    
49.                                 {
    
50.                                   secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
    
51.                                 }
    
52.                                 else
    
53.                                 {
    
54.                                   secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
    
55.                                 }
    
56.                 }         
    
57.         }       
    
58.         FLASH_Lock();//上锁
    
59. }

复制代码

主函数调用

1. for(u16 i=0;i<6;i++)
   
2.         {
   
3.     flash_buff_write[i]=i;
   
4.         }
   
5.    for(u8 i=0;i<88;i++)
   
6.         {
   
7.      STMFLASH_Write(((0x08005000)+(i*12)),flash_buff_write,6);
   
8.     if(i>80)
   
9.    {
   
10.        receive_num=1;
    
11.      }
    
12.          }

复制代码

结贴了，最终给大家回复一下是怎么解决的吧，因为我STM32F429和STM32F103读写内部FLASH的例程都是根据正点原子的例子写的，其实是他们的例子有问题截屏给大家看一下就明白了，还有一点需要注意的地方就是，如果遇到写入前需要先清除异常标志也就是调用这个函数

1. FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);

复制代码

最好是把这个放到库函数中，因为每次写入前都清除一次异常标志，要不然如果写错一个，再继续写的话就全部都是错误的，不管你写的是什么，也不管后面是不是0XFF都会出问题

对于STM32F1系列的flash编程，仅支持半字编程，即每次写入16位半字，不支持别的格式。再就是注意下地址边界、编程流程，比方开锁、上锁之类的。你可以参考下手册PM0075.同时STM32F1的标准库或Cube库都有相关例程可以参考。

xmshao 发表于 2021-9-15 16:53
对于STM32F1系列的flash编程，仅支持半字编程，即每次写入16位半字，不支持别的格式。再就是注意下地址边界 ...

是半字编程啊，您看我都是每次写16位的数进去，单独写的话没事儿，但是当跨页的时候如果遇到新页是0XFFFF的话是不进行擦除的，这样的话写入会有问题，是不是字节对齐的原因？

xmshao 发表于 2021-9-15 16:53
对于STM32F1系列的flash编程，仅支持半字编程，即每次写入16位半字，不支持别的格式。再就是注意下地址边界 ...

而且您说的PM0075搜索不到啊

xmshao 发表于 2021-9-15 16:53
对于STM32F1系列的flash编程，仅支持半字编程，即每次写入16位半字，不支持别的格式。再就是注意下地址边界 ...

我用的是标准库，例程参考的正点原子的例子，其中他们缺少的清除异常标志位，我也是添加到代码内的，如果不跨页写的话是没问题的
每次写入6个半字

xmshao 发表于 2021-9-15 16:53
对于STM32F1系列的flash编程，仅支持半字编程，即每次写入16位半字，不支持别的格式。再就是注意下地址边界 ...

每次写入6个半字 一页是512个半字，所以只能写入85个半字 剩下两个半字，这一页写入是完全正确的 但是写入剩下4个半字的时候就出错了，第二页是没有经过擦除的，因为第二页起始位置是4个0xFFFF按照手册上是可以写入的，但实际情况是写入后会出现异常，通过memory查看对应地址上的数据，确实没有改变，能解释一下是为什么吗？

xmshao 发表于 2021-9-15 16:53
对于STM32F1系列的flash编程，仅支持半字编程，即每次写入16位半字，不支持别的格式。再就是注意下地址边界 ...

1. /* Porgram FLASH Bank1 ********************************************************/      
   
2.   /* Unlock the Flash Bank1 Program Erase controller */
   
3.   FLASH_UnlockBank1();
   
4. 
   
5.   /* Define the number of page to be erased */
   
6.   NbrOfPage = (BANK1_WRITE_END_ADDR - BANK1_WRITE_START_ADDR) / FLASH_PAGE_SIZE;
   
7. 
   
8.   /* Clear All pending flags */
   
9.   FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);       
   
10. 
    
11.   /* Erase the FLASH pages */
    
12.   for(EraseCounter = 0; (EraseCounter < NbrOfPage) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE); EraseCounter++)
    
13.   {
    
14.     FLASHStatus = FLASH_ErasePage(BANK1_WRITE_START_ADDR + (FLASH_PAGE_SIZE * EraseCounter));
    
15.   }
    
16.   
    
17.   /* Program Flash Bank1 */
    
18.   Address = BANK1_WRITE_START_ADDR;
    
19. 
    
20.   while((Address < BANK1_WRITE_END_ADDR) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE))
    
21.   {
    
22.     FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, Data);
    
23.     Address = Address + 4;
    
24.   }
    
25. 
    
26.   FLASH_LockBank1();
    
27.   
    
28.   /* Check the correctness of written data */
    
29.   Address = BANK1_WRITE_START_ADDR;
    
30. 
    
31.   while((Address < BANK1_WRITE_END_ADDR) && (MemoryProgramStatus != FAILED))
    
32.   {
    
33.     if((*(__IO uint32_t*) Address) != Data)
    
34.     {
    
35.       MemoryProgramStatus = FAILED;
    
36.     }
    
37.     Address += 4;
    
38.   }

复制代码

这个是标准库里的例子，只不过这个是整字写入，我是半字写入，其他无区别

1+1=2 发表于 2021-9-15 21:41
这个是标准库里的例子，只不过这个是整字写入，我是半字写入，其他无区别

不管用哪个库都是可以的。

PM0075是专门介绍STM32F1系列flash编程的用户手册，实在找不到我可以发给你。当然，对于你眼前
问题有没有它或许没有决定性作用，但是了解下基本编程规程为宜。需要的话 可以留下你的邮箱。

你跨页写的话，之前应是被erased过。同时 还要注意地址对齐方面的问题。

1+1=2 发表于 2021-9-15 21:18
每次写入6个半字 一页是512个半字，所以只能写入85个半字 剩下两个半字，这一页写入是完全正确的 但是写 ...

确认下地址对不对，另外，有无对齐方面的问题。

xmshao 发表于 2021-9-16 10:35
不管用哪个库都是可以的。

PM0075是专门介绍STM32F1系列flash编程的用户手册，实在找不到我可以发给你。 ...

您好，PM0075我找到了，里面说的是在写入前确认被擦除过，因为在烧写前，我选择的是全片擦除，所以肯定是擦除了的 ，还是有地址肯定是对的，对齐的话是按照半字写入的，应该不存在没有对齐的情况

xmshao 发表于 2021-9-16 10:37
确认下地址对不对，另外，有无对齐方面的问题。

仿真，一步一步走，地址是没有问题的

xmshao 发表于 2021-9-16 10:37
确认下地址对不对，另外，有无对齐方面的问题。

这个情况，以前在STM32F429上遇到过，当时没注意，这次是想搞明白怎么回事儿，读写过程肯定是没有问题的，只是不清楚为啥写不进去的

xmshao 发表于 2021-9-16 10:37
确认下地址对不对，另外，有无对齐方面的问题。

我还做过一个实验，就是无论什么情况下，都在写入前擦除一次，这样的情况是，每次都能正确的写进去，能解释一下这是为什么吗？

1+1=2 发表于 2021-9-16 16:12
结贴了，最终给大家回复一下是怎么解决的吧，因为我STM32F429和STM32F103读写内部FLASH的例程都是根据正点 ...

嗯 看来根本原因还是地址出了问题。