意法半导体积极布局第三代宽禁带半导体技术，其下SiC和GaN产品和技术组合最为广泛，包括分立器件，模块组合和晶圆裸片，能够实现极为高效和紧凑的系统设计，从而满足未来对可持续发展、绿色能源等优质产品的需求。氮化镓材料非常高的电子迁移率使得器件具有非常低的导通电阻和非常高的开关频率，这是下一代电力电子系统设计的关键优势，意法半导体的GaN产品适用于各种各样的应用，如电源和适配器(PC、便携式电子产品、插座式USB充电器、无线充电器等)、功率因数校正(PFC)，以及DC/DC变换器。在汽车领域，GaN器件非常适合高效电动汽车车载充电器和轻度混合动力DC-DC变换器 。


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氮化镓(GaN)