
nand flash 写数据时 影响 LCD 屏显示 ??? 单片机 : stm32f777 正常显示的图片如下: ![]() 在写nand flash 时,影响 LCD 显示的效果如下: ![]() ![]() 对nand flash 时序设置如下: void MX_FMC_Init(void) { FMC_NAND_PCC_TimingTypeDef ComSpaceTiming; FMC_NAND_PCC_TimingTypeDef AttSpaceTiming; FMC_SDRAM_TimingTypeDef SdramTiming; hnand1.Instance = FMC_NAND_DEVICE; hnand1.Init.NandBank = FMC_NAND_BANK3; hnand1.Init.Waitfeature = FMC_NAND_PCC_WAIT_FEATURE_DISABLE; //关闭等待特性 hnand1.Init.MemoryDataWidth = FMC_NAND_MEM_BUS_WIDTH_8; hnand1.Init.ECCPageSize = FMC_NAND_ECC_PAGE_SIZE_2048BYTE; // FMC_NAND_ECC_PAGE_SIZE_512BYTE; //ECC页大小为1024字节 #if 0 // 测试使用 使用这个设置 速度很慢很慢 hnand1.Init.TCLRSetupTime = 0xa1; /* CLE低和RE低之间的延迟,HCLK周期数 */ hnand1.Init.TARSetupTime = 0x29; /* ALE低和RE低之间的延迟,HCLK周期数 */ ComSpaceTiming.SetupTime = 0xf5; // 1; 0xf5;; //建立时间 资料介绍最少10ns ComSpaceTiming.WaitSetupTime = 0xf3; // 3; 0xf3; //等待时间 ComSpaceTiming.HoldSetupTime = 0xf2; // 1; 0xf2; //保持时间 ComSpaceTiming.HiZSetupTime = 0xf5; // 1; 0xf5; //高阻态时间 #else // 目前使用的是这个设置,在读写 nand flash 时,影响显示, ?????????????????????????????????????????? // 1/216MHz = 4.62962962962963 ns hnand1.Init.TCLRSetupTime = 0x12; // 0x13, 0xa1; CLE低和RE低之间的延迟,HCLK周期数 这个设置的速度 也是很慢,但基本可以读写 ,但会影响到 LCD 显示问题 ?????????????? hnand1.Init.TARSetupTime = 0x18; // 0x19 ALE低和RE低之间的延迟,HCLK周期数 ComSpaceTiming.SetupTime = 7; // 8 //建立时间 资料介绍最少10ns ComSpaceTiming.WaitSetupTime = 15; // 16 //等待时间 tADL ComSpaceTiming.HoldSetupTime = 8; // 8 //保持时间 ComSpaceTiming.HiZSetupTime = 9; // 8 //高阻态时间 AttSpaceTiming.SetupTime = ComSpaceTiming.SetupTime; AttSpaceTiming.WaitSetupTime = ComSpaceTiming.WaitSetupTime; AttSpaceTiming.HoldSetupTime = ComSpaceTiming.HoldSetupTime; AttSpaceTiming.HiZSetupTime = ComSpaceTiming.HiZSetupTime; #endif hnand1.Init.EccComputation = FMC_NAND_ECC_DISABLE; // FMC_NAND_ECC_ENABLE; // FMC_NAND_ECC_DISABLE; //禁止ECC if (HAL_NAND_Init(&hnand1, &ComSpaceTiming, &AttSpaceTiming) != HAL_OK) { Error_Handler(); } // ==================================================================================================================== /** Perform the SDRAM1 memory initialization sequence sdram 读写目前完全没有问题 */ hsdram1.Instance = FMC_SDRAM_DEVICE; /* hsdram1.Init */ hsdram1.Init.SDBank = FMC_SDRAM_BANK1; hsdram1.Init.ColumnBitsNumber = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_10; //列数量 hsdram1.Init.RowBitsNumber = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_13; //行数量 hsdram1.Init.MemoryDataWidth = FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_32; //数据宽度为32位 hsdram1.Init.InternalBankNumber = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4; //一共4个BANK hsdram1.Init.CASLatency = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_3; //CAS为3 hsdram1.Init.WriteProtection = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE; //失能写保护 hsdram1.Init.SDClockPeriod = FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_2; //SDRAM时钟为HCLK/2=216M/2=108M=9.3ns hsdram1.Init.ReadBurst = FMC_SDRAM_RBURST_ENABLE; //使能突发 hsdram1.Init.ReadPipeDelay = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_1; //读通道延时 // MT48LC32M16 -75 IT SdramTiming.LoadToActiveDelay = 2; // 2CLK , 资料要求的时间, 加载模式寄存器到激活时间的延迟为2个时钟周期 SdramTiming.ExitSelfRefreshDelay = 9; // 75ns , 资料要求的时间, 退出自刷新延迟为9个时钟周期 SdramTiming.SelfRefreshTime = 5; // 44ns , 资料要求的时间, 自刷新时间为5个时钟周期 SdramTiming.RowCycleDelay = 7; // 66ns , 资料要求的时间, 行循环延迟为7个时钟周期 SdramTiming.WriteRecoveryTime = 3; // 1CLK + 7.5ns , 资料要求的时间, 恢复延迟为2个时钟周期 SdramTiming.RPDelay = 2; // 20ns , 资料要求的时间,行预充电延迟为2个时钟周期 SdramTiming.RCDDelay = 2; // 20ns , 资料要求的时间, 行到列延迟为2个时钟周期 if (HAL_SDRAM_Init(&hsdram1, &SdramTiming) != HAL_OK) { Error_Handler(); } } |
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nand flash 与 sdram 有些数据引脚是共用的,与 lcd 引脚木有共用的
估计应该就像 2楼版主分析的那样吧