HAL_FLASH_OB_Unlock是用来解锁选项字节区的Flash的，如果要写这个区域的内容，要先执行Flash的解锁 HAL_FLASH_Unlock() 再执行OB区域解锁HAL_FLASH_OB_Unlock，如果只是对普通的Flash区别编程不需要执行HAL_FLASH_OB_Unlock。 STM32单片机各个系列的HAL_FLASH_Program接口都不太统一，在STM32G0上，有两种编程模式：FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD 一次写入8字节，地址需要8字节对齐，可用于编程普通Flash区和OB区域，函数参数中的Data就是一个8字节的待写入数据(uint64_t)。FLASH_TYPEPROGRAM_FAST一次写入256字节，地址需要对齐256字节，只能编程普通Flash，不能写OB区。函数参数中的Data是一个地址，也就是待编程数据的指针，这个指针至少需要4字节对齐吧。 没有字节、半字、单字编程模式。
X-NUCLEO-LPM01A 本质上就是利用STM32的ADC测量电流的硬件平台，如下图所示。 它将结果通过USB VCP 传给上位机，也就是STM32CubeMonitor-Power 软件。 理论上是没有硬件关系。 所以你测量的目标板是什么，动态还是静态测量，测量范围是多少，可以参考厂家的用户手册，保证硬件连接正确，测量范围合适。 另外上位机软件下载新版本，注意采样频率和采样时间的设定即可。获取时间不要选择0.1s。
不知道是哪个型号的STM32，但是如果ADC配置正确的话，至少1M 采样率，可以通过DMA接收数据。 然后就是字符转换占用时间（但传输数据翻倍）+USB 发送时间（由协议和应用场景决定） 所以可以测试USB 传输数据的速度后，USB 一次发送60个字节试试速度，然后打个折，调整ADC的速率得到最大采样速度。
STM32H763的TIM23 TIM24的确是支持中心对齐计数模式的。换言之，手册和CUBEMX配置那里是没问题的。 为什么我们 目前 基于cubeMx创建工程并选择中心对齐计数模式，TIM23/24表现出来却不支持呢？ 后来我发现是目前库代码里有bug，在TIMER初始化过程中，在涉及TIMER的中心对齐计数模式 配置时，代码里会对所用TIMER做资格检查，即看它是否支持中心对齐，在这个检查过程中，目前库代码没有把TIM23 TIM24包含进去，导致检查返回失败，进而中心对齐配置被跳过，使得TIM23/24始终使用默认的向上计数模式。这个地方bug有待后续修复。 目前可以直接修改寄存器的CMS位域 或 临时调整库代码也行。
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