STM32G0B1CCT6是相对比较新的MCU，属于G系列，不支持标准库，所以下文用的是hal库或者ll库。

( Y0 G2 E" N2 g) F5 Y
2 b% _# f4 V( C' i) g( w- ?首先STM32G0B1CCT6是有256kflash的，每页2k，而规格书里面只提到0-63page，相当于128kflash。
/ h: z9 ~3 q# G( }  v/ [9 x对于后128k的flash其实需要切换bank2才能使用。
下图为STM32G0B1CCT6的flash构成
$ p- A8 L% B# d# S) z$ E$ N& U

然后我们先看正常如果要擦除第一页的代码

1. FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
   6 Q  l; J! S6 ]
2. uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
   
3. 
   
4. HAL_FLASH_Unlock();
   6 Y( S+ J5 v# b0 W# {. x# h
5. 
   
6. My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //标明Flash执行页面只做擦除操作
   . h; N, d/ V4 L0 Z( B$ {
7. My_Flash.Page = 0; //声明要擦除的页
   9 u- j& C8 R: |6 G) I: [5 Q9 F
8. My_Flash.NbPages = 1; //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
   ! n3 P# k! z% b" l
9. My_Flash.Banks = FLASH_BANK_1;
   ; T( s& \) J# Z; G  G
10. 
    
11. //调用擦除函数
    9 O+ E2 \; {3 v  P% z9 f
12. if(HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError) == HAL_OK)
    
13. {
    2 l1 R  g+ ]6 ~& m$ o8 S! o* F
14. //3、对FLASH烧写
    7 P. V' Y" J3 e" r& a
15. //MEM_WRITE(FLASH_SYSTEM_DATA_ADDR, buf, 5);
    ( M+ w7 ^" ~: ^% m/ J2 z/ Z! _
16. }
    & T9 Q. ?' Z( a1 t' K) k
17. //4、锁住FLASH
    
18. HAL_FLASH_Lock();

复制代码

7 o7 j; d! }8 X当我们要擦除后128k的第一页的时候，即第64页时，需要把FLASH_BANK_1切换到FLASH_BANK_2
, Y7 U2 Q; G/ K, Y- i% g不能直接在FLASH_BANK_1声明擦除第64页，切换到FLASH_BANK_2后，相应的页数为总页数减64页。

1. FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
   , Z# I/ d; X7 n& ]' ~  X& F
2. uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
   / r+ H  s5 S/ z% \# ?+ b* ^
3. 
   
4. HAL_FLASH_Unlock();
   9 Y) O8 x$ R: T! \- h4 R- g1 C" l
5. 
   4 u1 S1 ?- M' a, F& `8 s8 @+ x
6. My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //标明Flash执行页面只做擦除操作
   4 v+ L! v* S/ Y( E! _9 I% W
7. My_Flash.Page = 0; //声明要擦除的页
   % ~- V, f- ~" @8 U+ b; |6 K4 V
8. My_Flash.NbPages = 1; //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
   
9. My_Flash.Banks = FLASH_BANK_2;
   & L9 v0 t' w5 @
10. 
    
11. //调用擦除函数
    * ^: t2 j) k0 `9 e7 S; P" N
12. if(HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError) == HAL_OK)
    
13. {
    
14. //3、对FLASH烧写
    
15. //MEM_WRITE(FLASH_SYSTEM_DATA_ADDR, buf, 5);
    
16. }
    6 Z, \- D2 r; r& t% i/ {
17. //4、锁住FLASH
    
18. HAL_FLASH_Lock();

复制代码

% v; j  `2 Y2 k* M% X$ W
最后再附上一个ST-programmer和iar的一个小bug。我将这些问题均已反馈到原厂了。
1、如果ST-programmer要单独擦除后128k是擦除失败的，因为软件本身没有切换bank2
2、IAR烧录时该次使用到了后128k，则也是擦除失败导致烧录失败。第一次烧录成功，但是从第二次开始需要擦除到相应flash时，擦除失败就无法下载了（keil应该也是一样）
& K: @6 d- ~& `8 C& p  N
. i6 ^7 K7 p- H$ h3 Y

3 h6 n$ @# L* z) Z* P7 }$ u