STM32G0B1CCT6是相对比较新的MCU，属于G系列，不支持标准库，所以下文用的是hal库或者ll库。

/ ^/ @7 i. e' U0 E) @, o6 {  B
首先STM32G0B1CCT6是有256kflash的，每页2k，而规格书里面只提到0-63page，相当于128kflash。
对于后128k的flash其实需要切换bank2才能使用。
下图为STM32G0B1CCT6的flash构成
4 D6 r" k! T  a) L% P1 S

5 |) s8 d# u( E+ _0 o5 [
然后我们先看正常如果要擦除第一页的代码

1. FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
   4 a* N/ C( H0 i) M4 M! J
2. uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
   
3. 
   + g) P2 r% e% s$ l  y
4. HAL_FLASH_Unlock();
     L5 H; L2 R( `. B
5. 
   ( g+ h. X: v" H, F; z) U
6. My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //标明Flash执行页面只做擦除操作
   
7. My_Flash.Page = 0; //声明要擦除的页
   
8. My_Flash.NbPages = 1; //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
   
9. My_Flash.Banks = FLASH_BANK_1;
   " R4 f4 M( c% i5 o7 K
10. 
    1 G4 L3 @, c6 N% y% |! ]
11. //调用擦除函数
    9 Y- Q' B2 S4 P
12. if(HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError) == HAL_OK)
    2 v% S) a# {, p8 y( n& W/ H
13. {
    1 J$ a% p5 ~+ X2 ?- k- a
14. //3、对FLASH烧写
    
15. //MEM_WRITE(FLASH_SYSTEM_DATA_ADDR, buf, 5);
    / N2 d3 u* P, p% E4 o. g1 c  ]
16. }
    . Q$ ~& [! t' R0 @$ p' G
17. //4、锁住FLASH
    
18. HAL_FLASH_Lock();

复制代码

1 s) R0 w) b" D$ _7 R$ n: m+ \当我们要擦除后128k的第一页的时候，即第64页时，需要把FLASH_BANK_1切换到FLASH_BANK_2
8 a) h/ [: b  S6 \( h+ G不能直接在FLASH_BANK_1声明擦除第64页，切换到FLASH_BANK_2后，相应的页数为总页数减64页。

1. FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
   
2. uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
   
3. 
   " h4 _( W# q; @7 D
4. HAL_FLASH_Unlock();
   
5. 
   8 A$ z* `  x+ _$ Z8 a; v0 N! o  h
6. My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //标明Flash执行页面只做擦除操作
   
7. My_Flash.Page = 0; //声明要擦除的页
   
8. My_Flash.NbPages = 1; //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
   8 Z" D6 `* P8 `% o4 _+ y8 a& a# U
9. My_Flash.Banks = FLASH_BANK_2;
   , v+ Q; W; H" q- M4 g% K
10. 
    
11. //调用擦除函数
    0 W6 d6 f; d' ?, c+ S- n0 @
12. if(HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError) == HAL_OK)
    2 H& G. t# K1 G
13. {
    0 c, n0 ]- l2 |2 N& I2 F
14. //3、对FLASH烧写
    ! }5 e* T$ z, D3 g
15. //MEM_WRITE(FLASH_SYSTEM_DATA_ADDR, buf, 5);
    & v/ Y, O# I. ?1 ]7 ~/ P9 ?
16. }
    1 k7 B! H( S+ l! D1 H
17. //4、锁住FLASH
    . k0 V" L6 O# [$ H8 l
18. HAL_FLASH_Lock();

复制代码

) a+ v( [  ]' U" [最后再附上一个ST-programmer和iar的一个小bug。我将这些问题均已反馈到原厂了。
1、如果ST-programmer要单独擦除后128k是擦除失败的，因为软件本身没有切换bank2
4 c& [. i+ _& H9 H) t$ H6 ~2、IAR烧录时该次使用到了后128k，则也是擦除失败导致烧录失败。第一次烧录成功，但是从第二次开始需要擦除到相应flash时，擦除失败就无法下载了（keil应该也是一样）
# q& g1 f, ?* B8 n" l
$ o. g  t1 n  Q4 v' T0 ~

5 j3 |: W  X6 Q5 D1 i  {, z& X