STM32G0B1CCT6是相对比较新的MCU，属于G系列，不支持标准库，所以下文用的是hal库或者ll库。

1 T! L% J% @0 p* i. \$ q6 P8 `
  Z3 O( n+ j) O, F6 Z1 s! e( X8 D首先STM32G0B1CCT6是有256kflash的，每页2k，而规格书里面只提到0-63page，相当于128kflash。
对于后128k的flash其实需要切换bank2才能使用。
下图为STM32G0B1CCT6的flash构成

5 y% ?9 @9 a# D' Y' C& g( N; z5 {
* m) R3 c; k$ R* u' q! u然后我们先看正常如果要擦除第一页的代码

1. FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
   5 ]4 C+ v: R7 \  h- J$ T
2. uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
   9 C# V2 i- m. _# `% `% m
3. 
   
4. HAL_FLASH_Unlock();
   ) X5 s- Z& ]7 s% S# F8 {
5. 
   ; X) G" ]+ _- F; D: r! Q
6. My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //标明Flash执行页面只做擦除操作
   
7. My_Flash.Page = 0; //声明要擦除的页
   
8. My_Flash.NbPages = 1; //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
   
9. My_Flash.Banks = FLASH_BANK_1;
   ' Q$ B, Y) v% B9 ~; O
10. 
    
11. //调用擦除函数
    
12. if(HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError) == HAL_OK)
    ( _$ J2 K# g* }3 R# E! A
13. {
    7 \3 K$ a0 u# k( d% |4 X/ m# p
14. //3、对FLASH烧写
    8 H% F1 f- c* U, K
15. //MEM_WRITE(FLASH_SYSTEM_DATA_ADDR, buf, 5);
    ; F* U& v9 Q8 a2 Z. w. \) S- e
16. }
    
17. //4、锁住FLASH
    1 Y, R+ a  q# V' C8 q8 N& F
18. HAL_FLASH_Lock();

复制代码

: J: x) e, ]; C5 z- a当我们要擦除后128k的第一页的时候，即第64页时，需要把FLASH_BANK_1切换到FLASH_BANK_2
不能直接在FLASH_BANK_1声明擦除第64页，切换到FLASH_BANK_2后，相应的页数为总页数减64页。
& w6 Q8 u" i1 M9 c3 _0 A( }

1. FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
   7 Q  {8 L; j, S1 g! w9 t* r
2. uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
   * ?2 c" d: s( N
3. 
   $ y* C5 a8 C6 ?6 C' ]) `
4. HAL_FLASH_Unlock();
   ; p% W# T0 G. }' I1 ?  x3 o7 U6 W
5. 
   
6. My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //标明Flash执行页面只做擦除操作
   ( k  {2 l5 k1 B. a" \' e
7. My_Flash.Page = 0; //声明要擦除的页
   
8. My_Flash.NbPages = 1; //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
   1 K4 Y& H( V  r+ x& ~+ u( R, F
9. My_Flash.Banks = FLASH_BANK_2;
   8 f; L5 ]* C; P: K# g! l, z. n
10. 
    1 N; G5 W, m/ i& D$ \. u
11. //调用擦除函数
    
12. if(HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError) == HAL_OK)
    3 a1 Y/ l3 X  j
13. {
    * ~; f9 g$ \* I3 O  u* s: N! n; b
14. //3、对FLASH烧写
    3 d: z- L% e# I4 K) x* U: r
15. //MEM_WRITE(FLASH_SYSTEM_DATA_ADDR, buf, 5);
    ) X& K" z5 X+ t2 [# v
16. }
    
17. //4、锁住FLASH
    
18. HAL_FLASH_Lock();

复制代码

3 m7 v" `$ y& I4 {( h* [  g* Z
最后再附上一个ST-programmer和iar的一个小bug。我将这些问题均已反馈到原厂了。
$ o' X: e. g4 s9 K3 q+ h1、如果ST-programmer要单独擦除后128k是擦除失败的，因为软件本身没有切换bank2
* D. A) W  s. L3 h$ P2、IAR烧录时该次使用到了后128k，则也是擦除失败导致烧录失败。第一次烧录成功，但是从第二次开始需要擦除到相应flash时，擦除失败就无法下载了（keil应该也是一样）
% E, Q: ]5 T1 u" j  a) L0 M, ]
' l7 Z7 {) m# E6 A! h
1 j6 Y( S% j- ~: O4 U( U0 h: o% \/ ?
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