STM32G0B1CCT6是相对比较新的MCU，属于G系列，不支持标准库，所以下文用的是hal库或者ll库。

9 e# R. k- f  J9 \5 U# h1 I. n
" L  u6 ~( q6 q3 x1 x+ }9 {2 T: ^6 z首先STM32G0B1CCT6是有256kflash的，每页2k，而规格书里面只提到0-63page，相当于128kflash。
! n3 G7 D% t$ M4 R, c9 p2 o对于后128k的flash其实需要切换bank2才能使用。
下图为STM32G0B1CCT6的flash构成
: `! H8 Q) a( J# c

然后我们先看正常如果要擦除第一页的代码
. ]5 h% [2 R: V/ h/ C- g3 C

1. FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
   
2. uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
   
3. 
   " j6 i. t8 m# [# X4 f6 c  n
4. HAL_FLASH_Unlock();
   
5. 
   * |: J( F& t' M7 E! \! o- A
6. My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //标明Flash执行页面只做擦除操作
   
7. My_Flash.Page = 0; //声明要擦除的页
   . k) z* Z* V3 i) o: l  m
8. My_Flash.NbPages = 1; //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
   + ?, T% a2 l0 J) a- I, U: M6 b
9. My_Flash.Banks = FLASH_BANK_1;
   
10. 
    
11. //调用擦除函数
    
12. if(HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError) == HAL_OK)
    
13. {
    
14. //3、对FLASH烧写
    
15. //MEM_WRITE(FLASH_SYSTEM_DATA_ADDR, buf, 5);
    9 D2 T1 s9 \2 s4 L9 Q4 @
16. }
    
17. //4、锁住FLASH
    
18. HAL_FLASH_Lock();

复制代码

当我们要擦除后128k的第一页的时候，即第64页时，需要把FLASH_BANK_1切换到FLASH_BANK_2
不能直接在FLASH_BANK_1声明擦除第64页，切换到FLASH_BANK_2后，相应的页数为总页数减64页。
; e9 `" |# U- \% N" m) ~( k9 d

1. FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
   ! D1 j- ^3 d3 J% ?2 W
2. uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
   
3. 
   8 E" d5 v- |( ?  m$ C) g7 _- |3 z
4. HAL_FLASH_Unlock();
   & z& m$ K$ q6 e2 R
5. 
   
6. My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //标明Flash执行页面只做擦除操作
   ) l0 Y! e1 Z( K( |
7. My_Flash.Page = 0; //声明要擦除的页
   
8. My_Flash.NbPages = 1; //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
     }- v2 H0 z" q# k" H+ p9 {
9. My_Flash.Banks = FLASH_BANK_2;
   
10. 
    & q# v2 M5 B/ G" v# V$ N" i* D. [
11. //调用擦除函数
    3 \' n) v8 t* L- O' ^' i
12. if(HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError) == HAL_OK)
    ! ^7 ]$ Q- c4 Y9 }6 v/ W$ Y5 S
13. {
    
14. //3、对FLASH烧写
    
15. //MEM_WRITE(FLASH_SYSTEM_DATA_ADDR, buf, 5);
    
16. }
    ; Y6 i- s" |; g  x4 ^
17. //4、锁住FLASH
    
18. HAL_FLASH_Lock();

复制代码

* n3 s4 r: E8 w' m* y/ e- ^' h0 P
最后再附上一个ST-programmer和iar的一个小bug。我将这些问题均已反馈到原厂了。
0 \: `5 {+ s: u  s/ L2 S1、如果ST-programmer要单独擦除后128k是擦除失败的，因为软件本身没有切换bank2
2、IAR烧录时该次使用到了后128k，则也是擦除失败导致烧录失败。第一次烧录成功，但是从第二次开始需要擦除到相应flash时，擦除失败就无法下载了（keil应该也是一样）
" q$ ^" W8 ?, n- [5 T4 s& A
! L! m& f: F! z! N

( ?' S$ P1 C( q* F. y" K+ a" N