STM32G0B1CCT6是相对比较新的MCU，属于G系列，不支持标准库，所以下文用的是hal库或者ll库。

8 U' I3 e1 _0 f) e; S首先STM32G0B1CCT6是有256kflash的，每页2k，而规格书里面只提到0-63page，相当于128kflash。
对于后128k的flash其实需要切换bank2才能使用。
0 X! f( Z- `8 N& l3 l下图为STM32G0B1CCT6的flash构成

然后我们先看正常如果要擦除第一页的代码

1. FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
   ( Z; V6 S- Z5 x& A& U! Z1 U( K. H
2. uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
   
3. 
   
4. HAL_FLASH_Unlock();
   
5. 
   
6. My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //标明Flash执行页面只做擦除操作
   
7. My_Flash.Page = 0; //声明要擦除的页
   5 R: r! P* j9 U. \" A% I1 i
8. My_Flash.NbPages = 1; //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
   
9. My_Flash.Banks = FLASH_BANK_1;
   4 X. y! [& c5 N9 Y8 R' ]2 B1 f
10. 
    , t" F9 a& f% l2 y* U# C- D/ Y! @- d
11. //调用擦除函数
    / o3 E1 n, X4 k2 L
12. if(HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError) == HAL_OK)
    
13. {
    + d3 `4 O8 b3 {) ^; F; u; n
14. //3、对FLASH烧写
    6 v- v9 U" D. |% a& z( s6 Y
15. //MEM_WRITE(FLASH_SYSTEM_DATA_ADDR, buf, 5);
    2 G4 o1 ^! s: C6 Q& d
16. }
    
17. //4、锁住FLASH
    , T% J5 K2 X) ~- w
18. HAL_FLASH_Lock();

复制代码

当我们要擦除后128k的第一页的时候，即第64页时，需要把FLASH_BANK_1切换到FLASH_BANK_2
2 g# L3 y1 H' ?/ V- i/ {不能直接在FLASH_BANK_1声明擦除第64页，切换到FLASH_BANK_2后，相应的页数为总页数减64页。

1. FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
   7 a( P+ Q  p3 C" X1 O% I
2. uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
   
3. 
   " o# H8 A! M8 A1 `7 F
4. HAL_FLASH_Unlock();
   # p8 a4 {6 i# ]  ^# V' U
5. 
   
6. My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //标明Flash执行页面只做擦除操作
   + o  q$ }  O: F# @; \) m4 v
7. My_Flash.Page = 0; //声明要擦除的页
   , a7 Q; B9 v0 x: j! {. E0 Y$ T) K: z
8. My_Flash.NbPages = 1; //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
   
9. My_Flash.Banks = FLASH_BANK_2;
   & }/ y, J! j' ?, h) x0 r8 M! G# x: V
10. 
    : C. c% P5 n5 V$ {8 M5 Q' T. W
11. //调用擦除函数
    0 T  N: t* e! N3 h& h! G& z
12. if(HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError) == HAL_OK)
    
13. {
    
14. //3、对FLASH烧写
    5 j$ f; [+ U  U( @! D" J8 p
15. //MEM_WRITE(FLASH_SYSTEM_DATA_ADDR, buf, 5);
    ' F( I" e, o/ \$ V2 n9 y
16. }
    
17. //4、锁住FLASH
    
18. HAL_FLASH_Lock();

复制代码

& A! t8 t3 `0 r7 z
* w; g% f& T% x" k; r5 }6 B7 D! c* B最后再附上一个ST-programmer和iar的一个小bug。我将这些问题均已反馈到原厂了。
+ d: O0 }' r$ P8 u/ x$ H9 }1、如果ST-programmer要单独擦除后128k是擦除失败的，因为软件本身没有切换bank2
2、IAR烧录时该次使用到了后128k，则也是擦除失败导致烧录失败。第一次烧录成功，但是从第二次开始需要擦除到相应flash时，擦除失败就无法下载了（keil应该也是一样）