STM32G0B1CCT6是相对比较新的MCU，属于G系列，不支持标准库，所以下文用的是hal库或者ll库。

8 z; h+ `; ?& c! j# I首先STM32G0B1CCT6是有256kflash的，每页2k，而规格书里面只提到0-63page，相当于128kflash。
对于后128k的flash其实需要切换bank2才能使用。
. [8 U8 e4 ?* h1 x# d( d. G下图为STM32G0B1CCT6的flash构成

" z% U+ ?0 w  I+ W; \3 |: }
然后我们先看正常如果要擦除第一页的代码

1. FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
   
2. uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
   2 J- E; i- Z" v
3. 
   
4. HAL_FLASH_Unlock();
   - K% L# Y( V" q+ h/ i
5. 
   ' ]  C4 W- b/ e+ a; p1 N
6. My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //标明Flash执行页面只做擦除操作
   
7. My_Flash.Page = 0; //声明要擦除的页
   
8. My_Flash.NbPages = 1; //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
   , a0 @! E9 i$ k+ ^
9. My_Flash.Banks = FLASH_BANK_1;
   
10. 
    
11. //调用擦除函数
    
12. if(HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError) == HAL_OK)
      @5 a! m0 q7 R: ]/ z/ W
13. {
    ! X6 ?/ t4 P. b+ o# K
14. //3、对FLASH烧写
    
15. //MEM_WRITE(FLASH_SYSTEM_DATA_ADDR, buf, 5);
    
16. }
    
17. //4、锁住FLASH
    
18. HAL_FLASH_Lock();

复制代码

) P& B$ V; b' L1 q; l6 [当我们要擦除后128k的第一页的时候，即第64页时，需要把FLASH_BANK_1切换到FLASH_BANK_2
不能直接在FLASH_BANK_1声明擦除第64页，切换到FLASH_BANK_2后，相应的页数为总页数减64页。
& N/ A( J# |( x* d7 r3 k4 v

1. FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
   , q0 M- l, a5 h2 q
2. uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
   / O( s+ u9 J* H4 E- Z4 ^3 q5 Y
3. 
   
4. HAL_FLASH_Unlock();
   
5. 
   8 c$ A& q( A7 o
6. My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //标明Flash执行页面只做擦除操作
   1 C7 c6 }: h9 x* J5 i% [1 {) {
7. My_Flash.Page = 0; //声明要擦除的页
   ( b/ t! w- H- ?: H2 M
8. My_Flash.NbPages = 1; //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
   ) B. e; O4 o4 h- U3 [! `# S
9. My_Flash.Banks = FLASH_BANK_2;
   ; V- s' n& C  W7 E" X
10. 
    
11. //调用擦除函数
    
12. if(HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError) == HAL_OK)
    
13. {
    6 r- |  E" R5 w3 g' v: d; }$ b
14. //3、对FLASH烧写
    
15. //MEM_WRITE(FLASH_SYSTEM_DATA_ADDR, buf, 5);
    
16. }
    
17. //4、锁住FLASH
    8 D) L$ @0 i6 W3 J
18. HAL_FLASH_Lock();

复制代码

7 h9 Z9 {- a7 V8 z( E3 }最后再附上一个ST-programmer和iar的一个小bug。我将这些问题均已反馈到原厂了。
: x/ G! U' j4 Z5 C  b$ p1、如果ST-programmer要单独擦除后128k是擦除失败的，因为软件本身没有切换bank2
2、IAR烧录时该次使用到了后128k，则也是擦除失败导致烧录失败。第一次烧录成功，但是从第二次开始需要擦除到相应flash时，擦除失败就无法下载了（keil应该也是一样）
( ?7 N( l1 u3 ~

4 v" b% y' b* D
3 r- `, M, N  ?7 M7 E. i! {( W