项目场景：
STM23G070单片机的PD0引脚作为开漏输出的时候，外部接了一个51K上拉电阻到5V，想让PD0开漏输出高的时候是5V，开漏输出低的时候是0V。
9 G- z6 O, D/ B" k
7 @0 I$ a$ V) K4 V) r4 O2 i问题描述：
/ U4 A  E( ?7 K% d( Z5 nSTM23G070单片机的PD0引脚作为开漏输出的时候，外部接了一个51K上拉电阻到5V，单独测试PD0的时候是可以正常的，开漏输出高的时候5V，低的时候可以到0V，但是一旦PD1推挽输出输出高之后，情况就变了，在PD1推挽输出高情况下，PD0开漏输出高的时候却始终只有2.4V，输出低的时候是0V，正常的。

9 H5 g' R  u: o. v) a4 V

3 v5 W" o/ s9 y+ |2 z& ~原因分析：
  w3 I7 `" ^8 K) N9 X$ _' i查阅STM32G0数据手册可知

" X4 e0 l0 a6 c4 M
0 q$ [& t+ l4 V这个引脚的电平类型为FT_c，我们知道FT是容忍5V的意思，那么FT_c是什么意思？不妨看看说明：

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* O" F) E/ q! }
然后去用户手册查看GPIO相关说明，找到以下内容：
+ P7 o9 T1 @! @! ^# T
# v+ R+ |0 |, ?4 t8 s5 y8 K4 h, S

9 y6 Y# S/ h! O  K& |- o+ a0 Y
0 D8 }8 e6 z, F( w7 d基本上了解状况了，再看一下相关寄存器说明：

7 ~; [2 l% L) z2 i7 d" Z2 U8 {

解决方案：
( D% I( B6 [1 S1 f6 H5 ]6 R. U5 }看了以上说明，基本明白怎么操作了。在初始化IO的时候，应该把SYSCFG registers的UCPD2_STROBE位设置一下就ok了。

1. HAL库操作：
   
2. HAL_SYSCFG_StrobeDBattpinsConfig(SYSCFG_CFGR1_UCPD2_STROBE);
   " c$ ?# S3 P& n: _5 o9 m2 l
3. 寄存器操作：
   
4. SYSCFG->CFGR1 |= 0x00600;

复制代码

其实PA8和PA15也是这样的。如果我们不需要这个下拉电阻，需要按照上面的操作调整一下。

* {" n9 p4 ^& C; b1 m

! B3 Z$ L% H( |, e  G

/ T7 R6 L" C  o% B5 Y+ `$ h7 ?( P
: v+ K. A8 s3 G! p. C3 O4 p即TYPE-C充电管理的相关引脚，所以才会有这样的设置。若想进一步了解TYPE-C相关知识，可以自行查找相关资料。
1 t* u) A; u+ X9 k

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3 f! e( d0 K. c/ Q, V$ V: F