STM32L0 内部EEPROM写读
! f$ {0 q" T7 q  @- l8 [7 Y: T& c说明
; t8 }5 l* P7 K+ FSTM32L0内部的EEPROM写操作由解锁，写入，加锁过程组成，读过程则无需解锁。至于STM32L0内部的非易失空间区分为FLASH和EEPROM，主要体现在用ST-LINK等工具进行整片擦除时，只擦除FLASH的空间，EEPROM的部分不会被擦除，如同外部EEPROM芯片，MPU的代码升级不影响EEPROM的内容。后面以内部EEPROM的写读作为范例。
9 a  n. s3 D' B8 Y* x5 @
- d, j9 c7 l+ C0 f: M基础写读函数
定义内部EEPROM的地址空间：
8 `0 J& w" t0 B7 ~; P

1. //STM32L031K6T6
   * Z+ t4 D( o( L5 ~1 j& s; t- }
2. #define EEPROM_BASE_ADDR        0x08080000
   
3. #define EEPROM_BYTE_SIZE        0x03FF

复制代码

: q1 K' R7 o* o$ n  r/ ?基础字节写函数

1. //Byte write
   , O/ u( I+ D5 z' d: e
2. void EEPROM_WRITE(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   
3. {
   
4.         uint16_t i;
   
5.         HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
   9 ~& C; t: q8 R; R& Y9 `
6. 
   
7.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   5 f0 ~7 v" W2 J
8.         for(i=0;i<len;i++)
   + u5 W/ v, p) C- b: Y" M+ Q% o7 U: i" z
9.         {
   4 b9 g% u& i. ~
10.                 status +=HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress+i, *Data);
    $ m% n3 z2 v& k+ \" Z
11.                 Data++;
    2 @. q9 A* Z' ]4 u
12.         }
    
13.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
    
14. }

复制代码

4 a5 p5 C% O$ I8 p基础字节读函数

1. <span style="background-color: rgb(255, 255, 255);">/</span>/Byte read
   
2. void EEPROM_READ(uint16_t BiasAddress,uint8_t *Buffer,uint16_t Len)
   
3. {
     S( B& W" W5 ?3 b) r0 P3 ?" O
4.         uint8_t *wAddr;
   2 O6 r4 U: ?3 ?7 f: p8 D5 l7 t8 q
5.         wAddr=(uint8_t *)(EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress);
   : l: f, J2 R( C; L% v
6.         while(Len--)
   2 |) b% j! F& C5 f1 F7 \2 ^
7.         {
   
8.                 *Buffer++=*wAddr++;
   # h2 j' ]1 U* o5 p
9.         }
   # T" |) a" L1 @9 U0 Z$ f- h
10. }

复制代码

带校验写读函数
如果考虑到写读过程中，可以出现错误的情况，为了保证操作的正确性，需要采用校验方式进行写读。
2 v$ p' b. v* A5 f/ O3 ~0 q8 B对于写过程，需要将写入的数据，读回做比较。
对于读过程，需要将两次读回的数据，进行比较。
如果比较正确，则操作完成。
9 g0 l( l% ]% P如果错误，可重新进行写或读操作，并在设定的重新操作次数范围内，进行重新操作识别，如果正确，则报告正确，如果错误，则报告错误。
" h- V8 E7 c  N1 O1 d
设定重复校验次数
- Q* s! f' f  i& s/ [2 w/ [

1. #include <string.h>
   
2. #define iEEPROM_CHECK_NUM 2

复制代码

7 a0 ~4 |( [0 `5 e9 Y: x
; h1 R. L: u; V1 G- H6 C+ w3 ~带操作校验的写函数

1. HAL_StatusTypeDef EEPROM_WRITE_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   : f8 ?3 @& V1 A- C( e; h! b
2. {
   
3.         uint8_t buff[len];
   8 D: c: P  s' L& Z* Y* O! q" P
4.         uint16_t i;
   
5.         for (i=0;i<iEEPROM_CHECK_NUM;i++)
     G. a* s6 G( l% g# K& }4 D* M
6.         {
   
7.                 EEPROM_WRITE(BiasAddress, Data, len);
     P  b; }% h- A( H6 A: p' F. |$ h
8.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff, len);
   5 u5 S8 h% ]6 r/ q4 G
9.                 if (memcmp(Data, buff, len)==0)
   
10.                 {
    ( W; {; H( R# c) y$ c/ z5 z
11.                         return HAL_OK;
    / I+ e) A! o# J2 x
12.                 }
    
13.         }
    
14. 
      V/ z: T# k0 y$ @! B" m6 b
15.         return HAL_ERROR;
    
16. }

复制代码

带操作校验的读函数

1. HAL_StatusTypeDef EEPROM_Read_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   
2. {
   ! @2 F" u$ ^9 d
3.         uint8_t buff0[len];
   7 _" u+ R# h. u. P; P9 {+ u) \7 m
4.         uint8_t buff1[len];
   1 S& e% E* o) g
5.         uint16_t i;
   4 Z1 G5 Q1 w0 Z, C
6.         for (i=0;i<iEEPROM_CHECK_NUM;i++)
   
7.         {
   
8.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff0, len);
   
9.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff1, len);
   4 Y, C8 |+ E4 d
10. 
    
11.                 if (memcmp(buff0, buff1, len)==0)
    
12.                 {
    
13.                         memcpy(Data, buff0, len);
    
14.                         return HAL_OK;
    6 D# {& v$ c% p3 b* V' a
15.                 }
    9 z) Y+ i7 C5 b! N6 k# e1 J; s6 {
16.         }
    & H* i' M8 X- v
17. 
    
18.         return HAL_ERROR;
    
19. }

复制代码

$ _8 ~+ |5 x$ B6 q: w其中BiasAddress为0对应内部EEPROM的0地址（EEPROM_BASE_ADDR定义了其基址），Data为数据字节指针，len为操作字节长度。

需要注意的是，基于工艺制程和设计，EEPROM的使用也分为两种，其中一种和FRAM相似，可以直接进行写入而不需要提前擦除，STM32内部的EEPROM也是这一种；另外一种和FLASH相似，需要先进行基于Page的擦除后才能正确写入，对于有的EEPROM，支持基于Page最小为Byte单元的擦除。
7 ~7 K0 h# _4 w
HAL提供的内部EEPROM擦除函数, 只是进行一个word的擦除，即在某个地址上将数据改写为0x00000000, 和直接调用写函数在该地址写入0x00000000效果一样。HAL的内部EEPROM擦除函数如下：

  e. }. w5 H; D. E  P1 t4 z9 p

1. /**
   0 B6 c) K) T3 S
2.   * @brief  Erase a word in data memory.
   
3.   * @param  Address specifies the address to be erased.
   $ a( @: s* M+ w& f
4.   * @note   To correctly run this function, the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock() function
   
5.   *         must be called before.
   7 i4 p# U$ L& m2 ~6 n
6.   *         Call the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock() to the data EEPROM access
   # f/ Q2 Z7 W! @' Z
7.   *         and Flash program erase control register access(recommended to protect
   ( W3 v+ F; C3 B6 h" ?/ b% I
8.   *         the DATA_EEPROM against possible unwanted operation).
   : P# C2 @7 L) E! y/ w9 M' p
9.   * @retval HAL_StatusTypeDef HAL Status
   + g1 p* [9 q7 p3 u0 k1 ?0 H. V7 k
10.   */
    ! ]4 G1 }# v, n* V- S& G' t; P
11. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t Address)
    
12. {
    
13.   HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
    4 N7 Z, G; ?8 C3 B$ J% S* J
14. 
    
15.   /* Check the parameters */
    / D+ T+ B3 u2 ^# E
16.   assert_param(IS_FLASH_DATA_ADDRESS(Address));
    5 ^: j1 P- w7 r* m8 s% }& x2 _; t
17. 
    ' i  n7 w7 K, g: e2 c# h
18.   /* Wait for last operation to be completed */
    5 Z. H3 M# e8 H2 F3 r6 N  l
19.   status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    + a9 L7 `1 l* E' H
20. 
    6 m4 V3 Y; F  H+ Z' ?2 X; A
21.   if(status == HAL_OK)
    
22.   {
    
23.     /* Clean the error context */
    
24.     pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;
    
25. 
    
26.       /* Write 00000000h to valid address in the data memory */
    
27.       *(__IO uint32_t *) Address = 0x00000000U;
    6 i9 ?& I9 g; r. m
28. 
    
29.     status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    ) b6 n* W/ U% v) t) K) h" \
30.   }
    
31. 
    8 N, r/ B; g+ X" t- U( }
32.   /* Return the erase status */
    
33.   return status;
    / }3 m1 _8 i8 [5 V
34. }  

复制代码

- C4 H3 Z$ A' i6 V, k5 M上述的代码，如果要用于STM32内部FLASH的操作，还需要增加页擦除操作。