STM32L0 内部EEPROM写读
说明
$ l1 V$ a( S$ v- t- ]; FSTM32L0内部的EEPROM写操作由解锁，写入，加锁过程组成，读过程则无需解锁。至于STM32L0内部的非易失空间区分为FLASH和EEPROM，主要体现在用ST-LINK等工具进行整片擦除时，只擦除FLASH的空间，EEPROM的部分不会被擦除，如同外部EEPROM芯片，MPU的代码升级不影响EEPROM的内容。后面以内部EEPROM的写读作为范例。

基础写读函数
定义内部EEPROM的地址空间：
7 e9 E2 ]" g& b/ l

1. //STM32L031K6T6
   
2. #define EEPROM_BASE_ADDR        0x08080000
   & }5 @( S+ }* N4 ^) g0 }% |
3. #define EEPROM_BYTE_SIZE        0x03FF

复制代码

9 j8 \# M, O# F6 v9 d基础字节写函数
# ^' f4 N' D/ [7 k' @3 ?

1. //Byte write
   
2. void EEPROM_WRITE(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   ) b" X& U1 W7 ?, @  F2 t; S* e6 V
3. {
   
4.         uint16_t i;
   5 Z% n: L) V5 K& r& p5 H
5.         HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
   
6. 
   , j$ R9 }% b6 o+ k3 @- N
7.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   
8.         for(i=0;i<len;i++)
   : y6 u# r: J5 `7 ~2 O; a4 p
9.         {
   
10.                 status +=HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress+i, *Data);
    
11.                 Data++;
    
12.         }
    " C) b+ q) ^3 D4 T7 @8 Y
13.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
    
14. }

复制代码

基础字节读函数

1. <span style="background-color: rgb(255, 255, 255);">/</span>/Byte read
   
2. void EEPROM_READ(uint16_t BiasAddress,uint8_t *Buffer,uint16_t Len)
   0 E3 i+ [* z! E: v3 `
3. {
   
4.         uint8_t *wAddr;
   
5.         wAddr=(uint8_t *)(EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress);
   
6.         while(Len--)
   $ |0 S5 x0 Z& [6 r
7.         {
   
8.                 *Buffer++=*wAddr++;
   
9.         }
   
10. }

复制代码

带校验写读函数
5 K% ^" ]8 T$ N如果考虑到写读过程中，可以出现错误的情况，为了保证操作的正确性，需要采用校验方式进行写读。
对于写过程，需要将写入的数据，读回做比较。
对于读过程，需要将两次读回的数据，进行比较。
5 R+ {7 U6 G" D+ s2 t' l如果比较正确，则操作完成。
$ e1 u* S' k- Q如果错误，可重新进行写或读操作，并在设定的重新操作次数范围内，进行重新操作识别，如果正确，则报告正确，如果错误，则报告错误。

8 |+ v7 Z$ }/ V. e6 e设定重复校验次数
  T$ D$ o! n0 C& ?4 E8 r4 X

1. #include <string.h>
   3 G( j, l4 _+ M, X
2. #define iEEPROM_CHECK_NUM 2

复制代码

; q. e. ^0 ~  Q- b  B
7 o+ d( _% L; H% f带操作校验的写函数
. f* z9 \7 d0 ~' f, S7 N% L

1. HAL_StatusTypeDef EEPROM_WRITE_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   & i- y4 b) r, f& ^' \
2. {
   6 \- G5 f# J# h0 \
3.         uint8_t buff[len];
   
4.         uint16_t i;
   ; G8 `3 S. J. s" G
5.         for (i=0;i<iEEPROM_CHECK_NUM;i++)
   . A3 E7 J" N& N/ G: B4 ~, q, t) V
6.         {
   , p% _6 [; G! L8 N$ C7 y
7.                 EEPROM_WRITE(BiasAddress, Data, len);
   
8.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff, len);
   
9.                 if (memcmp(Data, buff, len)==0)
   " O6 ~$ t5 O  t& V' l
10.                 {
    
11.                         return HAL_OK;
    % J9 X" S/ E: g
12.                 }
    
13.         }
    
14. 
    
15.         return HAL_ERROR;
    5 ^) m- n# ?5 V. K
16. }

复制代码

带操作校验的读函数

1. HAL_StatusTypeDef EEPROM_Read_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   ( i7 T: X1 c# O1 D1 h
2. {
   
3.         uint8_t buff0[len];
   0 V$ J. S9 C/ o: g- g+ z/ y
4.         uint8_t buff1[len];
   # u  k- y( T8 D& u3 N
5.         uint16_t i;
   5 h7 D, P7 y, V/ }5 o
6.         for (i=0;i<iEEPROM_CHECK_NUM;i++)
   - A6 d4 ?2 s& @; M3 \: o
7.         {
   5 _6 _0 M, w) r8 ~( x# c; h
8.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff0, len);
   5 I  i. }( K4 h" t9 V
9.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff1, len);
   / Y/ A9 _) }% Q0 E: b
10. 
    8 H' L/ z: v$ Z4 k6 \
11.                 if (memcmp(buff0, buff1, len)==0)
    & P4 Z$ [' H. d7 G# }! M; Q3 G
12.                 {
    0 [8 z& C$ L: }- _" L
13.                         memcpy(Data, buff0, len);
    + d5 o0 P0 q2 `6 R/ q/ n
14.                         return HAL_OK;
    # B3 s% @# |! w1 `
15.                 }
    $ ^4 e, c7 o! B6 i5 u6 e5 o
16.         }
    $ E4 `' u9 r6 ], c2 j
17. 
    " U6 z( f  o+ a! L( n
18.         return HAL_ERROR;
    
19. }

复制代码

6 n5 c$ @" Z- U6 m2 _- _7 F其中BiasAddress为0对应内部EEPROM的0地址（EEPROM_BASE_ADDR定义了其基址），Data为数据字节指针，len为操作字节长度。

需要注意的是，基于工艺制程和设计，EEPROM的使用也分为两种，其中一种和FRAM相似，可以直接进行写入而不需要提前擦除，STM32内部的EEPROM也是这一种；另外一种和FLASH相似，需要先进行基于Page的擦除后才能正确写入，对于有的EEPROM，支持基于Page最小为Byte单元的擦除。
9 r0 d% |7 T9 t
, u% p7 O7 m0 H+ f. lHAL提供的内部EEPROM擦除函数, 只是进行一个word的擦除，即在某个地址上将数据改写为0x00000000, 和直接调用写函数在该地址写入0x00000000效果一样。HAL的内部EEPROM擦除函数如下：

% r  Y# f5 s$ X

1. /**
   $ z1 C( K7 ~7 ^0 C8 Y
2.   * @brief  Erase a word in data memory.
   ) I% E6 H& l; B' I/ ]6 \
3.   * @param  Address specifies the address to be erased.
   & }( p. K3 W! v% o( J7 o! @
4.   * @note   To correctly run this function, the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock() function
   9 ^  _1 e3 H; n0 H& m: I1 q
5.   *         must be called before.
   2 S* P  U8 b* L+ @/ S  I9 n) X
6.   *         Call the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock() to the data EEPROM access
   
7.   *         and Flash program erase control register access(recommended to protect
   
8.   *         the DATA_EEPROM against possible unwanted operation).
   
9.   * @retval HAL_StatusTypeDef HAL Status
   
10.   */
    * P9 g0 V* k2 r# E$ u; g1 K
11. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t Address)
    
12. {
    
13.   HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
    
14. 
      r/ S4 A! a6 F, s' T! l
15.   /* Check the parameters */
    
16.   assert_param(IS_FLASH_DATA_ADDRESS(Address));
    ; z5 l" j/ s' H
17. 
    
18.   /* Wait for last operation to be completed */
    . n8 U8 k- w- d- Y% v
19.   status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    
20. 
    ! u: B! Q' H+ x3 h' w( c. H
21.   if(status == HAL_OK)
    
22.   {
    
23.     /* Clean the error context */
    
24.     pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;
    ' U; ]: h: a5 s2 ]  g+ y0 |  M
25. 
    9 B# Y& y7 p* k3 @( A9 z+ K
26.       /* Write 00000000h to valid address in the data memory */
    
27.       *(__IO uint32_t *) Address = 0x00000000U;
    
28. 
    
29.     status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    
30.   }
    1 U; P5 w( ]2 }
31. 
    ( C+ f/ c4 ?! v) b' b8 p
32.   /* Return the erase status */
    ' [: R: B. m4 ^1 l; M* |& x
33.   return status;
    
34. }  

复制代码

* H( v* z$ C' ]; ~0 G" ?上述的代码，如果要用于STM32内部FLASH的操作，还需要增加页擦除操作。
8 f% H+ ?" |" G+ p) z