STM32L0 内部EEPROM写读
说明
STM32L0内部的EEPROM写操作由解锁，写入，加锁过程组成，读过程则无需解锁。至于STM32L0内部的非易失空间区分为FLASH和EEPROM，主要体现在用ST-LINK等工具进行整片擦除时，只擦除FLASH的空间，EEPROM的部分不会被擦除，如同外部EEPROM芯片，MPU的代码升级不影响EEPROM的内容。后面以内部EEPROM的写读作为范例。

! J- m! `. ~$ j+ s* @1 D基础写读函数
! h* K3 }% H) v0 o5 t* W) P7 F0 ~定义内部EEPROM的地址空间：
6 l9 R+ N3 M3 U8 D2 o# w) X

1. //STM32L031K6T6
   
2. #define EEPROM_BASE_ADDR        0x08080000
   
3. #define EEPROM_BYTE_SIZE        0x03FF

复制代码

+ A7 E, y* V% ^; f  k基础字节写函数

1. //Byte write
   3 G+ E; w" N% X' l7 F- G2 O
2. void EEPROM_WRITE(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   
3. {
   ) v+ h7 K: {/ ^0 g# b
4.         uint16_t i;
     X" E0 ~7 E8 c% J
5.         HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
   
6. 
   . a; P# I) Q/ k2 X. ?
7.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   
8.         for(i=0;i<len;i++)
   
9.         {
   3 Q& b! f. Y) h: h+ X
10.                 status +=HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress+i, *Data);
    2 H8 x/ W8 i4 E; P8 ?! r; `
11.                 Data++;
    9 Q; J! c. o$ [7 M
12.         }
    4 L# `: V* a$ w  h: A
13.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
    
14. }

复制代码

基础字节读函数

1. <span style="background-color: rgb(255, 255, 255);">/</span>/Byte read
   " o+ v# D% J! ~. e0 ?
2. void EEPROM_READ(uint16_t BiasAddress,uint8_t *Buffer,uint16_t Len)
   
3. {
   * _+ J  k; r. e* Q" [! b' H1 [* E- Z
4.         uint8_t *wAddr;
   
5.         wAddr=(uint8_t *)(EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress);
   
6.         while(Len--)
     n3 _% N. ~. P2 \2 h& N
7.         {
   
8.                 *Buffer++=*wAddr++;
   
9.         }
   
10. }

复制代码

" p& x  ?' \1 P$ F4 `9 W% Z: v9 ?/ J0 _带校验写读函数
3 z' w. P7 p  @/ u, i1 B; z* c如果考虑到写读过程中，可以出现错误的情况，为了保证操作的正确性，需要采用校验方式进行写读。
6 _; C% c% y# r对于写过程，需要将写入的数据，读回做比较。
对于读过程，需要将两次读回的数据，进行比较。
+ N+ c1 D4 V/ b1 n. i! R如果比较正确，则操作完成。
如果错误，可重新进行写或读操作，并在设定的重新操作次数范围内，进行重新操作识别，如果正确，则报告正确，如果错误，则报告错误。

, _# W7 f8 b( |2 D设定重复校验次数
! i' U  O# N4 Z

1. #include <string.h>
   * k" U0 l8 o* Y
2. #define iEEPROM_CHECK_NUM 2

复制代码

0 P; s. \* i" n7 Q带操作校验的写函数
' B2 D. Z4 t& u

1. HAL_StatusTypeDef EEPROM_WRITE_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   6 ^) N4 s( P1 ^2 |  n9 s
2. {
   
3.         uint8_t buff[len];
   
4.         uint16_t i;
   3 `) a3 E& F$ v* z5 f" J
5.         for (i=0;i<iEEPROM_CHECK_NUM;i++)
   7 M. K& E# T' O) [' @
6.         {
   
7.                 EEPROM_WRITE(BiasAddress, Data, len);
   6 q* u/ }! H4 C, L/ [: {% n
8.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff, len);
   
9.                 if (memcmp(Data, buff, len)==0)
   ! R, m  @- q9 o( }# H4 \- R
10.                 {
    7 ~4 D1 r- C! h1 _& ~: e( Q; ~
11.                         return HAL_OK;
    
12.                 }
    
13.         }
    5 C9 b2 D/ f. z; \7 {6 s+ V
14. 
    7 K- k% d& b+ I" H
15.         return HAL_ERROR;
    
16. }

复制代码

带操作校验的读函数
/ |: r3 d/ v& y5 z

1. HAL_StatusTypeDef EEPROM_Read_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   2 |8 u0 {$ d' a  ^% _/ v
2. {
   " W7 z! v) s! D9 P2 ^3 q
3.         uint8_t buff0[len];
   
4.         uint8_t buff1[len];
   4 p9 P! U) V( j4 y
5.         uint16_t i;
   ( B' ~# P: I& u$ @' y: q
6.         for (i=0;i<iEEPROM_CHECK_NUM;i++)
   
7.         {
   9 G: S4 m7 X4 k8 f* w5 i1 j# _
8.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff0, len);
   
9.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff1, len);
   ' a9 p( f& }  a2 L
10. 
    - s2 v( d+ _0 ~1 I2 x
11.                 if (memcmp(buff0, buff1, len)==0)
    & ~, G+ ~; f! [( A6 ^
12.                 {
    " b' Q8 M/ m" w# Q. K
13.                         memcpy(Data, buff0, len);
    
14.                         return HAL_OK;
    
15.                 }
    ( e9 n" B. n# b: o7 |% L" N
16.         }
    ! \6 d! o3 @6 S: L' T
17. 
    3 j$ G) Q' z  r$ y
18.         return HAL_ERROR;
    - j7 ]3 S9 o. k' }. E
19. }

复制代码

9 F; d+ p. v4 i2 y其中BiasAddress为0对应内部EEPROM的0地址（EEPROM_BASE_ADDR定义了其基址），Data为数据字节指针，len为操作字节长度。

7 }/ o7 _: B/ k  e; I需要注意的是，基于工艺制程和设计，EEPROM的使用也分为两种，其中一种和FRAM相似，可以直接进行写入而不需要提前擦除，STM32内部的EEPROM也是这一种；另外一种和FLASH相似，需要先进行基于Page的擦除后才能正确写入，对于有的EEPROM，支持基于Page最小为Byte单元的擦除。
) U) A( `! q1 h* u2 T+ B' e2 f9 ]
% y/ @  ~0 {2 e. K0 Y, pHAL提供的内部EEPROM擦除函数, 只是进行一个word的擦除，即在某个地址上将数据改写为0x00000000, 和直接调用写函数在该地址写入0x00000000效果一样。HAL的内部EEPROM擦除函数如下：
% O8 ~6 ]& ]( S% D  x

1. /**
   9 H9 B3 z2 M: F6 h# k' w
2.   * @brief  Erase a word in data memory.
   ( X. ]% {" G: p5 q
3.   * @param  Address specifies the address to be erased.
   
4.   * @note   To correctly run this function, the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock() function
   6 t% I0 G# B  e) [8 X
5.   *         must be called before.
   1 I# p, q% r  W; R) H# M4 n' [; f
6.   *         Call the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock() to the data EEPROM access
   
7.   *         and Flash program erase control register access(recommended to protect
   
8.   *         the DATA_EEPROM against possible unwanted operation).
   
9.   * @retval HAL_StatusTypeDef HAL Status
   
10.   */
    
11. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t Address)
    
12. {
    - b1 M+ t' H8 d7 I3 s0 X( @
13.   HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
    - d0 W2 s: O4 k7 J8 m
14. 
    ) R5 W2 E! ^7 [3 o
15.   /* Check the parameters */
    
16.   assert_param(IS_FLASH_DATA_ADDRESS(Address));
    
17. 
    
18.   /* Wait for last operation to be completed */
    
19.   status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    
20. 
    % S. q( U0 w" i. M
21.   if(status == HAL_OK)
    
22.   {
    6 E$ c# B$ N$ [6 T' y5 a
23.     /* Clean the error context */
    % n7 `% C+ q3 B! Q5 Q
24.     pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;
    ( K  [' }' J( @
25. 
    / |" k1 I2 g' X
26.       /* Write 00000000h to valid address in the data memory */
    ) Q$ Z. q+ `/ l" n6 X+ X+ j  i
27.       *(__IO uint32_t *) Address = 0x00000000U;
    
28. 
    7 Z0 B% W1 e1 P/ p4 v5 a) X6 U2 c7 b1 }
29.     status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    
30.   }
    ' w2 e1 G  {/ a: m0 E9 z  q) C3 h
31. 
    
32.   /* Return the erase status */
    ) k$ m4 J1 |( W+ ]3 P5 n" g1 t6 m
33.   return status;
    - ?! h, _7 ]3 ~4 s, v
34. }  

复制代码

上述的代码，如果要用于STM32内部FLASH的操作，还需要增加页擦除操作。