STM32L0 内部EEPROM写读
说明
STM32L0内部的EEPROM写操作由解锁，写入，加锁过程组成，读过程则无需解锁。至于STM32L0内部的非易失空间区分为FLASH和EEPROM，主要体现在用ST-LINK等工具进行整片擦除时，只擦除FLASH的空间，EEPROM的部分不会被擦除，如同外部EEPROM芯片，MPU的代码升级不影响EEPROM的内容。后面以内部EEPROM的写读作为范例。
% m) {. \9 ?7 O4 {1 X
' P9 d( Y% v2 \) ^- Z. d' {基础写读函数
定义内部EEPROM的地址空间：
( C( x- j; D1 {" g. G( l; z2 K

1. //STM32L031K6T6
   * {8 t* B9 N/ p" F- ]& U
2. #define EEPROM_BASE_ADDR        0x08080000
   
3. #define EEPROM_BYTE_SIZE        0x03FF

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0 A/ y/ U( T8 e( a+ P6 `基础字节写函数
# K9 ?1 h0 G' H3 l) t9 Y

1. //Byte write
   : ], }( K! S5 u" B
2. void EEPROM_WRITE(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   
3. {
   
4.         uint16_t i;
   4 z9 S8 R( k% y5 y) {' `
5.         HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
   
6. 
   
7.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   % V& Z" i# H: d$ U! H/ o5 A' ^
8.         for(i=0;i<len;i++)
   9 x, H( o1 W. g1 C/ Q+ }2 B
9.         {
   : H# _) {  Y5 t4 D7 s! N6 R. a( x
10.                 status +=HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress+i, *Data);
    + B% q# Y9 W& Z& B% t: n& P2 y- l
11.                 Data++;
    ) ?4 Y$ o8 @- E0 W3 n. d
12.         }
    
13.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
    4 v! L, i! O- A$ ]6 A
14. }

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/ s6 M1 E2 V4 Y0 M. X8 V基础字节读函数

1. <span style="background-color: rgb(255, 255, 255);">/</span>/Byte read
   ' ^5 a2 `8 C/ X; y* ~, J& z
2. void EEPROM_READ(uint16_t BiasAddress,uint8_t *Buffer,uint16_t Len)
   
3. {
   
4.         uint8_t *wAddr;
   8 j: Z: s( ]* W$ O" |* ?- d& p) p' l
5.         wAddr=(uint8_t *)(EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress);
   
6.         while(Len--)
   * G' u$ v  {* j; N
7.         {
   # s( ~$ n( `2 V) S+ s0 Q4 g
8.                 *Buffer++=*wAddr++;
   ( {" G4 ^+ c% `3 Q4 i8 c
9.         }
   
10. }

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带校验写读函数
如果考虑到写读过程中，可以出现错误的情况，为了保证操作的正确性，需要采用校验方式进行写读。
- {3 o6 b' |4 M) x5 X6 p对于写过程，需要将写入的数据，读回做比较。
/ b$ c" D- B7 C! S) `对于读过程，需要将两次读回的数据，进行比较。
如果比较正确，则操作完成。
: \1 Q7 \- ]' [如果错误，可重新进行写或读操作，并在设定的重新操作次数范围内，进行重新操作识别，如果正确，则报告正确，如果错误，则报告错误。

& ]6 u: L6 w1 Z+ w4 [设定重复校验次数

1. #include <string.h>
   
2. #define iEEPROM_CHECK_NUM 2

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8 t% I( N3 [9 z' e! d带操作校验的写函数
, x1 Q' l+ ^; m! g$ K) {

1. HAL_StatusTypeDef EEPROM_WRITE_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   3 D  D$ }* `4 V2 J; ?
2. {
   
3.         uint8_t buff[len];
   
4.         uint16_t i;
   
5.         for (i=0;i<iEEPROM_CHECK_NUM;i++)
   
6.         {
     X& b& B$ u# c+ U/ n- d! t, s
7.                 EEPROM_WRITE(BiasAddress, Data, len);
   
8.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff, len);
   
9.                 if (memcmp(Data, buff, len)==0)
   
10.                 {
    * b: r1 Y1 ]5 c* {
11.                         return HAL_OK;
    - f: I/ g2 B/ o+ o4 i3 ]# @; e% `6 J
12.                 }
    
13.         }
    
14. 
    1 C5 b" I4 o# K- B
15.         return HAL_ERROR;
    
16. }

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+ e/ j) Z% p/ L" g带操作校验的读函数
) g- ~! B! S4 Y

1. HAL_StatusTypeDef EEPROM_Read_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   9 I2 p& e6 C/ H! c! ?+ F2 i7 H# S* b
2. {
   1 L5 l& [: _1 Y7 v/ T
3.         uint8_t buff0[len];
   8 S. e- {' A; c. N
4.         uint8_t buff1[len];
   3 ?1 Y8 n" a* E2 q% V. d- U, W
5.         uint16_t i;
   
6.         for (i=0;i<iEEPROM_CHECK_NUM;i++)
   
7.         {
   
8.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff0, len);
   3 T* |7 G$ c0 J  s$ n& p6 x" n
9.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff1, len);
   
10. 
    
11.                 if (memcmp(buff0, buff1, len)==0)
    
12.                 {
    7 q" ?) [% U9 ]" d! v
13.                         memcpy(Data, buff0, len);
    ( w' G1 |$ i4 N- O3 Z
14.                         return HAL_OK;
    0 n- b/ }' N& ?3 o' r( ~
15.                 }
    
16.         }
    ! X% G" r3 N7 V/ n7 i
17. 
    
18.         return HAL_ERROR;
    
19. }

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其中BiasAddress为0对应内部EEPROM的0地址（EEPROM_BASE_ADDR定义了其基址），Data为数据字节指针，len为操作字节长度。

! ^" d5 H- P/ c; Q& U需要注意的是，基于工艺制程和设计，EEPROM的使用也分为两种，其中一种和FRAM相似，可以直接进行写入而不需要提前擦除，STM32内部的EEPROM也是这一种；另外一种和FLASH相似，需要先进行基于Page的擦除后才能正确写入，对于有的EEPROM，支持基于Page最小为Byte单元的擦除。
% R2 @" i9 u. a3 g  w
8 O: |1 l' h) @HAL提供的内部EEPROM擦除函数, 只是进行一个word的擦除，即在某个地址上将数据改写为0x00000000, 和直接调用写函数在该地址写入0x00000000效果一样。HAL的内部EEPROM擦除函数如下：
8 [9 w& c* h2 R* E8 P! P

1. /**
   ) h9 y# c$ m/ E& p- T: L  K
2.   * @brief  Erase a word in data memory.
   
3.   * @param  Address specifies the address to be erased.
   
4.   * @note   To correctly run this function, the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock() function
   
5.   *         must be called before.
   
6.   *         Call the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock() to the data EEPROM access
   : d- k' t/ Y: H2 Z, w8 K
7.   *         and Flash program erase control register access(recommended to protect
   / |2 T& ]+ W) k4 N
8.   *         the DATA_EEPROM against possible unwanted operation).
   / G! s- w, M' C$ h
9.   * @retval HAL_StatusTypeDef HAL Status
   / u" i2 {( q* ^% p, Y4 `* T
10.   */
    
11. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t Address)
    - B1 v  ?, o+ T
12. {
    
13.   HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
    ! ?$ ^/ P5 @  u; x9 H
14. 
    . v! r! U8 X1 e
15.   /* Check the parameters */
    2 n; _) g( r5 n
16.   assert_param(IS_FLASH_DATA_ADDRESS(Address));
    3 ?  q/ o8 I! L7 O. y
17. 
    
18.   /* Wait for last operation to be completed */
    
19.   status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    
20. 
    6 {: ^; d# n4 m) J
21.   if(status == HAL_OK)
    9 |* |* E* `) d+ i- _8 F
22.   {
    / _, s2 K) g/ |; D0 G
23.     /* Clean the error context */
    - P& B+ ^& a, c
24.     pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;
    
25. 
    
26.       /* Write 00000000h to valid address in the data memory */
    ; h+ W# q- S( U
27.       *(__IO uint32_t *) Address = 0x00000000U;
    ! y- e+ K; k) t7 c4 l7 s
28. 
    
29.     status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    + }; C! @' _4 x# l6 U7 U
30.   }
    
31. 
    
32.   /* Return the erase status */
    2 W. z! A4 j& `7 }( }- I, z
33.   return status;
    
34. }  

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1 C6 n- _- l" S3 q上述的代码，如果要用于STM32内部FLASH的操作，还需要增加页擦除操作。

$ q" P; u. Z. V  a
6 X" S" E9 l5 T9 @0 a