STM32L0 内部EEPROM写读
/ z$ D! ]  E* w说明
8 W5 H6 v' h( Z/ fSTM32L0内部的EEPROM写操作由解锁，写入，加锁过程组成，读过程则无需解锁。至于STM32L0内部的非易失空间区分为FLASH和EEPROM，主要体现在用ST-LINK等工具进行整片擦除时，只擦除FLASH的空间，EEPROM的部分不会被擦除，如同外部EEPROM芯片，MPU的代码升级不影响EEPROM的内容。后面以内部EEPROM的写读作为范例。
& X! k' a& y$ u
6 n. Q+ _, U/ ~9 M基础写读函数
- E3 z7 F; [6 [( R' v! c( x定义内部EEPROM的地址空间：
* b7 X. |2 y/ V$ ?6 k

1. //STM32L031K6T6
   , ]2 c5 M6 }4 \# y  Q
2. #define EEPROM_BASE_ADDR        0x08080000
   + P8 O$ L; b$ b5 C; C3 J- ^
3. #define EEPROM_BYTE_SIZE        0x03FF

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4 P  w" s: f% s" j# W# I; ]基础字节写函数

1. //Byte write
   
2. void EEPROM_WRITE(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   / U* [  C& G4 Q6 z/ b; M
3. {
   + i! e$ |+ j* S1 {/ n$ W+ {7 M  Z
4.         uint16_t i;
   7 ?, h4 P% j' {
5.         HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
   
6. 
   
7.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   ! {" v$ Z6 I+ l
8.         for(i=0;i<len;i++)
   
9.         {
   8 t- @. r1 r  Q( g, D- {7 n+ ~
10.                 status +=HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress+i, *Data);
    , W2 D8 ~, D' Q' Z! Z9 r; b
11.                 Data++;
    
12.         }
    ( r) W/ `8 h0 q4 R
13.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
    - k9 A# F  d! W0 S
14. }

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基础字节读函数

1. <span style="background-color: rgb(255, 255, 255);">/</span>/Byte read
   
2. void EEPROM_READ(uint16_t BiasAddress,uint8_t *Buffer,uint16_t Len)
   , p5 t' G$ Q" F) k9 d- X+ k
3. {
   
4.         uint8_t *wAddr;
   
5.         wAddr=(uint8_t *)(EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress);
   - D: l! _. x: C/ F
6.         while(Len--)
   . g& y% o/ O. M/ {5 L
7.         {
   ) a  y& D! q5 h9 t$ r
8.                 *Buffer++=*wAddr++;
   # Y5 b& P: l5 \8 t0 ]6 n* Z) a2 s
9.         }
   5 ~: `4 p" ]1 Y; \/ o
10. }

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带校验写读函数
如果考虑到写读过程中，可以出现错误的情况，为了保证操作的正确性，需要采用校验方式进行写读。
对于写过程，需要将写入的数据，读回做比较。
; l' w' ~# D) Q1 k& W对于读过程，需要将两次读回的数据，进行比较。
如果比较正确，则操作完成。
' ]: i3 Y; c( m3 T如果错误，可重新进行写或读操作，并在设定的重新操作次数范围内，进行重新操作识别，如果正确，则报告正确，如果错误，则报告错误。

& t8 ~- Y- P" l- m设定重复校验次数
6 d: ?6 q! g$ j) w6 p& K6 K, d

1. #include <string.h>
   
2. #define iEEPROM_CHECK_NUM 2

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带操作校验的写函数
' b! ~2 Y$ i  O

1. HAL_StatusTypeDef EEPROM_WRITE_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   + f4 y# P. F7 ~# K; K
2. {
   5 s) q- K2 M* \" _& {: o  P3 K
3.         uint8_t buff[len];
   
4.         uint16_t i;
   $ f# s7 O: P. u" N5 ^
5.         for (i=0;i<iEEPROM_CHECK_NUM;i++)
   
6.         {
   
7.                 EEPROM_WRITE(BiasAddress, Data, len);
   % W. O4 }) C9 p8 J8 t" g) Q& U7 l
8.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff, len);
   
9.                 if (memcmp(Data, buff, len)==0)
   
10.                 {
    
11.                         return HAL_OK;
    3 `" R5 o% c& l/ ], ]
12.                 }
    
13.         }
    ( k  m$ O+ p/ O7 {- q8 F: U7 h# Q
14. 
    5 F7 g, n3 u' v; H7 {+ y1 C
15.         return HAL_ERROR;
    ( P3 e$ g. T8 i* N
16. }

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* H- I/ r( C8 X# w; \带操作校验的读函数
+ |) i+ v4 p4 l/ Q

1. HAL_StatusTypeDef EEPROM_Read_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   
2. {
   
3.         uint8_t buff0[len];
   0 O! P2 D! f9 `+ E6 B% @1 z
4.         uint8_t buff1[len];
   
5.         uint16_t i;
   
6.         for (i=0;i<iEEPROM_CHECK_NUM;i++)
   0 h0 V, Z( D$ p: g% K4 g4 O1 r
7.         {
   
8.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff0, len);
   
9.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff1, len);
   $ k0 D5 s5 _) t0 y1 [" I
10. 
    & ~5 c7 C* x, h) e0 {' J! |! M) ]
11.                 if (memcmp(buff0, buff1, len)==0)
    
12.                 {
    
13.                         memcpy(Data, buff0, len);
    5 T; B+ m  l# \+ |4 z3 f/ h' \
14.                         return HAL_OK;
    
15.                 }
    5 e7 T% r3 c9 |( B  z# S
16.         }
    
17. 
    
18.         return HAL_ERROR;
    ( b+ R/ G$ X. m4 Z; i
19. }

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, c  I1 e0 N; ?3 \7 G' O' d其中BiasAddress为0对应内部EEPROM的0地址（EEPROM_BASE_ADDR定义了其基址），Data为数据字节指针，len为操作字节长度。
' T! ^3 q2 \8 ~3 p
需要注意的是，基于工艺制程和设计，EEPROM的使用也分为两种，其中一种和FRAM相似，可以直接进行写入而不需要提前擦除，STM32内部的EEPROM也是这一种；另外一种和FLASH相似，需要先进行基于Page的擦除后才能正确写入，对于有的EEPROM，支持基于Page最小为Byte单元的擦除。
* i  S! ], l+ _, }! F6 _
HAL提供的内部EEPROM擦除函数, 只是进行一个word的擦除，即在某个地址上将数据改写为0x00000000, 和直接调用写函数在该地址写入0x00000000效果一样。HAL的内部EEPROM擦除函数如下：
. `$ K4 K8 r+ d' G0 t  }

1. /**
   6 p* E7 b0 Z4 {) E3 U
2.   * @brief  Erase a word in data memory.
   8 I& x' ]; C% h
3.   * @param  Address specifies the address to be erased.
   6 a4 k7 O, i& m+ j$ }5 J2 q
4.   * @note   To correctly run this function, the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock() function
   % A( k( g  ?  m) t
5.   *         must be called before.
   
6.   *         Call the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock() to the data EEPROM access
   
7.   *         and Flash program erase control register access(recommended to protect
   * K& J4 G# H( I* y# I
8.   *         the DATA_EEPROM against possible unwanted operation).
   
9.   * @retval HAL_StatusTypeDef HAL Status
   
10.   */
    + ?, Z7 H" h3 ]7 Y( ?4 O9 Q
11. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t Address)
    
12. {
    
13.   HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
    6 l  J% \) ^5 f* b  b* h/ ^
14. 
    " I1 q" @6 ?* ]7 U6 o$ i+ l
15.   /* Check the parameters */
    
16.   assert_param(IS_FLASH_DATA_ADDRESS(Address));
    / O" W8 x" j6 t# @2 ]
17. 
    ; v5 K' @4 y6 V4 A5 j
18.   /* Wait for last operation to be completed */
    
19.   status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    " }0 d- ]1 Z: P; v2 ]$ D9 v; h
20. 
    
21.   if(status == HAL_OK)
    # K: h4 r3 O3 `$ B5 {
22.   {
    
23.     /* Clean the error context */
    / @4 A# R- ~( ~1 d
24.     pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;
    ( @5 d0 K1 L2 _7 E8 [# _
25. 
    
26.       /* Write 00000000h to valid address in the data memory */
    : [" _0 z7 l0 l/ a6 G3 i. U
27.       *(__IO uint32_t *) Address = 0x00000000U;
    8 D9 j& h3 \& q% N. X
28. 
    
29.     status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    * ]8 B) s4 f7 C6 j
30.   }
    
31. 
    
32.   /* Return the erase status */
    ) J8 r. d! Y6 T# P; M/ X4 x
33.   return status;
    ( {, d7 p: L( a, ?% L
34. }  

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上述的代码，如果要用于STM32内部FLASH的操作，还需要增加页擦除操作。

! h' r5 Q( ~- t