STM32L0 内部EEPROM写读
, y5 b9 e/ h! I8 x0 `( J* u说明
STM32L0内部的EEPROM写操作由解锁，写入，加锁过程组成，读过程则无需解锁。至于STM32L0内部的非易失空间区分为FLASH和EEPROM，主要体现在用ST-LINK等工具进行整片擦除时，只擦除FLASH的空间，EEPROM的部分不会被擦除，如同外部EEPROM芯片，MPU的代码升级不影响EEPROM的内容。后面以内部EEPROM的写读作为范例。

- Z4 l" z& G- W1 B基础写读函数
, f. C! z; l" S9 L- W- z! _定义内部EEPROM的地址空间：

1. //STM32L031K6T6
     F% T- z* l% V& p( A
2. #define EEPROM_BASE_ADDR        0x08080000
   
3. #define EEPROM_BYTE_SIZE        0x03FF

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基础字节写函数
3 J7 o  y) a- d; X

1. //Byte write
   : [' b9 K/ B! r4 t1 r+ j+ r0 y
2. void EEPROM_WRITE(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   
3. {
   ) [$ |* `3 s2 ~& C' c3 k
4.         uint16_t i;
   
5.         HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
   
6. 
   
7.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   
8.         for(i=0;i<len;i++)
   + U& a/ Z! a! A, m- f5 j+ r9 m- l
9.         {
   
10.                 status +=HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress+i, *Data);
    7 m- }/ c' K% U4 G& h% h! O1 ?
11.                 Data++;
    
12.         }
    1 P1 a4 Q. p) {" z( f
13.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
    
14. }

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1 [1 x& Y+ N/ ?8 b' N% [4 C基础字节读函数

1. <span style="background-color: rgb(255, 255, 255);">/</span>/Byte read
   
2. void EEPROM_READ(uint16_t BiasAddress,uint8_t *Buffer,uint16_t Len)
   
3. {
   
4.         uint8_t *wAddr;
   
5.         wAddr=(uint8_t *)(EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress);
   
6.         while(Len--)
   & r- x% {+ N) J; b1 K' y) f
7.         {
   
8.                 *Buffer++=*wAddr++;
   
9.         }
   
10. }

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6 J* V8 c5 _, _带校验写读函数
$ s, U/ b% p5 _: c如果考虑到写读过程中，可以出现错误的情况，为了保证操作的正确性，需要采用校验方式进行写读。
2 o) Q! a: j& P; ]3 y对于写过程，需要将写入的数据，读回做比较。
6 G7 k5 n$ V# Y对于读过程，需要将两次读回的数据，进行比较。
- f6 J8 {% d* S/ C- T* [如果比较正确，则操作完成。
如果错误，可重新进行写或读操作，并在设定的重新操作次数范围内，进行重新操作识别，如果正确，则报告正确，如果错误，则报告错误。
1 ~6 ?( M# \7 B6 W) q
7 q, v( [* {7 \' h设定重复校验次数
  N3 @. Y) K' P8 i' V

1. #include <string.h>
   
2. #define iEEPROM_CHECK_NUM 2

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4 u4 U1 V: F1 A: v6 T" x9 t带操作校验的写函数
/ B2 I  d0 P0 f9 M, S( q( b1 \5 G

1. HAL_StatusTypeDef EEPROM_WRITE_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
     V; D6 o. H  Q
2. {
   
3.         uint8_t buff[len];
   
4.         uint16_t i;
   
5.         for (i=0;i<iEEPROM_CHECK_NUM;i++)
   
6.         {
   
7.                 EEPROM_WRITE(BiasAddress, Data, len);
   & ]- @$ Y6 O6 U& p
8.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff, len);
   5 O3 n4 ?9 n7 o4 [4 Z! U% t
9.                 if (memcmp(Data, buff, len)==0)
   
10.                 {
    & P8 d- |' L/ b' {
11.                         return HAL_OK;
    6 m1 O% _: x6 S2 D
12.                 }
    
13.         }
    3 C) i6 H  t; c* O9 @
14. 
    ) b0 R$ j. u$ C8 T3 ]! e) p! a' C6 v; p- L
15.         return HAL_ERROR;
    
16. }

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; X( d: A$ e6 N# b! M: G带操作校验的读函数
- x0 q& s, z, u- A

1. HAL_StatusTypeDef EEPROM_Read_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   ' w6 \+ }- a, r$ K! s' f' G6 Z0 b
2. {
   
3.         uint8_t buff0[len];
   
4.         uint8_t buff1[len];
   1 f$ B" y1 s% o& @7 h
5.         uint16_t i;
   $ `7 x; b* s) M) R1 r
6.         for (i=0;i<iEEPROM_CHECK_NUM;i++)
   
7.         {
   
8.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff0, len);
   . U7 h  O4 R/ n% `
9.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff1, len);
   
10. 
    - J: D( E" [; n1 i) L3 N
11.                 if (memcmp(buff0, buff1, len)==0)
    : r: L- {5 R; U8 u
12.                 {
    
13.                         memcpy(Data, buff0, len);
    
14.                         return HAL_OK;
    & `1 k3 _0 U) ]
15.                 }
    
16.         }
    
17. 
    6 D8 V" W. G, R0 b0 F$ I9 p! n" H
18.         return HAL_ERROR;
    
19. }

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4 B5 v3 u' {, ]其中BiasAddress为0对应内部EEPROM的0地址（EEPROM_BASE_ADDR定义了其基址），Data为数据字节指针，len为操作字节长度。
" O( j8 [! e4 X- \. v& J
8 b4 T: p0 C/ l' T2 n需要注意的是，基于工艺制程和设计，EEPROM的使用也分为两种，其中一种和FRAM相似，可以直接进行写入而不需要提前擦除，STM32内部的EEPROM也是这一种；另外一种和FLASH相似，需要先进行基于Page的擦除后才能正确写入，对于有的EEPROM，支持基于Page最小为Byte单元的擦除。
" i# E8 h4 @. d6 D+ r6 a" g
7 ]  i1 W) I, p* V0 l1 [) eHAL提供的内部EEPROM擦除函数, 只是进行一个word的擦除，即在某个地址上将数据改写为0x00000000, 和直接调用写函数在该地址写入0x00000000效果一样。HAL的内部EEPROM擦除函数如下：

! N+ T' i% j; N+ L, o; G

1. /**
   . k1 {* {: g* N8 q
2.   * @brief  Erase a word in data memory.
   7 h8 M7 ]) o4 ^; V. R- M( O& @
3.   * @param  Address specifies the address to be erased.
   
4.   * @note   To correctly run this function, the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock() function
   
5.   *         must be called before.
   $ f9 k& j3 r- i5 w
6.   *         Call the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock() to the data EEPROM access
   
7.   *         and Flash program erase control register access(recommended to protect
   ; d+ j! t! z& m$ l- R. S
8.   *         the DATA_EEPROM against possible unwanted operation).
   ( s- M  y( A* y5 ^# v
9.   * @retval HAL_StatusTypeDef HAL Status
   
10.   */
      g: U) b8 g5 e/ j5 {4 u7 k; h
11. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t Address)
    
12. {
    
13.   HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
    
14. 
    
15.   /* Check the parameters */
    
16.   assert_param(IS_FLASH_DATA_ADDRESS(Address));
    6 f0 ]; U, y5 N
17. 
    
18.   /* Wait for last operation to be completed */
    
19.   status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    
20. 
    : R- ~# t+ j/ @+ M0 r6 l1 r0 i
21.   if(status == HAL_OK)
    
22.   {
    
23.     /* Clean the error context */
    
24.     pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;
    
25. 
    
26.       /* Write 00000000h to valid address in the data memory */
    : \3 }: {' z' d' \0 ]
27.       *(__IO uint32_t *) Address = 0x00000000U;
    
28. 
    
29.     status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    ; v3 }0 X8 {# c! u% n% M/ }3 [
30.   }
    
31. 
    ; x4 p1 l# r9 r6 ?7 U* H4 [1 y0 F
32.   /* Return the erase status */
    
33.   return status;
    
34. }  

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上述的代码，如果要用于STM32内部FLASH的操作，还需要增加页擦除操作。
; k1 \, H  x- X# \- I
3 O; U6 \! {6 R1 a