STM32L0 内部EEPROM写读
6 k5 }( {. O% \5 ]0 A+ Z8 q说明
STM32L0内部的EEPROM写操作由解锁，写入，加锁过程组成，读过程则无需解锁。至于STM32L0内部的非易失空间区分为FLASH和EEPROM，主要体现在用ST-LINK等工具进行整片擦除时，只擦除FLASH的空间，EEPROM的部分不会被擦除，如同外部EEPROM芯片，MPU的代码升级不影响EEPROM的内容。后面以内部EEPROM的写读作为范例。
  W% S" h9 o* J! k& F
. Z! N  b3 S# s) x, E基础写读函数
0 M6 T2 S% P; H1 q2 l2 e定义内部EEPROM的地址空间：
- ]; G! g8 O, t: V

1. //STM32L031K6T6
   
2. #define EEPROM_BASE_ADDR        0x08080000
   
3. #define EEPROM_BYTE_SIZE        0x03FF

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. b" e1 a$ ]8 D; o: S基础字节写函数

1. //Byte write
   
2. void EEPROM_WRITE(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   
3. {
   # \0 q- E1 H5 H) A* t! X
4.         uint16_t i;
   0 J# ~2 \+ W1 f2 ~: D
5.         HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
   
6. 
   
7.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   
8.         for(i=0;i<len;i++)
   
9.         {
   5 S  q6 L% j4 K' \' P3 l2 U4 B
10.                 status +=HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress+i, *Data);
    
11.                 Data++;
    1 {/ S, E0 @9 e" J0 J% |" t
12.         }
    # |* P: c; _* y
13.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
      d& S4 `1 W- l$ H! I+ E9 |
14. }

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基础字节读函数
5 v. S: E2 F8 X- f: g9 f

1. <span style="background-color: rgb(255, 255, 255);">/</span>/Byte read
   
2. void EEPROM_READ(uint16_t BiasAddress,uint8_t *Buffer,uint16_t Len)
   ) L+ }2 }, C/ D
3. {
   * r1 W( I) P4 h) R- j) \7 }
4.         uint8_t *wAddr;
   
5.         wAddr=(uint8_t *)(EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress);
   
6.         while(Len--)
   
7.         {
   
8.                 *Buffer++=*wAddr++;
   + Q0 t/ t1 V' Q5 Y* R& ]
9.         }
   & S* V( O: {: D! h& k* N4 T! u5 o
10. }

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带校验写读函数
如果考虑到写读过程中，可以出现错误的情况，为了保证操作的正确性，需要采用校验方式进行写读。
对于写过程，需要将写入的数据，读回做比较。
! F$ {9 j- n+ Q. t5 @对于读过程，需要将两次读回的数据，进行比较。
如果比较正确，则操作完成。
/ Y' V4 T- j8 F6 U+ `如果错误，可重新进行写或读操作，并在设定的重新操作次数范围内，进行重新操作识别，如果正确，则报告正确，如果错误，则报告错误。
. G) }: n; n+ Y! V/ G$ ?
设定重复校验次数
) K; O. H3 _, L

1. #include <string.h>
   
2. #define iEEPROM_CHECK_NUM 2

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7 ^# a& H5 z2 G4 P; s6 f. u
带操作校验的写函数
1 T- H6 U  L5 i, I7 m- p) E

1. HAL_StatusTypeDef EEPROM_WRITE_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   $ r6 v2 i8 g6 n; c
2. {
   0 Y9 E7 K1 |* I8 p, W) D& ]- b
3.         uint8_t buff[len];
   8 c0 g/ K6 E7 ]. b# ]7 r
4.         uint16_t i;
   
5.         for (i=0;i<iEEPROM_CHECK_NUM;i++)
   : D: Y6 w8 h7 Y
6.         {
   
7.                 EEPROM_WRITE(BiasAddress, Data, len);
   
8.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff, len);
     }5 V& A! [1 E! p! g0 P
9.                 if (memcmp(Data, buff, len)==0)
   * V7 g/ X  W% _2 `
10.                 {
    ; u" c0 d6 X( k! i" _; A
11.                         return HAL_OK;
    
12.                 }
    
13.         }
    5 s/ ^$ Z4 c3 c, X: v& N* d
14. 
    
15.         return HAL_ERROR;
    # |& L% U4 {0 B4 A; o# Q, b, i6 L/ Z
16. }

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带操作校验的读函数

1. HAL_StatusTypeDef EEPROM_Read_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   & @- @5 j1 p* o
2. {
   / J, [1 X6 o, H& Y( O, x
3.         uint8_t buff0[len];
   
4.         uint8_t buff1[len];
   . q4 A7 X8 a+ A+ a1 S5 Y" W
5.         uint16_t i;
   7 H0 C. a3 |" _5 k5 u
6.         for (i=0;i<iEEPROM_CHECK_NUM;i++)
   # {  {$ W! E, z4 C( h* K# q
7.         {
   
8.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff0, len);
   8 Y$ I; H1 u8 }. [/ u
9.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff1, len);
   
10. 
    / w  R1 W& k  K+ Y: Y" G/ J6 I$ V
11.                 if (memcmp(buff0, buff1, len)==0)
    ( B" s* E/ t9 a2 _! U% V4 E
12.                 {
    5 G: ~7 |7 Z8 G: }" ]
13.                         memcpy(Data, buff0, len);
    
14.                         return HAL_OK;
    
15.                 }
    , y) ?: ?8 ?  i3 \  i
16.         }
    4 l+ {, l: F. u
17. 
    
18.         return HAL_ERROR;
    - D% j6 E+ a: R& M
19. }

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其中BiasAddress为0对应内部EEPROM的0地址（EEPROM_BASE_ADDR定义了其基址），Data为数据字节指针，len为操作字节长度。
+ M2 h3 ^# ^& }$ E
需要注意的是，基于工艺制程和设计，EEPROM的使用也分为两种，其中一种和FRAM相似，可以直接进行写入而不需要提前擦除，STM32内部的EEPROM也是这一种；另外一种和FLASH相似，需要先进行基于Page的擦除后才能正确写入，对于有的EEPROM，支持基于Page最小为Byte单元的擦除。
8 F$ _- X2 j! `# G
9 A% z( x* E: }! }1 k& THAL提供的内部EEPROM擦除函数, 只是进行一个word的擦除，即在某个地址上将数据改写为0x00000000, 和直接调用写函数在该地址写入0x00000000效果一样。HAL的内部EEPROM擦除函数如下：

1 l5 x/ W6 c' U) q5 T/ t

1. /**
   
2.   * @brief  Erase a word in data memory.
   ( _6 @3 H- L; L
3.   * @param  Address specifies the address to be erased.
     P3 j- r0 m; T% Y
4.   * @note   To correctly run this function, the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock() function
   
5.   *         must be called before.
   0 g* @# a  {3 z9 T4 d5 c) R8 {2 A! a
6.   *         Call the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock() to the data EEPROM access
   
7.   *         and Flash program erase control register access(recommended to protect
   5 k" Q6 P3 h) r! t: ]
8.   *         the DATA_EEPROM against possible unwanted operation).
   3 p: ]1 a( k) V+ F
9.   * @retval HAL_StatusTypeDef HAL Status
   
10.   */
    ' L1 ?; O4 i4 b, m
11. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t Address)
    
12. {
    
13.   HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
    
14. 
    
15.   /* Check the parameters */
    & C5 z% @4 T) c% t  y9 A+ Z
16.   assert_param(IS_FLASH_DATA_ADDRESS(Address));
    
17. 
    
18.   /* Wait for last operation to be completed */
    + X5 [  G/ ]: i8 o$ @; f" h6 _
19.   status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    
20. 
    
21.   if(status == HAL_OK)
    ! P% l, A8 p4 p0 _
22.   {
    : }( H. k' v" A+ T) z1 T" u
23.     /* Clean the error context */
    
24.     pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;
    
25. 
    9 R* w0 a. K! ?* }4 }
26.       /* Write 00000000h to valid address in the data memory */
    
27.       *(__IO uint32_t *) Address = 0x00000000U;
    - n# a9 o$ g: B
28. 
    # H8 N. H2 k8 P& ]3 i, V9 j
29.     status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    & ^$ i. y6 n5 U* b. ?
30.   }
    * ]/ L( ]6 A! p# f
31. 
    8 t: D( S; J, u! b! @  C0 Y3 ~' t
32.   /* Return the erase status */
    * o3 R& y5 y3 K9 Z
33.   return status;
    ; n* w2 y* i( t; e% P5 L& g  |
34. }  

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上述的代码，如果要用于STM32内部FLASH的操作，还需要增加页擦除操作。
4 n6 c1 v' N7 A) b& F+ L7 k

* |* G/ x3 n' V, {) S8 T) h% c