STM32L0 内部EEPROM写读
说明
STM32L0内部的EEPROM写操作由解锁，写入，加锁过程组成，读过程则无需解锁。至于STM32L0内部的非易失空间区分为FLASH和EEPROM，主要体现在用ST-LINK等工具进行整片擦除时，只擦除FLASH的空间，EEPROM的部分不会被擦除，如同外部EEPROM芯片，MPU的代码升级不影响EEPROM的内容。后面以内部EEPROM的写读作为范例。

基础写读函数
" j/ Q& I& b7 I定义内部EEPROM的地址空间：

1. //STM32L031K6T6
   - o+ p% Y) o7 V
2. #define EEPROM_BASE_ADDR        0x08080000
   
3. #define EEPROM_BYTE_SIZE        0x03FF

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基础字节写函数
+ S" G# A, i3 t- u0 V& ?

1. //Byte write
   
2. void EEPROM_WRITE(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   0 \7 |8 d! G5 ]$ ~0 y% P
3. {
   % O6 G, Y. q+ z  F
4.         uint16_t i;
   ' Q9 |  t5 p9 y$ e, ]) p! C. g
5.         HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
   
6. 
   5 ^: _# u% j% w2 u
7.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   0 {1 X! n: T. |
8.         for(i=0;i<len;i++)
   
9.         {
   
10.                 status +=HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress+i, *Data);
    
11.                 Data++;
    
12.         }
    0 B% H1 _+ t& J. g0 t
13.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
    
14. }

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+ _0 P% P7 i$ R5 S: B基础字节读函数

1. <span style="background-color: rgb(255, 255, 255);">/</span>/Byte read
   
2. void EEPROM_READ(uint16_t BiasAddress,uint8_t *Buffer,uint16_t Len)
   
3. {
   
4.         uint8_t *wAddr;
   
5.         wAddr=(uint8_t *)(EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress);
   4 |, z, d6 ?! H1 x7 U. L8 c- O+ r
6.         while(Len--)
   & i$ w+ T' O, F' L
7.         {
   
8.                 *Buffer++=*wAddr++;
   
9.         }
   & R' P* J5 I. b# `: y$ ~
10. }

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, Y+ h+ H7 V+ y3 L, A9 T  f带校验写读函数
如果考虑到写读过程中，可以出现错误的情况，为了保证操作的正确性，需要采用校验方式进行写读。
对于写过程，需要将写入的数据，读回做比较。
对于读过程，需要将两次读回的数据，进行比较。
3 u+ R5 u. Z7 S, J6 h如果比较正确，则操作完成。
# S( V2 \8 k8 Q: D如果错误，可重新进行写或读操作，并在设定的重新操作次数范围内，进行重新操作识别，如果正确，则报告正确，如果错误，则报告错误。
. X' D3 B1 }7 g% f- i- X: \
设定重复校验次数
. \! B9 ~2 q0 S6 C+ S) l- j- M

1. #include <string.h>
   
2. #define iEEPROM_CHECK_NUM 2

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2 f; S. ?- T8 ^4 Y/ o( X
带操作校验的写函数

1. HAL_StatusTypeDef EEPROM_WRITE_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   ) _/ i8 l" \. x2 I' n' M
2. {
   . G  ?: e8 y( ~0 a4 D7 ?
3.         uint8_t buff[len];
   ; w7 R" J3 S3 X$ A) }
4.         uint16_t i;
   
5.         for (i=0;i<iEEPROM_CHECK_NUM;i++)
   
6.         {
   3 |9 G8 ], k# Y# n( C
7.                 EEPROM_WRITE(BiasAddress, Data, len);
   / B; l8 [1 a5 J8 r) }: A) @: t
8.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff, len);
   5 J) H5 l/ r; a- \6 Q; a$ R5 Z+ t* G1 {
9.                 if (memcmp(Data, buff, len)==0)
   ; N; n! N6 `/ S' h7 k, N) c3 d# p- Q
10.                 {
    ! N( g% g5 M0 d% ]
11.                         return HAL_OK;
    
12.                 }
    ! O; V/ t) x+ v0 N
13.         }
    9 P# m- |, |- ]
14. 
    
15.         return HAL_ERROR;
    
16. }

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带操作校验的读函数
. G+ J+ Y5 _4 x4 T1 Z( I3 C

1. HAL_StatusTypeDef EEPROM_Read_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   ) y7 x' \0 ]1 T) s- E' V# |$ x4 F' A# h
2. {
   ; `4 ^) l5 F1 L$ k' y
3.         uint8_t buff0[len];
   
4.         uint8_t buff1[len];
   3 c  e" A, S4 t: w, j6 Q  j
5.         uint16_t i;
   ; R! Z$ F, g, O" A+ y5 T
6.         for (i=0;i<iEEPROM_CHECK_NUM;i++)
   
7.         {
   
8.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff0, len);
   - j7 u: ~2 {8 m6 ?; P
9.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff1, len);
   . z& Z% f+ o. j$ r9 s, e
10. 
    / `6 e" D4 H" l
11.                 if (memcmp(buff0, buff1, len)==0)
    " ^/ ^% M/ r) b3 P( }' \; g8 e, R
12.                 {
    
13.                         memcpy(Data, buff0, len);
    
14.                         return HAL_OK;
    : w  r) V: R: [4 l; ?3 c
15.                 }
    ) [0 v$ ?3 |3 H; ^
16.         }
    
17. 
    4 w, V0 Z9 v' m2 v1 Z* `" S: }8 V: {
18.         return HAL_ERROR;
    
19. }

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其中BiasAddress为0对应内部EEPROM的0地址（EEPROM_BASE_ADDR定义了其基址），Data为数据字节指针，len为操作字节长度。
- U- U7 e& O9 S8 B0 M6 S+ l5 @
* C8 Y8 B" B9 Q2 L. ^需要注意的是，基于工艺制程和设计，EEPROM的使用也分为两种，其中一种和FRAM相似，可以直接进行写入而不需要提前擦除，STM32内部的EEPROM也是这一种；另外一种和FLASH相似，需要先进行基于Page的擦除后才能正确写入，对于有的EEPROM，支持基于Page最小为Byte单元的擦除。
9 J4 S& S) w  I1 C
HAL提供的内部EEPROM擦除函数, 只是进行一个word的擦除，即在某个地址上将数据改写为0x00000000, 和直接调用写函数在该地址写入0x00000000效果一样。HAL的内部EEPROM擦除函数如下：
0 _8 b5 b" y& q# I3 e

1. /**
   
2.   * @brief  Erase a word in data memory.
   ( G$ _0 D6 O( m. o+ t# I& }
3.   * @param  Address specifies the address to be erased.
   % z0 G* w! h- J* P
4.   * @note   To correctly run this function, the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock() function
   1 h% K+ C& b6 P, \$ h  t
5.   *         must be called before.
   5 @3 ^! O& z3 i( ?
6.   *         Call the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock() to the data EEPROM access
   2 x+ }2 @, C3 d) t! K4 @6 U
7.   *         and Flash program erase control register access(recommended to protect
   
8.   *         the DATA_EEPROM against possible unwanted operation).
   1 w( P" \3 i" K
9.   * @retval HAL_StatusTypeDef HAL Status
   
10.   */
    9 ?/ m. f* w5 I/ S& q1 D" }1 e; Q
11. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t Address)
    
12. {
    
13.   HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
    7 w3 S. k$ W- Y+ @% z. S3 {8 R
14. 
    
15.   /* Check the parameters */
    ) \) s. _2 q( U( X" d
16.   assert_param(IS_FLASH_DATA_ADDRESS(Address));
    
17. 
    
18.   /* Wait for last operation to be completed */
    
19.   status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    
20. 
    " m. w2 u0 o% G+ A
21.   if(status == HAL_OK)
    - M  k/ W; M* D0 G3 A. [' ?6 O. r( t
22.   {
    
23.     /* Clean the error context */
    " @8 L  y. H0 \$ \0 [/ L
24.     pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;
    ; H3 R' C7 W) X- B  n6 ~; c  g
25. 
    
26.       /* Write 00000000h to valid address in the data memory */
    
27.       *(__IO uint32_t *) Address = 0x00000000U;
    1 ^1 z( K+ d$ ~& @. y9 C) H* `
28. 
    : z( g+ d  q/ i+ p9 i4 E6 Y
29.     status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    # T7 C7 F  n; R& G9 w$ C# u, N& E- u
30.   }
    : M" t8 j) m7 x) z
31. 
    ' h" g; Z* Y+ q& [2 `) v
32.   /* Return the erase status */
    
33.   return status;
    ! w* E2 L2 T8 `0 V. Y
34. }  

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上述的代码，如果要用于STM32内部FLASH的操作，还需要增加页擦除操作。
; i" T; k& u( N! i' f& @/ }

# \& X2 I4 L+ U% C