STM32L0 内部EEPROM写读
说明
0 h5 Q8 ?# A1 C0 ?STM32L0内部的EEPROM写操作由解锁，写入，加锁过程组成，读过程则无需解锁。至于STM32L0内部的非易失空间区分为FLASH和EEPROM，主要体现在用ST-LINK等工具进行整片擦除时，只擦除FLASH的空间，EEPROM的部分不会被擦除，如同外部EEPROM芯片，MPU的代码升级不影响EEPROM的内容。后面以内部EEPROM的写读作为范例。

4 \* ^$ |0 [+ E% r  n基础写读函数
定义内部EEPROM的地址空间：
% \2 p2 r( C2 L* H9 e

1. //STM32L031K6T6
   : X) t; j' Y  v! d9 ^- d
2. #define EEPROM_BASE_ADDR        0x08080000
   
3. #define EEPROM_BYTE_SIZE        0x03FF

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3 Z: H9 x) g2 J2 f) C基础字节写函数
# r6 r% a4 c7 w+ r- ^; H( j

1. //Byte write
   # P6 n  t6 `/ ?7 N: H
2. void EEPROM_WRITE(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   4 x, B& P7 i1 L& g( d
3. {
   4 u) Q" O9 E4 M& P# i" p
4.         uint16_t i;
   ! n: l3 y6 m$ Y* T0 M
5.         HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
   
6. 
   
7.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   % f7 \) k. k) Q& V
8.         for(i=0;i<len;i++)
   & B9 {9 q. d: ~# v6 d7 d
9.         {
   ' }6 c; \3 c4 W- u( Q7 Q* I, m
10.                 status +=HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress+i, *Data);
    & y$ ~1 R! Z6 @- n6 W$ X
11.                 Data++;
    
12.         }
    
13.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
    + e) `. o" x. W
14. }

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基础字节读函数
8 m; q' i2 Y' g9 H' ^

1. <span style="background-color: rgb(255, 255, 255);">/</span>/Byte read
   8 M4 y) ~, m* @) ^
2. void EEPROM_READ(uint16_t BiasAddress,uint8_t *Buffer,uint16_t Len)
   
3. {
   5 t3 N9 I1 j3 R3 \
4.         uint8_t *wAddr;
   ! Y/ O5 G8 g- T6 c2 @1 s! b
5.         wAddr=(uint8_t *)(EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress);
   
6.         while(Len--)
   
7.         {
   ' \9 t8 x1 [2 l4 F! ~
8.                 *Buffer++=*wAddr++;
   # k7 v# n$ n2 q: r1 \. H- _5 G% U) |
9.         }
   
10. }

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带校验写读函数
; ]& v) A/ t; V* _( |如果考虑到写读过程中，可以出现错误的情况，为了保证操作的正确性，需要采用校验方式进行写读。
对于写过程，需要将写入的数据，读回做比较。
5 }7 s5 ~3 y; @5 p0 Q对于读过程，需要将两次读回的数据，进行比较。
如果比较正确，则操作完成。
如果错误，可重新进行写或读操作，并在设定的重新操作次数范围内，进行重新操作识别，如果正确，则报告正确，如果错误，则报告错误。
* a5 F% Q7 \) u, q
/ y" a; `' k, f设定重复校验次数
' p$ y2 N: S. |! y! y8 T5 @4 R

1. #include <string.h>
   
2. #define iEEPROM_CHECK_NUM 2

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' r. Z! S+ I0 n+ _4 ]: s
带操作校验的写函数
" k# l' j) U# [) C, {' h

1. HAL_StatusTypeDef EEPROM_WRITE_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   
2. {
   
3.         uint8_t buff[len];
   0 J6 z  f4 @5 g6 {5 i6 c9 |
4.         uint16_t i;
   / A. }- C# x3 F' T9 r* l
5.         for (i=0;i<iEEPROM_CHECK_NUM;i++)
   
6.         {
   4 _+ V3 j* o, f6 y+ r4 Z
7.                 EEPROM_WRITE(BiasAddress, Data, len);
   
8.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff, len);
   & A$ e0 h6 o: e# H: g
9.                 if (memcmp(Data, buff, len)==0)
   ) G; g* _. X! v" t, O
10.                 {
    & K; _& D  z! {+ N5 s$ |7 D
11.                         return HAL_OK;
    6 B0 S: A* H1 y. F2 ?  b
12.                 }
    7 F4 t& V5 x0 j7 E5 L
13.         }
    . \9 P5 w! |( g* ~8 ^: `% b
14. 
    4 K0 w" v. a" U# P+ j5 H
15.         return HAL_ERROR;
    4 Y# D+ \$ i4 w( W! |
16. }

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带操作校验的读函数

1. HAL_StatusTypeDef EEPROM_Read_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   
2. {
   ( M7 m  u+ h0 y* b3 u6 v* Z" A
3.         uint8_t buff0[len];
   
4.         uint8_t buff1[len];
   4 H: I1 i( ^# Q: F5 e* B9 D9 A; |
5.         uint16_t i;
   + ~6 Q) J" ?* h) A. `3 {
6.         for (i=0;i<iEEPROM_CHECK_NUM;i++)
   
7.         {
   
8.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff0, len);
   
9.                 EEPROM_READ(BiasAddress, buff1, len);
   
10. 
    5 N, T2 C+ \$ b( a" g: T
11.                 if (memcmp(buff0, buff1, len)==0)
    ' |* {+ |0 z# E: s# T3 @
12.                 {
    / ?4 ~0 [5 K9 i) q3 I: U7 }+ h4 y
13.                         memcpy(Data, buff0, len);
    6 w( V9 z5 d) q0 y: a
14.                         return HAL_OK;
    ! `1 a8 a2 v, e. Q* E+ X2 r
15.                 }
    
16.         }
    2 I0 V! a2 P2 ^; q7 C
17. 
    ( e: [! g$ \. e! x4 y' g. R; k
18.         return HAL_ERROR;
    
19. }

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3 U/ }) R3 k; v4 O& P% f% G! J其中BiasAddress为0对应内部EEPROM的0地址（EEPROM_BASE_ADDR定义了其基址），Data为数据字节指针，len为操作字节长度。

需要注意的是，基于工艺制程和设计，EEPROM的使用也分为两种，其中一种和FRAM相似，可以直接进行写入而不需要提前擦除，STM32内部的EEPROM也是这一种；另外一种和FLASH相似，需要先进行基于Page的擦除后才能正确写入，对于有的EEPROM，支持基于Page最小为Byte单元的擦除。
5 D! K' o/ a8 ^
/ [$ V! c$ T( o% t& P6 XHAL提供的内部EEPROM擦除函数, 只是进行一个word的擦除，即在某个地址上将数据改写为0x00000000, 和直接调用写函数在该地址写入0x00000000效果一样。HAL的内部EEPROM擦除函数如下：

1. /**
   
2.   * @brief  Erase a word in data memory.
   
3.   * @param  Address specifies the address to be erased.
   
4.   * @note   To correctly run this function, the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock() function
   
5.   *         must be called before.
   
6.   *         Call the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock() to the data EEPROM access
   
7.   *         and Flash program erase control register access(recommended to protect
   ; f- |1 a( @& U. G& c
8.   *         the DATA_EEPROM against possible unwanted operation).
   
9.   * @retval HAL_StatusTypeDef HAL Status
   , {0 E% j$ l; p" ?7 C
10.   */
    5 z  v# L! @9 I) R( B
11. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t Address)
    
12. {
    ' [. R% X" S8 h4 T) R
13.   HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
    ( r) h% @6 E4 J6 C  P3 U
14. 
    
15.   /* Check the parameters */
    + N. E: h: Q7 X0 ~; K! u
16.   assert_param(IS_FLASH_DATA_ADDRESS(Address));
    
17. 
    , o( M% O! F$ E6 _; D/ `
18.   /* Wait for last operation to be completed */
    
19.   status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    
20. 
    % U0 ~+ l7 ~, O$ U1 P
21.   if(status == HAL_OK)
    0 k/ w6 Q4 w, A" l5 T. C
22.   {
    1 H$ S# t1 q+ ?! t& u
23.     /* Clean the error context */
    * A- h$ z% X% I1 U
24.     pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;
    : {3 a* T( a0 V
25. 
    4 R% F' f; y  ?8 c" w& {
26.       /* Write 00000000h to valid address in the data memory */
    $ B1 n( L; \6 c, E$ a+ {4 _
27.       *(__IO uint32_t *) Address = 0x00000000U;
    
28. 
    * j# C4 _# J7 f+ B- X  e
29.     status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    , Y* S0 v# F/ Q4 L$ l7 Q
30.   }
    
31. 
    7 r# [9 X% n; `2 g! H! t
32.   /* Return the erase status */
    # r6 N3 A* ?3 Q0 Y7 o' v
33.   return status;
    1 S4 u: \& }, H! y3 [9 e$ o. A
34. }  

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. g- c% {9 ]9 i$ [/ b上述的代码，如果要用于STM32内部FLASH的操作，还需要增加页擦除操作。
, q' s# s& M, ?# y) r; L6 ]
1 k/ h, h4 U4 u6 [$ I$ S