一、介绍
2 c& l/ N5 R" p9 G1.1 片上eeprom介绍
9 x5 t$ W) N0 c# t& kL0的片上eeprom特性主要用来存储系统的配置信息，f103如果需要存储配置信息，还需要额外的一颗eeprom芯片，片上eeprom的机制也符合这系列的低功耗的属性。
! P! U. K. G8 w2 w) s
+ l& |1 `- y- v) x$ x5 @0 F1.2 写eeprom操作
; c* w$ f# Z3 r9 w此操作旨在将字或字的一部分写入数据EEPROM。用户必须在正确的地址和大小写正确的值。内存接口在必要时自动执行擦除操作（如果所有位当前都设置为0，则无需在写入之前删除旧内容）。类似地，如果要写入的数据为0，则只执行擦除操作。当只执行写操作或擦除操作时，持续时间为Tprog（3.2 ms）；如果两者都执行，则持续时间为2 x Tprog（6.4 ms）。每次擦除和写入操作都将FIX标志设置为1时，可以强制内存接口执行。
注意的是
一般flash擦除后是0xff，而片上eeprom擦除后是0x00
一般flash在编程前需要先擦除，而stm32的内存接口自动的执行了擦除操作，无需用户执行额外的擦除指令。

: y0 j# a6 p6 X8 R" G, k4 ~6 q* b; e( G二、编程

1. //eeprom地址
   3 u9 C7 E8 m" z+ n& F+ @
2. #define EEPROM_BASE_ADDR        0x08080000
   
3. //向偏移地址写入len个字节
   - R# m  ^5 {# V8 w
4. void eeprom_write(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   ' J7 O; l0 i4 B( F  q
5. {
   
6.         uint16_t i;
   
7.         HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
   / {/ Y8 c2 G- g, f
8. 
   - [* t, h4 S2 B2 g$ @
9.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   5 h+ I+ Z/ b( m
10.         for(i=0;i<len;i++)
    * x: L& v8 D+ v
11.         {
    
12.                 status +=HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress+i, *Data);
    ( U/ S4 c8 G. f4 W) m
13.                 Data++;
    
14.         }
    ) O/ K8 f7 b' k$ _0 o' g. p9 K
15.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
    + f8 x' E3 {& ?4 y% @$ T5 e$ Y
16. }
    & ~* P4 e7 g3 `2 B, s
17. //向偏移地址读取len个字节
    * s% _$ N# D/ A5 Q
18. void eeprom_read(uint16_t BiasAddress,uint8_t *Buffer,uint16_t Len)
    % L" K: ~; [2 M% _! I# Y* z* j
19. {
    
20.         uint8_t *wAddr;
    
21.         wAddr=(uint8_t *)(EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress);
      o( N0 F! U% C8 S9 x& _, v
22.         while(Len--)
    3 i; z! K& s% L% h8 ]
23.         {
    
24.                 *Buffer++=*wAddr++;
    2 H7 m! I7 `- E
25.         }
    
26. }

复制代码

1 X( Q+ k0 T! B
三、测试
! y0 f2 N- a8 R9 U3.1 测试代码

1. //测试
   . a9 Q6 V' c. c8 G$ U
2.         printf("开始测试\r\n");
   
3.         printf("写入eeprom数据：[0]:%x [1]:%x\r\n",eeprom_write_data[0],eeprom_write_data[1]);
   ) R5 d0 Z8 f6 H% i1 `4 I2 x1 J
4.         eeprom_write(0,eeprom_write_data,2);
   + E0 m- d; v, N- K9 ^& i3 o2 g
5.         HAL_Delay(10);
   
6.         eeprom_read(0,eeprom_read_data,2);
   
7.         printf("读取的eeprom数据：[0]:%x [1]:%x\r\n",eeprom_read_data[0],eeprom_read_data[1]);
   
8.         printf("片上eeprom测试完成\r\n");

复制代码

3.2测试结果
& c$ g- f. G3 u9 o, K2 r向0x08080000写入两个字节和从改该地址读取两个的内容一致，测试成功。



; F: b  e9 I+ ~; N/ X5 U; ]# f

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