一、介绍
1.1 片上eeprom介绍
  |" n0 B+ F/ x% J7 Z2 ~+ ]L0的片上eeprom特性主要用来存储系统的配置信息，f103如果需要存储配置信息，还需要额外的一颗eeprom芯片，片上eeprom的机制也符合这系列的低功耗的属性。

1.2 写eeprom操作
此操作旨在将字或字的一部分写入数据EEPROM。用户必须在正确的地址和大小写正确的值。内存接口在必要时自动执行擦除操作（如果所有位当前都设置为0，则无需在写入之前删除旧内容）。类似地，如果要写入的数据为0，则只执行擦除操作。当只执行写操作或擦除操作时，持续时间为Tprog（3.2 ms）；如果两者都执行，则持续时间为2 x Tprog（6.4 ms）。每次擦除和写入操作都将FIX标志设置为1时，可以强制内存接口执行。
: x9 Z: N7 c% l0 @' [% H注意的是
2 ~5 v' R- i- i# X一般flash擦除后是0xff，而片上eeprom擦除后是0x00
一般flash在编程前需要先擦除，而stm32的内存接口自动的执行了擦除操作，无需用户执行额外的擦除指令。

! D+ F5 r7 N! ~5 w+ M9 G二、编程
- _8 }" v5 e# ?

1. //eeprom地址
   " s: [; c  L; X; y% O$ a, N
2. #define EEPROM_BASE_ADDR        0x08080000
   
3. //向偏移地址写入len个字节
   % r% ]# F8 i* \, ?) }# U! `3 X
4. void eeprom_write(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   
5. {
   
6.         uint16_t i;
   . L/ @" U3 c; C9 `+ V- O7 \
7.         HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
   ( P- C5 K& ^2 r, h3 F
8. 
   $ \3 j# j; a& @& h: {# T$ T5 z* u. t
9.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   
10.         for(i=0;i<len;i++)
      Y- J3 @! R0 U$ t2 V* b4 Q# @+ T* U
11.         {
    
12.                 status +=HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress+i, *Data);
    
13.                 Data++;
    
14.         }
      f6 J; F% H1 [" \
15.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
    
16. }
      Q( m. F8 R' D( U; e
17. //向偏移地址读取len个字节
    ; v0 D! g  D2 U' {  e) N. r6 Z
18. void eeprom_read(uint16_t BiasAddress,uint8_t *Buffer,uint16_t Len)
    
19. {
    , x  G, c1 b! `. E, I5 W: k9 x
20.         uint8_t *wAddr;
    8 O9 {: V! ^& `
21.         wAddr=(uint8_t *)(EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress);
    
22.         while(Len--)
    
23.         {
    + T' A6 X# D% v$ n
24.                 *Buffer++=*wAddr++;
    , V. q( f: x" O/ |
25.         }
    
26. }

复制代码

) V4 O) o. _% ]( T$ K- g  H三、测试
3.1 测试代码
" G$ g( S" H. H0 ?6 z5 F

1. //测试
   4 M" r0 D- W" Q9 R6 ?5 ~
2.         printf("开始测试\r\n");
     j7 \$ L+ n; v+ m0 M6 Q5 \
3.         printf("写入eeprom数据：[0]:%x [1]:%x\r\n",eeprom_write_data[0],eeprom_write_data[1]);
     Q- ?3 X9 {) P7 Y4 d
4.         eeprom_write(0,eeprom_write_data,2);
   - `" Y7 ]6 o2 S) t3 p  R
5.         HAL_Delay(10);
   * a4 G+ Q( p& u1 i0 a5 |% g( T9 t  y
6.         eeprom_read(0,eeprom_read_data,2);
   $ o* {! C- s0 B" [9 c
7.         printf("读取的eeprom数据：[0]:%x [1]:%x\r\n",eeprom_read_data[0],eeprom_read_data[1]);
   8 J( Q, X: i" m5 D  ?; ^
8.         printf("片上eeprom测试完成\r\n");

复制代码

6 S% t: t4 K. S; a) O5 B3.2测试结果
' D/ B) `; W$ t3 B6 @向0x08080000写入两个字节和从改该地址读取两个的内容一致，测试成功。

% M, v; u, z7 g- ]+ l, M- N) e: U

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