一、介绍
1.1 片上eeprom介绍
L0的片上eeprom特性主要用来存储系统的配置信息，f103如果需要存储配置信息，还需要额外的一颗eeprom芯片，片上eeprom的机制也符合这系列的低功耗的属性。
: M3 D) Q' b3 k; P6 n6 p
+ I" d& d/ M; c1.2 写eeprom操作
! B9 G  O8 Q- u0 a3 J( t# Z此操作旨在将字或字的一部分写入数据EEPROM。用户必须在正确的地址和大小写正确的值。内存接口在必要时自动执行擦除操作（如果所有位当前都设置为0，则无需在写入之前删除旧内容）。类似地，如果要写入的数据为0，则只执行擦除操作。当只执行写操作或擦除操作时，持续时间为Tprog（3.2 ms）；如果两者都执行，则持续时间为2 x Tprog（6.4 ms）。每次擦除和写入操作都将FIX标志设置为1时，可以强制内存接口执行。
注意的是
一般flash擦除后是0xff，而片上eeprom擦除后是0x00
; T( G- g0 @" x. _* X. b, ?$ n一般flash在编程前需要先擦除，而stm32的内存接口自动的执行了擦除操作，无需用户执行额外的擦除指令。

/ g7 M, g% o. X  @# }二、编程

1. //eeprom地址
   
2. #define EEPROM_BASE_ADDR        0x08080000
   
3. //向偏移地址写入len个字节
   3 N$ ~' o1 j5 _2 |; A, @' [
4. void eeprom_write(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   $ \" Q# X0 U. ?2 {
5. {
   
6.         uint16_t i;
   & x, E0 t0 Q8 U* ~' N! \
7.         HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
   & W, M5 k( s( a2 ]) m" e1 V
8. 
   
9.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   
10.         for(i=0;i<len;i++)
    
11.         {
    0 r6 |4 ^3 J- o! A7 T
12.                 status +=HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress+i, *Data);
    
13.                 Data++;
    % ?; `6 L6 N4 ^( ^5 Q
14.         }
    
15.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
    " ~, @8 r: [- S$ E$ {$ p
16. }
    ' z" N# _3 l( |4 E, C4 R
17. //向偏移地址读取len个字节
    
18. void eeprom_read(uint16_t BiasAddress,uint8_t *Buffer,uint16_t Len)
    ( c8 [, ~3 t- I  ?
19. {
    ( i; R6 T, o9 G! C
20.         uint8_t *wAddr;
    
21.         wAddr=(uint8_t *)(EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress);
    
22.         while(Len--)
    ! m' q4 A& M4 S% I1 T7 q  \3 c8 f
23.         {
    
24.                 *Buffer++=*wAddr++;
    8 m! q% p% X; r9 J
25.         }
    9 B2 g  N1 ]* b+ z& C2 w3 F' n
26. }

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三、测试
! ^$ A. N5 B$ _7 M3.1 测试代码
* V' u; S! K+ N8 k/ R

1. //测试
   - l9 N2 D: F! w' r
2.         printf("开始测试\r\n");
   
3.         printf("写入eeprom数据：[0]:%x [1]:%x\r\n",eeprom_write_data[0],eeprom_write_data[1]);
   
4.         eeprom_write(0,eeprom_write_data,2);
   
5.         HAL_Delay(10);
   2 \: y2 U9 S, K2 p# l$ b- |
6.         eeprom_read(0,eeprom_read_data,2);
   
7.         printf("读取的eeprom数据：[0]:%x [1]:%x\r\n",eeprom_read_data[0],eeprom_read_data[1]);
   . r) Z1 p) @$ X3 n' T, [
8.         printf("片上eeprom测试完成\r\n");

复制代码

# E+ R, D6 O' l3 M+ W0 o# J- {3.2测试结果
8 [/ {. J# j% q% k7 ~$ P4 j% W0 F8 f向0x08080000写入两个字节和从改该地址读取两个的内容一致，测试成功。
/ P* S& B; ~7 d( r1 H2 P0 ~- I

, V: \/ {! w/ r( |" v$ L" J
) c* \1 E$ C( F9 s% O' T8 ^
3 L& q8 X7 K+ b8 s4 i; O; d! ]0 ]

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