一、介绍
' a& w+ [. M( I- d. q: b/ h1.1 片上eeprom介绍
L0的片上eeprom特性主要用来存储系统的配置信息，f103如果需要存储配置信息，还需要额外的一颗eeprom芯片，片上eeprom的机制也符合这系列的低功耗的属性。
# R" \* K1 h5 `. M, ~+ p
$ {& M4 ~) A, w, N  z4 d1.2 写eeprom操作
此操作旨在将字或字的一部分写入数据EEPROM。用户必须在正确的地址和大小写正确的值。内存接口在必要时自动执行擦除操作（如果所有位当前都设置为0，则无需在写入之前删除旧内容）。类似地，如果要写入的数据为0，则只执行擦除操作。当只执行写操作或擦除操作时，持续时间为Tprog（3.2 ms）；如果两者都执行，则持续时间为2 x Tprog（6.4 ms）。每次擦除和写入操作都将FIX标志设置为1时，可以强制内存接口执行。
6 n( M, E2 V; j) O) x注意的是
, f5 G( M: l+ t一般flash擦除后是0xff，而片上eeprom擦除后是0x00
一般flash在编程前需要先擦除，而stm32的内存接口自动的执行了擦除操作，无需用户执行额外的擦除指令。

, `! ?4 a$ ~( Q0 T& `$ h二、编程
  W# z; g/ Z- i& @) F3 d) T

1. //eeprom地址
   / R& l% x+ E/ n; T+ }* c! V3 ^
2. #define EEPROM_BASE_ADDR        0x08080000
   # n" E3 l. {6 J
3. //向偏移地址写入len个字节
   
4. void eeprom_write(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
   
5. {
   
6.         uint16_t i;
   
7.         HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
   # b  Z1 I" t( G7 h- @# c6 n1 Q9 ?  @
8. 
   
9.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
   8 T' B" w( g/ V. x2 a
10.         for(i=0;i<len;i++)
    
11.         {
    
12.                 status +=HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress+i, *Data);
    : p/ u# n) c" T0 D" T
13.                 Data++;
    2 V8 k' U/ d5 w, M6 @+ X
14.         }
    
15.         HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
    % {* x  g( P+ c/ \  r9 ]/ o, Y4 a8 a4 q
16. }
    : Y4 g: z4 m4 P4 O4 F. a
17. //向偏移地址读取len个字节
    , r- G/ k: c' t* P0 L4 a6 m9 Z
18. void eeprom_read(uint16_t BiasAddress,uint8_t *Buffer,uint16_t Len)
    . g  J, b. `; s9 _$ n% x( {* e, g
19. {
    ) I8 x% c6 S) D
20.         uint8_t *wAddr;
    
21.         wAddr=(uint8_t *)(EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress);
    & y# P3 |; L( w) N/ i
22.         while(Len--)
    
23.         {
    
24.                 *Buffer++=*wAddr++;
    
25.         }
    5 Q& N1 R. c5 `0 Q0 L# h# A3 V& L
26. }

复制代码

三、测试
2 w$ u( y& ]& k. c3 U6 S$ X- V9 S3.1 测试代码

1. //测试
   ) @0 [. {- D% S' E4 j
2.         printf("开始测试\r\n");
   ) Y& H0 J' R: i" J( J* [% ?  d" Q  d
3.         printf("写入eeprom数据：[0]:%x [1]:%x\r\n",eeprom_write_data[0],eeprom_write_data[1]);
   
4.         eeprom_write(0,eeprom_write_data,2);
   3 h$ c8 P8 }8 R9 W. _( h
5.         HAL_Delay(10);
   & C" Y" Q: \6 ]; x) g6 r  P/ u
6.         eeprom_read(0,eeprom_read_data,2);
   
7.         printf("读取的eeprom数据：[0]:%x [1]:%x\r\n",eeprom_read_data[0],eeprom_read_data[1]);
   % O& Z9 o6 K5 x6 l
8.         printf("片上eeprom测试完成\r\n");

复制代码

' J/ C# q# x6 E# ~  r; H2 ]3.2测试结果
; L0 H7 i% N) [, X  P5 o7 W% a8 O向0x08080000写入两个字节和从改该地址读取两个的内容一致，测试成功。

" K, M6 @4 H6 H. i4 J: I2 i7 |
3 \2 Q# W4 E6 C/ m- c7 d

  I) g. }6 E; e* e/ {, U

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