你的浏览器版本过低,可能导致网站不能正常访问!
为了你能正常使用网站功能,请使用这些浏览器。

nand flash 写数据时 影响 LCD 屏显示 ???

[复制链接]
hpdell 提问时间:2017-4-5 10:15 /
nand flash 写数据时 影响 LCD 屏显示 ???

单片机 : stm32f777

正常显示的图片如下:
11.jpg

在写nand flash 时,影响 LCD 显示的效果如下:
12.jpg

13.jpg
对nand flash 时序设置如下:

void MX_FMC_Init(void)
{
  FMC_NAND_PCC_TimingTypeDef ComSpaceTiming;
  FMC_NAND_PCC_TimingTypeDef AttSpaceTiming;
  FMC_SDRAM_TimingTypeDef SdramTiming;

  hnand1.Instance = FMC_NAND_DEVICE;

  hnand1.Init.NandBank = FMC_NAND_BANK3;
  hnand1.Init.Waitfeature = FMC_NAND_PCC_WAIT_FEATURE_DISABLE;    //关闭等待特性

  hnand1.Init.MemoryDataWidth = FMC_NAND_MEM_BUS_WIDTH_8;     
  hnand1.Init.ECCPageSize = FMC_NAND_ECC_PAGE_SIZE_2048BYTE;   // FMC_NAND_ECC_PAGE_SIZE_512BYTE;       //ECC页大小为1024字节

  #if    0   // 测试使用 使用这个设置 速度很慢很慢
    hnand1.Init.TCLRSetupTime = 0xa1;  /* CLE低和RE低之间的延迟,HCLK周期数 */

    hnand1.Init.TARSetupTime = 0x29;   /* ALE低和RE低之间的延迟,HCLK周期数 */

    ComSpaceTiming.SetupTime     =  0xf5; // 1;  0xf5;;   //建立时间 资料介绍最少10ns  
    ComSpaceTiming.WaitSetupTime =  0xf3;  // 3; 0xf3;  //等待时间
    ComSpaceTiming.HoldSetupTime =  0xf2; // 1;  0xf2;   //保持时间
    ComSpaceTiming.HiZSetupTime  =  0xf5; // 1;  0xf5;   //高阻态时间

  #else   // 目前使用的是这个设置,在读写 nand flash 时,影响显示, ??????????????????????????????????????????

    // 1/216MHz = 4.62962962962963 ns

    hnand1.Init.TCLRSetupTime = 0x12;         // 0x13,  0xa1;  CLE低和RE低之间的延迟,HCLK周期数 这个设置的速度 也是很慢,但基本可以读写 ,但会影响到 LCD 显示问题 ??????????????
    hnand1.Init.TARSetupTime = 0x18;           // 0x19   ALE低和RE低之间的延迟,HCLK周期数
    ComSpaceTiming.SetupTime     =  7;          // 8   //建立时间 资料介绍最少10ns
    ComSpaceTiming.WaitSetupTime =  15;     // 16  //等待时间  tADL
    ComSpaceTiming.HoldSetupTime =  8;      // 8   //保持时间
    ComSpaceTiming.HiZSetupTime  =  9;      // 8   //高阻态时间
    AttSpaceTiming.SetupTime     =  ComSpaceTiming.SetupTime;
    AttSpaceTiming.WaitSetupTime =  ComSpaceTiming.WaitSetupTime;
    AttSpaceTiming.HoldSetupTime =  ComSpaceTiming.HoldSetupTime;
    AttSpaceTiming.HiZSetupTime  =  ComSpaceTiming.HiZSetupTime;   

  #endif

  hnand1.Init.EccComputation = FMC_NAND_ECC_DISABLE;  // FMC_NAND_ECC_ENABLE;  // FMC_NAND_ECC_DISABLE;              //禁止ECC

  if (HAL_NAND_Init(&hnand1, &ComSpaceTiming, &AttSpaceTiming) != HAL_OK)
  {
    Error_Handler();
  }


  // ====================================================================================================================

  /** Perform the SDRAM1 memory initialization sequence   sdram 读写目前完全没有问题
  */
  hsdram1.Instance = FMC_SDRAM_DEVICE;
  /* hsdram1.Init */
  hsdram1.Init.SDBank = FMC_SDRAM_BANK1;
  hsdram1.Init.ColumnBitsNumber = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_10;       //列数量
  hsdram1.Init.RowBitsNumber = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_13;             //行数量
  hsdram1.Init.MemoryDataWidth = FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_32;          //数据宽度为32位
  hsdram1.Init.InternalBankNumber = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4;     //一共4个BANK
  hsdram1.Init.CASLatency = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_3;                  //CAS为3
  hsdram1.Init.WriteProtection = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE;  //失能写保护
  hsdram1.Init.SDClockPeriod = FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_2;              //SDRAM时钟为HCLK/2=216M/2=108M=9.3ns
  hsdram1.Init.ReadBurst = FMC_SDRAM_RBURST_ENABLE;                   //使能突发
  hsdram1.Init.ReadPipeDelay = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_1;               //读通道延时

  // MT48LC32M16 -75 IT
  SdramTiming.LoadToActiveDelay = 2;            // 2CLK  , 资料要求的时间, 加载模式寄存器到激活时间的延迟为2个时钟周期
  SdramTiming.ExitSelfRefreshDelay = 9;         // 75ns  , 资料要求的时间, 退出自刷新延迟为9个时钟周期
  SdramTiming.SelfRefreshTime = 5;              // 44ns  , 资料要求的时间, 自刷新时间为5个时钟周期
  SdramTiming.RowCycleDelay = 7;                // 66ns  , 资料要求的时间, 行循环延迟为7个时钟周期
  SdramTiming.WriteRecoveryTime = 3;            // 1CLK + 7.5ns  , 资料要求的时间, 恢复延迟为2个时钟周期
  SdramTiming.RPDelay = 2;                      // 20ns  , 资料要求的时间,行预充电延迟为2个时钟周期
  SdramTiming.RCDDelay = 2;                     // 20ns  , 资料要求的时间, 行到列延迟为2个时钟周期

  if (HAL_SDRAM_Init(&hsdram1, &SdramTiming) != HAL_OK)
  {
    Error_Handler();
  }
}
收藏 1 评论8 发布时间:2017-4-5 10:15

举报

8个回答
zhjb1 回答时间:2017-6-27 08:37:14
影响显示分及格反面:1.如果都采用DMA方式传输数据,影响不大;2.如果没有采用DMA方式与其他大量也访问存储区用总线的的模块会有延时影响;3.如果各个模块都采用中断方式,影响与2.差不多;4.如果发生地址交盖,一定影响显示部分结果。

评分

参与人数 1ST金币 +3 收起 理由
zero99 + 3

查看全部评分

arenas 回答时间:2017-6-27 09:08:53
一般来说lcd部分是不影响的,因为你的nand FLASH又不是用来作为显存器,因此在这一情况下,存储速度与否不对LCD产生影响,建议检查线路。

评分

参与人数 1ST金币 +2 收起 理由
zero99 + 2

查看全部评分

hjl2832 回答时间:2017-6-27 09:38:59
明显是因为操作FLASH的时间过长,因中断导致LCD刷屏时的时序出现问题。所以建议一定要用DMA进行数据操作处理。使某些功能在后台执行,不占用CPU的时间。

评分

参与人数 1ST金币 +2 收起 理由
zero99 + 2

查看全部评分

lulugl 回答时间:2017-6-27 09:50:42
学习了
jcx0324 回答时间:2017-6-27 13:05:17
刷屏不是DM2D刷的吗? 是与SDRAM冲突?

评分

参与人数 1ST金币 +2 收起 理由
zero99 + 2

查看全部评分

shuolang126 回答时间:2017-6-27 15:09:04
nand flash 的硬件连线和LCD是否存在共用关系?

评分

参与人数 1ST金币 +2 收起 理由
zero99 + 2

查看全部评分

无薪税绵 回答时间:2017-6-27 21:43:12
难道有管脚共用了?
hpdell 回答时间:2017-6-28 12:28:42
无薪税绵 发表于 2017-6-27 21:43
难道有管脚共用了?

nand flash 与 sdram 有些数据引脚是共用的,与 lcd 引脚木有共用的

估计应该就像 2楼版主分析的那样吧

所属标签

相似问题

关于意法半导体
我们是谁
投资者关系
意法半导体可持续发展举措
创新与技术
招聘信息
联系我们
联系ST分支机构
寻找销售人员和分销渠道
社区
媒体中心
活动与培训
隐私策略
隐私策略
Cookies管理
行使您的权利
关注我们
st-img 微信公众号
st-img 手机版