大家好：
   使用stm32f407，希望使用flash的剩余空间来存放数据。希望片上flash可以像片外flash一样任意读写。
   看了参考手册，上面如是描述：
   “在对 STM32F4xx 的 Flash 执行写入或擦除操作期间，任何读取 Flash 的尝试都会导致总线
阻塞。只有在完成编程操作后，才能正确处理读操作。这意味着，写/擦除操作进行期间不能
从 Flash 中执行代码或数据获取操作。”

    我有很大疑惑，
   1.我使用片上flash作为代码存储空间，
   2.stm32执行代码，是需要从flash上取指令，然后分析指令，进行操作
   3.当我执行完擦除/写操作的时候，无论是查询flash状态寄存器，或是执行中断，都是需要从flash读取代码的
   那么按照手册的说法，岂不是不能执行代码？？？

没问题的，代码是先塞到内存中执行

你也看到了，是在写/擦除（不是读）期间不能从flash读，执行完写/擦除以及平时代码执行时都是在读flash，所以没问题。

当正在执行写/擦除过程时，尝试对flash的读（比如中断来了CPU想尝试通过NVIC执行ISR时）会被阻塞，此时对代码的读取会阻塞，如果阻塞明显你会感觉到“卡”。除非把代码复制到RAM（编译前配置代码的位置到RAM空间）。但一般不会配置代码从RAM执行，此时代码的执行是在CPU内部，跟RAM无关。
如下图是典型的STM32 MCU系统架构内的flash接口连接图，指令总线直接从flash读取指令，一般不会把指令从flash搬到RAM，再从RAM搬到CPU进而再执行的（多此一举）。

楼主，你每次写内部flash数据量都很大（也就是时间会比较长）吗？如果比较大，比如好几个扇区，或许此时会对中断等产生影响。比如可以尝试在写之前暂时关闭中断。

简单说，写/擦除的时候，CPU会“停摆”。

一般情况下，程序的运行是CPU从FLASH中读取指令，然后执行。在执行写/擦除操作时，从Flash读指令就要等待，直到写/擦除完成。

擦除是按页/扇区操作的，时间比较长。写是按字节、半字或者字操作的，时间很短。
如果是连续进行n次页擦除操作，则在擦除操作之间是可以响应中断的。
比如，某个函数要分别擦除page1 page3 page5，在擦除page1的过程中，触发了中断，则该中断不能立即得到响应，而要等到page1擦除完成，在执行page3擦除之前，该中断得到响应。写操作类似。

谢谢楼上各位的帮助，我有些理解了。
我之前理解是“总线阻塞”是不能接受的，arm会挂掉，按照诸位的解释，“总线阻塞”仅仅是等待，就像是“堵车”一样，等等就好了，并不是“事故”
那么正确的理解是不是这样：
在写/擦除完成之前，如果有程序需要执行（事实上我认为一定有程序需要执行，因为即使是等待，或是查询flash的寄存器，也是需要执行代码的），那么会造成flash总线阻塞，此时所有的代码都无法执行，直到“阻塞”结束，arm再去执行下一条指令。