使用正点原子的例程写代码，发现有如下的问题：
1、读取 Flash的内容时，读到最后0x0803 FFFE的值为0xFFFF AAAA ,结果报错进入HardFault_Handler死循环；#define FLASH_USER_EEROM        0x0803fc00

1. STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);

复制代码

后来把 FLASH_USER_EEROM由0x0803fc00改为0x0803f400,结果才不会报错。
2、改完后继续运行又有报错，单步调试发现是如下红色的代码时出错，一时找不到出问题的地方。

1. FLASHSRSTATUS STMFLASH_GetStatus(void)
   
2. {        
   
3. u32 Flash_SR_Temp;        
   
4. <font color="#ff0000">Flash_SR_Temp=FLASH->SR;   //出错的地方</font>
   
5. 
   
6. if(Flash_SR_Temp&FLASH_SR_BSY_Msk)
   
7. return Flash_SR_Busy;
   
8. else if(Flash_SR_Temp&FLASH_SR_PGERR_Msk)
   
9. return Flash_SR_PgErr;
   
10. else if(Flash_SR_Temp&FLASH_SR_WRPRTERR_Msk)
    
11. return Flash_SR_WrPrtErr;
    
12. else
    
13. return Flash_SR_EOP;
    
14. }

复制代码

寄存器状态如下：




查了一天时间，知道是读取flash地址0X0803FFFE出错，但是不知道怎么解决！

查表是“精确的数据访问违例”

1.         static unsigned int stacked_r0;
   
2.         static unsigned int stacked_r1;
   
3.         static unsigned int stacked_r2;
   
4.         static unsigned int stacked_r3;
   
5.         static unsigned int stacked_r12;
   
6.         static unsigned int stacked_lr;
   
7.         static unsigned int stacked_pc;
   
8.         static unsigned int stacked_psr;
   
9.         static unsigned int SHCSR;
   
10.         static unsigned char MFSR;
    
11.         static unsigned char BFSR;
    
12.         static unsigned short int UFSR;
    
13.         static unsigned int HFSR;
    
14.         static unsigned int DFSR;
    
15.         static unsigned int MMAR;
    
16.         static unsigned int BFAR;
    
17. 
    
18.         stacked_r0 = ((unsigned long) hardfault_args[0]);
    
19.         stacked_r1 = ((unsigned long) hardfault_args[1]);
    
20.         stacked_r2 = ((unsigned long) hardfault_args[2]);
    
21.         stacked_r3 = ((unsigned long) hardfault_args[3]);
    
22.         stacked_r12 = ((unsigned long) hardfault_args[4]);
    
23.         stacked_lr = ((unsigned long) hardfault_args[5]);
    
24.         stacked_pc = ((unsigned long) hardfault_args[6]);
    
25.         stacked_psr = ((unsigned long) hardfault_args[7]);
    
26.         SHCSR = (*((volatile unsigned long *)(0xE000ED24)));
    
27.         MFSR = (*((volatile unsigned char *)(0xE000ED28)));       
    
28.         BFSR = (*((volatile unsigned char *)(0xE000ED29)));
    
29.         UFSR = (*((volatile unsigned short int *)(0xE000ED2A)));
    
30.         HFSR = (*((volatile unsigned long *)(0xE000ED2C)));  
    
31.         DFSR = (*((volatile unsigned long *)(0xE000ED30)));
    
32.         MMAR = (*((volatile unsigned long *)(0xE000ED34)));
    
33.         BFAR = (*((volatile unsigned long *)(0xE000ED38)));

复制代码

你的MCU flash空间是够的吧？
另外，如果有我们开发板的话，直接在我们例程基础上修改看看。

空间是足够的，STM32F105VCT6B，256KB的ROM空间，设置里面的起始地址是0x0800 0000 ，SIZE是0x4 0000,FLASH开始读取的地址是0x0803 FC00，后面的1K数据就是作为模拟EEPROM使用。

正点原子-122954 发表于 2018-10-11 20:52
你的MCU flash空间是够的吧？
另外，如果有我们开发板的话，直接在我们例程基础上修改看看。 ...

空间是足够的，STM32F105VCT6B，256KB的ROM空间，设置里面的起始地址是0x0800 0000 ，SIZE是0x4 0000,FLASH开始读取的地址是0x0803 FC00，后面的1K数据就是作为模拟EEPROM使用。

正点原子-122954 发表于 2018-10-11 20:52
你的MCU flash空间是够的吧？
另外，如果有我们开发板的话，直接在我们例程基础上修改看看。 ...

在原子的开发板上开发例程里面调试没有发现这个问题，移植到我的工程里面才有这个问题，已经移植了一段时间了，没有用到就没发现，现在用到了才发现这个问题。解决不了就把我的工程文件一个个移出去、屏蔽不需要的变量，只保留读写FALSH的文件，还是一样出错，另外设置保持和你们原子的设置一样的

出问题的工程

你说的出错的得放是引用的光放的库，而这个函数只是获取了状态而已，所以出错应当是调用该函数之前，而并不是这个函数，你重新定问一下问题应该不难，而且Flash操作本来也很简单。

xiaoshen-372360 发表于 2018-10-17 09:03
你说的出错的得放是引用的光放的库，而这个函数只是获取了状态而已，所以出错应当是调用该函数之前，而并不 ...

我使用的是HAL库，不是标准库，然后出错的函数是正点原子编写读取FALSH状态的函数，在写FALSH前第一次读取CR是OK，写完FLASH第二次读取CR状态就报错！困扰我的问题是找不到第二次读取CR的值时出错的原因，使用HaedFault_handler中断函数调试出来的寄存器原因是“精准的数据访问违例”，如果是HAL库出问题应该是直接进报错中断函数了！或者是库函数出来的时候FALSH的访问地址就出错了，导致下一次的FALSH读取时出错！我想这个问题不能定性为越界或者内存出错的问题，应该是指针出错，而且是在库函数出来的那一刻FLASH地址被串改了!下一次用到时就报错

xiaoshen-372360 发表于 2018-10-17 09:03
你说的出错的得放是引用的光放的库，而这个函数只是获取了状态而已，所以出错应当是调用该函数之前，而并不 ...

现在移植到标准库了，没有报错！