01 驱动时序
我们通常说的MCU-LCD接口,就是8080接口。
下面是LMT028DN给出的8080模式总线时序
下面是总线时序中的参数
时序参数
Tast->地址设置时间 Taht->地址保持时间(写) Tchw->芯片选择高脉冲宽度 Tcs->芯片选择设置时间(写) Tcsf->芯片选择等待时间(写) Twc->写入周期 Twrh->控制脉冲高电平时间 Twrl->控制脉冲低电平时间 Tdst->数据设置时间 Tdht->数据保持时间
根据FSMC的配置和时序图,我们需要的3个时序参数是
3个重要参数
1.地址建立时间:5ns
2.地址保持时间:13ns
3.数据建立时间:13ns
以上数据均是满足时序图的最小时间,实际应用中,不能设置成最小值,也不能大于最大值(如果有的话),以实际应用为主,如果设置时间太快,反而不稳定。
因为我们把LCD使用8080接口驱动SRAM的方式,所以可以选择FSMC的模式1和模式A,但是/RD的切换,也就是FSMC的NOE的切换,所以只能选择模式A,观察时序图,读写时序一致,所以可以选择读写一致的配置。
02 FSMC外设配置
FSMC外设配置代码
- readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x02; //地址建立时间(ADDSET)为2个HCLK 2*1/120M=16ns
- readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x02; //地址保持时间(ADDHLD),16ns
- readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x06; //数据建立时间,50ns
- readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;//总线恢复时间
- readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;// 时钟分频因子
- readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;//数据产生时间
- readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; //模式A
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM1;// 这里我们使用NE1 ,也就对应BTCR[6],[7]。
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;// 不复用数据地址
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType = FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_8b;//存储器数据宽度为8bit
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode = FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait = FSMC_AsynchronousWait_Disable;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;// 存储器写使能
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable;// 读写使用相同的时序
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming;//读写时序
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming;//写时序
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读写接口代码:
结构体定义,这里利用了结构体地址递增特性
- typedef struct
- {
- uint8_t LCD_CMD;//用于LCD命令操作
- uint8_t LCD_DATA;//用于LCD数据操作
- } LCD_TypeDef;
- #define LCD_BASE ((uint32_t)(0x60000000 | 0x0000FFFF))
- #define LCD ((LCD_TypeDef *) LCD_BASE)
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读写接口 - void LMT028_Write_Cmd ( uint8_t usCmd )
- {
- LCD->LCD_CMD=usCmd;
- }
- void LMT028_Write_Data ( uint8_t usData )
- {
- LCD->LCD_DATA = usData;
- }
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也可以简单明了的如下写法
- #define FSMC_Addr_LMT028_CMD ( ( uint32_t ) 0x60000000 )
- #define FSMC_Addr_LMT028_DATA ( ( uint32_t ) 0x60010000 )
- void LMT028_Write_Cmd ( uint8_t usCmd )
- {
- *( (uint32_t * )FSMC_Addr_LMT028_CMD)=usCmd;
- }
- void LMT028_Write_Data ( uint8_t usData )
- {
- *( (uint32_t * )FSMC_Addr_LMT028_DATA) = usData;
- }
复制代码03 背光驱动
LED背光驱动,根据高电平的占空比决定的,共有32个亮度等级,使用PWM驱动最为合适,通过调节占空比,调节亮度。
04 复位驱动
复位脚大于10ms的低电平,然后最大170ms的高电平
05 寄存器配置
寄存器配置还是要先参考厂家给的示例demo,根据LMT028手册进行修改,LMT028手册只有重要的寄存器说明,详细的寄存器说明需要参考ST7789手册。
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