01 驱动时序

8 s! s2 s7 \1 t% \6 j* z, c

我们通常说的MCU-LCD接口，就是8080接口。

下面是LMT028DN给出的8080模式总线时序
0 z8 v: U6 w9 n& `) |

$ k5 I) f# _; j# k

下面是总线时序中的参数

+ C) K- S6 k- c! C

0 a5 n1 s' w6 j) z) g6 \; N

时序参数

: G+ N. H" T, s. `6 E

• Tast->地址设置时间
• Taht->地址保持时间(写)
• Tchw->芯片选择高脉冲宽度
• Tcs->芯片选择设置时间(写)
• Tcsf->芯片选择等待时间(写)
• Twc->写入周期
• Twrh->控制脉冲高电平时间
• Twrl->控制脉冲低电平时间
• Tdst->数据设置时间
• Tdht->数据保持时间
  
  

0 T4 Y0 e9 J) v7 y# j  E
9 t; l, @; I  r; K5 N
/ P9 i) n9 K& M1 D2 ]# e
根据FSMC的配置和时序图，我们需要的3个时序参数是
& Z3 p1 |/ R7 i) B$ A1 I
3 D! \# v) q* }& @% r3个重要参数
3 E- C8 k  A) g$ l
4 k  N0 A& w3 M# S* M& q1.地址建立时间：5ns
2.地址保持时间：13ns
3.数据建立时间：13ns
4 U9 W0 `1 Z  S

以上数据均是满足时序图的最小时间，实际应用中，不能设置成最小值，也不能大于最大值（如果有的话），以实际应用为主，如果设置时间太快，反而不稳定。

; K3 C" g: d6 Q: a1 I

因为我们把LCD使用8080接口驱动SRAM的方式，所以可以选择FSMC的模式1和模式A，但是/RD的切换，也就是FSMC的NOE的切换，所以只能选择模式A，观察时序图，读写时序一致，所以可以选择读写一致的配置。

/ a/ E( C" m( G, E) R0 |2 U5 a; b

02 FSMC外设配置

( |, f' g, D6 }, S; |+ D
8 N& I/ K+ a7 d& v* l" \

FSMC外设配置代码

1. 
   
2. readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x02;   //地址建立时间（ADDSET）为2个HCLK 2*1/120M=16ns
   
3. readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x02;   //地址保持时间（ADDHLD）,16ns  
   
4. readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x06;     //数据建立时间，50ns
   
5. readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;//总线恢复时间
   ' V$ y) s  u7 B# F
6. readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;// 时钟分频因子
   6 M) @+ w& j  K. d
7. readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;//数据产生时间
   
8. readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;   //模式A
   
9. 
   ; I6 R# o2 Y" h  Q/ B
10. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM1;//  这里我们使用NE1 ，也就对应BTCR[6],[7]。
    
11. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;// 不复用数据地址
    
12. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType = FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM;
    % ?3 q  G+ t& R- Q: L& n
13. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_8b;//存储器数据宽度为8bit   
    ; r+ y/ J5 v# I) U% ^
14. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode = FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;
    
15. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait = FSMC_AsynchronousWait_Disable;  
    
16. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
    ' f) [  X0 o9 k; o+ X0 t
17. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;
    
18. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
    * B0 ^. J3 B; k4 A( u% o) T
19. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;//  存储器写使能
    : w6 u, I' Z$ S- g  V  k: E& ?' ^, j
20. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;
    ; ~1 C1 Y1 I* i7 g3 v
21. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable;// 读写使用相同的时序
    , \; F2 T0 ]6 J; Y; m8 t
22. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;
    0 Z; m7 i: s) [3 ?) ~% T( R* V
23. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming;//读写时序
    - J, I: f+ ^7 q. ?9 I
24. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming;//写时序

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读写接口代码：

" U% I( n. ~+ R/ Q

结构体定义,这里利用了结构体地址递增特性

1. 
   
2. typedef struct
   + H. z% A: d0 c% X* O% s
3. {
   4 ]+ L' P+ H$ j4 a- p
4.   uint8_t LCD_CMD;//用于LCD命令操作
   
5.   uint8_t LCD_DATA;//用于LCD数据操作
   ( j6 A6 P1 ?, t% r( D2 |0 x0 |
6. } LCD_TypeDef;
   
7. #define LCD_BASE        ((uint32_t)(0x60000000 | 0x0000FFFF))
   
8. #define LCD             ((LCD_TypeDef *) LCD_BASE)

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4 S+ H/ j3 G& N0 U- c0 n

读写接口

1. void LMT028_Write_Cmd ( uint8_t usCmd )
   1 n; s6 o+ v5 H! ?
2. {
   
3.   LCD->LCD_CMD=usCmd;  
   7 O# }: f0 X* P- \& j
4. }
   - B) r0 ]6 x# e. A# x" X( ^  T
5. void LMT028_Write_Data ( uint8_t usData )
   
6. {
   # [6 O) V+ i! K0 ?/ B% J7 f
7.   LCD->LCD_DATA = usData;
   
8. }

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0 j; X, g3 ]/ y! J3 x8 y

$ e5 u- p  B8 t! z

也可以简单明了的如下写法

1. 
   
2. #define      FSMC_Addr_LMT028_CMD         ( ( uint32_t ) 0x60000000 )      
   
3. #define      FSMC_Addr_LMT028_DATA        ( ( uint32_t ) 0x60010000 )
   9 \1 R  i  m0 v! t9 {7 Z0 ^
4. 
   
5. void LMT028_Write_Cmd ( uint8_t usCmd )
   
6. {
   / V' O1 p) W+ S3 d5 x# e  Q4 d' ^$ a
7. *( (uint32_t  * )FSMC_Addr_LMT028_CMD)=usCmd;  
   
8. }
   
9. void LMT028_Write_Data ( uint8_t usData )
   6 u; o0 z" `, R6 k1 z8 L; G) I
10. {
    
11.   *( (uint32_t  * )FSMC_Addr_LMT028_DATA) = usData;
    
12. }

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03 背光驱动

7 ]! w; U8 F- c2 K2 I3 D$ g

LED背光驱动，根据高电平的占空比决定的，共有32个亮度等级，使用PWM驱动最为合适，通过调节占空比，调节亮度。

/ O. E9 O0 G9 X8 x0 o. r

                                                              

04 复位驱动

, \7 a0 M/ g' L7 B6 z4 y2 l: O& O5 {

复位脚大于10ms的低电平，然后最大170ms的高电平

/ `$ d+ N1 T7 ~/ K( ?8 M- X+ Z) ?

05 寄存器配置

0 U8 }& T" p4 F

寄存器配置还是要先参考厂家给的示例demo，根据LMT028手册进行修改，LMT028手册只有重要的寄存器说明，详细的寄存器说明需要参考ST7789手册。

- p% X8 D2 k3 C9 {$ Y

7 }5 G9 P& v' H4 O: H% ]