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ulovefw 提问时间：2021-9-2 08:10 /

用的arm芯片是stm32h743,arm侧驱动程序如下：void MX_FMC_Init(void){
GPIO_InitTypeDef GPIO_Initure;
      FMC_NORSRAM_TimingTypeDef FSMC_ReadWriteTim;
FMC_NORSRAM_TimingTypeDef FSMC_WriteTim;

FMC_MPU_Config(); //使能MPU保护FPGA区域

SRAM_Handler.Instance=FMC_NORSRAM_DEVICE; //BANK1
SRAM_Handler.Extended=FMC_NORSRAM_EXTENDED_DEVICE;

      SRAM_Handler.Init.NSBank=FMC_NORSRAM_BANK1;    //使用NE1
SRAM_Handler.Init.DataAddressMux=FMC_DATA_ADDRESS_MUX_DISABLE;  //不复用数据线
SRAM_Handler.Init.MemoryType=FMC_MEMORY_TYPE_SRAM;             //SRAM
SRAM_Handler.Init.MemoryDataWidth=FMC_NORSRAM_MEM_BUS_WIDTH_8;  //8位数据宽度
SRAM_Handler.Init.BurstAccessMode=FMC_BURST_ACCESS_MODE_DISABLE; //是否使能突发访问,仅对同步突发存储器有效,此处未用到
SRAM_Handler.Init.WaitSignalPolarity=FMC_WAIT_SIGNAL_POLARITY_LOW;//等待信号的极性,仅在突发模式访问下有用
SRAM_Handler.Init.WaitSignalActive=FMC_WAIT_TIMING_BEFORE_WS; //存储器是在等待周期之前的一个时钟周期还是等待周期期间使能NWAIT
SRAM_Handler.Init.WriteOperation=FMC_WRITE_OPERATION_ENABLE; //存储器写使能
SRAM_Handler.Init.WaitSignal=FMC_WAIT_SIGNAL_DISABLE;          //等待使能位,此处未用到
SRAM_Handler.Init.ExtendedMode=FMC_EXTENDED_MODE_ENABLE;       //读写使用不同的时序
SRAM_Handler.Init.AsynchronousWait=FMC_ASYNCHRONOUS_WAIT_DISABLE;//是否使能同步传输模式下的等待信号,此处未用到
SRAM_Handler.Init.WriteBurst=FMC_WRITE_BURST_DISABLE;          //禁止突发写
SRAM_Handler.Init.ContinuousClock=FMC_CONTINUOUS_CLOCK_SYNC_ASYNC;
      SRAM_Handler.Init.WriteFifo=FMC_WRITE_FIFO_ENABLE;
SRAM_Handler.Init.PageSize=FMC_PAGE_SIZE_NONE;

/*FMC使用的HCLK3，主频200MHz，1个FMC时钟周期就是5ns*/
//FSMC读时序控制寄存器
FSMC_ReadWriteTim.AddressSetupTime=0x08; //地址建立时间(ADDSET 0~15)为15个HCLK 5ns*15=85ns
FSMC_ReadWriteTim.AddressHoldTime=0x02;    //地址保持时间(ADDHOLD 1~15)为15个HCLK 5ns*5=25ns
FSMC_ReadWriteTim.DataSetupTime=0x15;    //数据建立时间(DATASET 1~256)为85个HCLK 5ns*85=425ns
FSMC_ReadWriteTim.AccessMode=FMC_ACCESS_MODE_A; //模式A

//FSMC写时序控制寄存器
FSMC_WriteTim.AddressSetupTime=0x08;       //地址建立时间(ADDSET 0~15)为15个HCLK 5x15=85ns
FSMC_WriteTim.AddressHoldTime=0x02;       //地址保持时间(ADDHOLD 1~15)为15个HCLK 5ns*5=25ns
FSMC_WriteTim.DataSetupTime=0x15;          //数据保存时间(DATASET 1~256)为21个HCLK 5*21=105ns
FSMC_WriteTim.AccessMode=FMC_ACCESS_MODE_A; //模式A

HAL_SRAM_Init(&SRAM_Handler,&FSMC_ReadWriteTim,&FSMC_WriteTim);

delay_ms(50); // delay 50 ms
}

fpga使用的是altera的EP4CGX50F484。
arm中测试程序如下：
static void Fill_Buffer(u8 *pBuffer, u32 uwBufferLength, u16 uwOffset)
{
  u16 tmpIndex = 0;

  /* Put in global buffer different values */
  for (tmpIndex = 0; tmpIndex < uwBufferLength; tmpIndex++)
  {
pBuffer[tmpIndex] = tmpIndex + uwOffset;
  }
}

__IO uint32_t FMC_SRAM_Test(void)
{
      uint32_t uwIndex = 0;
      __IO uint32_t uwWriteReadStatus = 0;

      u8 aTxBuffer[BUFFER_SIZE];
      u8 aRxBuffer[BUFFER_SIZE];

//       vu8 i=0;
//       vu8 temp=0;
//       for(i=0;i<100;i++)
//       {
//             *(vu8*)(0x60000000+i)=temp;
//             temp++;
//       }
//
//       vu8 temp1[32];
//       for(i=0;i<32;i++)
//       {
//             temp1 = *(vu8*)(0x60000000+i);
//       }

      Fill_Buffer(aTxBuffer, BUFFER_SIZE, 0x0000);

      /* Write data to the SRAM memory */
  for(uwIndex = 0; uwIndex < BUFFER_SIZE; uwIndex++)
  {
*(__IO uint8_t *)(SRAM_BANK_ADDR + WRITE_READ_ADDR + 1 * uwIndex) = aTxBuffer[uwIndex];
  }

      /* Read back data from the SRAM memory */
  for(uwIndex = 0; uwIndex < BUFFER_SIZE; uwIndex++)
  {
aRxBuffer[uwIndex] = *(__IO uint8_t *)(SRAM_BANK_ADDR + WRITE_READ_ADDR + 1 * uwIndex);
  }

      /*##-3- Checking data integrity ############################################*/
  //uwWriteReadStatus = Buffercmp(aTxBuffer, aRxBuffer, BUFFER_SIZE);
      return uwWriteReadStatus;
}，其中BUFFER_SIZE为0x18，写地址从60000000开始，读地址从60000800开始，
在signaltap中抓取读写波形：